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為了讓客戶對(duì)設(shè)備品質(zhì)有更直觀的了解，我們大力支持現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)貨。您可以親臨我們的實(shí)驗(yàn)室，近距離觀察設(shè)備的外觀細(xì)節(jié)，親身操作查驗(yàn)設(shè)備的運(yùn)行性能、精度等關(guān)鍵指標(biāo)。每一臺(tái)設(shè)備都經(jīng)過嚴(yán)格的出廠檢測(cè)，我們敢于將品質(zhì)擺在您眼前，讓您在采購(gòu)前就能對(duì)設(shè)備的實(shí)際狀況了然于胸，消除后顧之憂。一位來自汽車零部件廠商的客戶分享道：“之前采購(gòu)設(shè)備總擔(dān)心實(shí)際性能和描述有差距，在致晟光電現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)貨時(shí)，工作人員耐心陪同我們測(cè)試，設(shè)備的精度和穩(wěn)定性都超出預(yù)期，這下采購(gòu)心里踏實(shí)多了?！迸c原子力顯微鏡聯(lián)用時(shí)，微光顯微鏡可同步獲取樣品的表面形貌和發(fā)光信息，便于關(guān)聯(lián)材料的結(jié)構(gòu)與電氣缺陷。低溫?zé)嵛⒐怙@微鏡圖像分析半導(dǎo)體企業(yè)購(gòu)入微光顯微鏡設(shè)備，是...

例如，當(dāng)某批芯片在測(cè)試中發(fā)現(xiàn)漏電失效時(shí)，我們的微光顯微鏡能定位到具體的失效位置，為后續(xù)通過聚焦離子束（FIB）切割進(jìn)行截面分析、追溯至柵氧層缺陷及氧化工藝異常等環(huán)節(jié)提供關(guān)鍵前提?？梢哉f，我們的設(shè)備是半導(dǎo)體行業(yè)失效分析中定位失效點(diǎn)的工具，其的探測(cè)能力和高效的分析效率，為后續(xù)問題的解決奠定了不可或缺的基礎(chǔ)。 在芯片研發(fā)階段，它能幫助研發(fā)人員快速鎖定設(shè)計(jì)或工藝中的隱患，避免資源的無效投入；在量產(chǎn)過程中，它能及時(shí)發(fā)現(xiàn)批量性失效的源頭，為生產(chǎn)線調(diào)整爭(zhēng)取寶貴時(shí)間，降低損失；在產(chǎn)品應(yīng)用端，它能為可靠性問題的排查提供方向，助力企業(yè)提升產(chǎn)品質(zhì)量和市場(chǎng)口碑。無論是先進(jìn)制程的芯片研發(fā)，還是成熟工藝的量產(chǎn)檢...

可探測(cè)到亮點(diǎn)的情況 一、由缺陷導(dǎo)致的亮點(diǎn)結(jié)漏電（Junction Leakage）接觸毛刺（Contact Spiking）熱電子效應(yīng)（Hot Electrons）閂鎖效應(yīng)（Latch-Up）氧化層漏電（Gate Oxide Defects / Leakage (F-N Current)）多晶硅晶須（Poly-silicon Filaments）襯底損傷（Substrate Damage）物理?yè)p傷（Mechanical Damage）等。 二、器件本身固有的亮點(diǎn)飽和 / 有源狀態(tài)的雙極晶體管（Saturated/Active Bipolar Transistors）飽和狀態(tài)的 ...

微光顯微鏡（EMMI）無法探測(cè)到亮點(diǎn)的情況: 一、不會(huì)產(chǎn)生亮點(diǎn)的故障有歐姆接觸（OhmicContact）金屬互聯(lián)短路（MetalInterconnectShort）表面反型層（SurfaceInversionLayer）硅導(dǎo)電通路（SiliconConductingPath）等。 二、亮點(diǎn)被遮蔽的情況有掩埋結(jié)（BuriedJunctions）及金屬下方的漏電點(diǎn)（LeakageSitesunderMetal）。此類情況可采用背面觀測(cè)模式（backsidemode），但該模式*能探測(cè)近紅外波段的發(fā)光，且需對(duì)樣品進(jìn)行減薄及拋光處理等。 我司自主研發(fā)的桌面級(jí)設(shè)備其緊湊的機(jī)身設(shè)...

可探測(cè)到亮點(diǎn)的情況 一、由缺陷導(dǎo)致的亮點(diǎn)結(jié)漏電（Junction Leakage）接觸毛刺（Contact Spiking）熱電子效應(yīng)（Hot Electrons）閂鎖效應(yīng)（Latch-Up）氧化層漏電（Gate Oxide Defects / Leakage (F-N Current)）多晶硅晶須（Poly-silicon Filaments）襯底損傷（Substrate Damage）物理?yè)p傷（Mechanical Damage）等。 二、器件本身固有的亮點(diǎn)飽和 / 有源狀態(tài)的雙極晶體管（Saturated/Active Bipolar Transistors）飽和狀態(tài)的 ...

微光顯微鏡的原理是探測(cè)光子發(fā)射。它通過高靈敏度的光學(xué)系統(tǒng)捕捉芯片內(nèi)部因電子 - 空穴對(duì)（EHP）復(fù)合產(chǎn)生的微弱光子（如 P-N 結(jié)漏電、熱電子效應(yīng)等過程中的發(fā)光），進(jìn)而定位失效點(diǎn)。其探測(cè)對(duì)象是光信號(hào)，且多針對(duì)可見光至近紅外波段的光子。熱紅外顯微鏡則基于紅外輻射測(cè)溫原理工作。芯片運(yùn)行時(shí)，失效區(qū)域（如短路、漏電點(diǎn)）會(huì)因能量損耗異常產(chǎn)生局部升溫，其釋放的紅外輻射強(qiáng)度與溫度正相關(guān)。設(shè)備通過檢測(cè)不同區(qū)域的紅外輻射差異，生成溫度分布圖像，以此定位發(fā)熱異常點(diǎn)，探測(cè)對(duì)象是熱信號(hào)（紅外波段輻射）。分析低阻抗短路時(shí)，微光顯微鏡可用于未開蓋樣品測(cè)試，還能定位大型 PCB 上金屬線路及元器件失效點(diǎn)。紅外光譜微光顯微鏡...

微光顯微鏡技術(shù)特性差異 探測(cè)靈敏度方向：EMMI 追求對(duì)微弱光子的高靈敏度（可檢測(cè)單光子級(jí)別信號(hào)），需配合暗場(chǎng)環(huán)境減少干擾；熱紅外顯微鏡則強(qiáng)調(diào)溫度分辨率（部分設(shè)備可達(dá) 0.01℃），需抑制環(huán)境熱噪聲。 空間分辨率：EMMI 的分辨率受光學(xué)系統(tǒng)和光子波長(zhǎng)限制，通常在微米級(jí)；熱紅外顯微鏡的分辨率與紅外波長(zhǎng)、鏡頭數(shù)值孔徑相關(guān)，一般略低于 EMMI，但更注重大面積熱分布的快速成像。 樣品處理要求：EMMI 對(duì)部分遮蔽性失效（如金屬下方漏電）需采用背面觀測(cè)模式，可能需要減薄、拋光樣品； 處理要求：熱紅外顯微鏡可透過封裝材料（如陶瓷、塑料）探測(cè)，對(duì)樣品破壞性較小，更適合非侵入式...

對(duì)半導(dǎo)體研發(fā)工程師而言，排查的過程層層受阻。在逐一排除外圍電路異常、生產(chǎn)工藝制程損傷等潛在因素后，若仍未找到癥結(jié)，往往需要芯片原廠介入，通過剖片分析深入探究?jī)?nèi)核。 然而，受限于專業(yè)分析設(shè)備的缺乏，再加上芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)涉及機(jī)密，工程師難以深入了解其底層構(gòu)造，這就導(dǎo)致他們?cè)诿鎸?duì)原廠出具的分析報(bào)告時(shí)，常常陷入 “被動(dòng)接受” 的局面 —— 既無法完全驗(yàn)證報(bào)告的細(xì)節(jié)，也難以基于自身判斷提出更具針對(duì)性的疑問或補(bǔ)充分析方向。 晶體管和二極管短路或漏電時(shí)，微光顯微鏡依其光子信號(hào)判斷故障類型與位置，利于排查電路故障。半導(dǎo)體失效分析微光顯微鏡內(nèi)容 在半導(dǎo)體芯片漏電檢測(cè)中，微光顯微鏡為工程師快速鎖...

對(duì)半導(dǎo)體研發(fā)工程師而言，排查的過程層層受阻。在逐一排除外圍電路異常、生產(chǎn)工藝制程損傷等潛在因素后，若仍未找到癥結(jié)，往往需要芯片原廠介入，通過剖片分析深入探究?jī)?nèi)核。 然而，受限于專業(yè)分析設(shè)備的缺乏，再加上芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)涉及機(jī)密，工程師難以深入了解其底層構(gòu)造，這就導(dǎo)致他們?cè)诿鎸?duì)原廠出具的分析報(bào)告時(shí)，常常陷入 “被動(dòng)接受” 的局面 —— 既無法完全驗(yàn)證報(bào)告的細(xì)節(jié)，也難以基于自身判斷提出更具針對(duì)性的疑問或補(bǔ)充分析方向。 微光顯微鏡的自動(dòng)瑕疵分類系統(tǒng)，可依據(jù)發(fā)光的強(qiáng)度、形狀等特征進(jìn)行歸類，提高檢測(cè)報(bào)告的生成效率。低溫?zé)嵛⒐怙@微鏡儀器 適用場(chǎng)景的分野，進(jìn)一步凸顯了二者（微光顯微鏡&熱紅外...

光束誘導(dǎo)電阻變化（OBIRCH）功能與微光顯微鏡（EMMI）技術(shù)常被集成于同一檢測(cè)系統(tǒng)，合稱為光發(fā)射顯微鏡（PEM，PhotoEmissionMicroscope）。 二者在原理與應(yīng)用上形成巧妙互補(bǔ)，能夠協(xié)同應(yīng)對(duì)集成電路中絕大多數(shù)失效模式，大幅提升失效分析的全面性與效率。OBIRCH技術(shù)的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)在于，即便失效點(diǎn)被金屬層覆蓋形成“熱點(diǎn)”，其仍能通過光束照射引發(fā)的電阻變化特性實(shí)現(xiàn)精細(xì)檢測(cè)——這恰好彌補(bǔ)了EMMI在金屬遮擋區(qū)域光信號(hào)捕捉受限的不足。 在航空航天芯片檢測(cè)中，它可定位因輻射導(dǎo)致的芯片損傷，為航天器電子設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行保駕護(hù)航。直銷微光顯微鏡校準(zhǔn)方法致晟光電 RT...

通過對(duì)這些微光信號(hào)的成像與定位，它能直接“鎖定”電性能缺陷的物理位置，如同在黑夜中捕捉螢火蟲的微光，實(shí)現(xiàn)微米級(jí)的定位。而熱紅外顯微鏡則是“溫度的解讀師”，依托紅外熱成像技術(shù)，它檢測(cè)的是芯片工作時(shí)因能量損耗產(chǎn)生的溫度差異。電流通過芯片時(shí)的電阻損耗、電路短路時(shí)的異常功耗，都會(huì)轉(zhuǎn)化為局部溫度的細(xì)微升高，這些熱量以紅外輻射的形式散發(fā)，被熱紅外顯微鏡捕捉并轉(zhuǎn)化為熱分布圖。通過分析溫度異常區(qū)域，它能間接推斷電路中的故障點(diǎn)，尤其擅長(zhǎng)發(fā)現(xiàn)與能量損耗相關(guān)的問題。支持自定義檢測(cè)參數(shù)，測(cè)試人員可根據(jù)特殊樣品特性調(diào)整設(shè)置，獲得較為準(zhǔn)確的檢測(cè)結(jié)果。實(shí)時(shí)成像微光顯微鏡銷售公司隨著器件尺寸的逐漸變小，MOS器件的溝道長(zhǎng)度也...

通過對(duì)這些微光信號(hào)的成像與定位，它能直接“鎖定”電性能缺陷的物理位置，如同在黑夜中捕捉螢火蟲的微光，實(shí)現(xiàn)微米級(jí)的定位。而熱紅外顯微鏡則是“溫度的解讀師”，依托紅外熱成像技術(shù)，它檢測(cè)的是芯片工作時(shí)因能量損耗產(chǎn)生的溫度差異。電流通過芯片時(shí)的電阻損耗、電路短路時(shí)的異常功耗，都會(huì)轉(zhuǎn)化為局部溫度的細(xì)微升高，這些熱量以紅外輻射的形式散發(fā)，被熱紅外顯微鏡捕捉并轉(zhuǎn)化為熱分布圖。通過分析溫度異常區(qū)域，它能間接推斷電路中的故障點(diǎn)，尤其擅長(zhǎng)發(fā)現(xiàn)與能量損耗相關(guān)的問題。為提升微光顯微鏡探測(cè)力，我司多種光學(xué)物鏡可選，用戶可依樣品工藝與結(jié)構(gòu)選裝，滿足不同微光探測(cè)需求。無損微光顯微鏡品牌排行在故障分析領(lǐng)域，微光顯微鏡（Emi...

光束誘導(dǎo)電阻變化（OBIRCH）功能與微光顯微鏡（EMMI）技術(shù)常被集成于同一檢測(cè)系統(tǒng)，合稱為光發(fā)射顯微鏡（PEM，PhotoEmissionMicroscope）。 二者在原理與應(yīng)用上形成巧妙互補(bǔ)，能夠協(xié)同應(yīng)對(duì)集成電路中絕大多數(shù)失效模式，大幅提升失效分析的全面性與效率。OBIRCH技術(shù)的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)在于，即便失效點(diǎn)被金屬層覆蓋形成“熱點(diǎn)”，其仍能通過光束照射引發(fā)的電阻變化特性實(shí)現(xiàn)精細(xì)檢測(cè)——這恰好彌補(bǔ)了EMMI在金屬遮擋區(qū)域光信號(hào)捕捉受限的不足。 電路驗(yàn)證中出現(xiàn)閂鎖效應(yīng)及漏電，微光顯微鏡可定位位置，為電路設(shè)計(jì)優(yōu)化提供依據(jù)，保障系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。國(guó)產(chǎn)微光顯微鏡售價(jià) 失效分析...

微光顯微鏡（EMMI）無法探測(cè)到亮點(diǎn)的情況: 一、不會(huì)產(chǎn)生亮點(diǎn)的故障有歐姆接觸（OhmicContact）金屬互聯(lián)短路（MetalInterconnectShort）表面反型層（SurfaceInversionLayer）硅導(dǎo)電通路（SiliconConductingPath）等。 二、亮點(diǎn)被遮蔽的情況有掩埋結(jié)（BuriedJunctions）及金屬下方的漏電點(diǎn)（LeakageSitesunderMetal）。此類情況可采用背面觀測(cè)模式（backsidemode），但該模式*能探測(cè)近紅外波段的發(fā)光，且需對(duì)樣品進(jìn)行減薄及拋光處理等。 我司團(tuán)隊(duì)改進(jìn)算法等技術(shù)，整合出 EMM...

企業(yè)用戶何如去采購(gòu)適合自己的設(shè)備？ 功能側(cè)重的差異，讓它們?cè)谛酒瑱z測(cè)中各司其職。微光顯微鏡的 “專長(zhǎng)” 是識(shí)別電致發(fā)光缺陷，對(duì)于邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片等高密度集成電路中常見的 PN 結(jié)漏電、柵氧擊穿、互連缺陷等細(xì)微電性能問題，它能提供的位置信息，是芯片失效分析中定位 “電故障” 的工具。 例如，在 7nm 以下先進(jìn)制程芯片的檢測(cè)中，其高靈敏度可捕捉到單個(gè)晶體管異常產(chǎn)生的微弱信號(hào)，為工藝優(yōu)化提供關(guān)鍵依據(jù)。 熱紅外顯微鏡則更關(guān)注 “熱失控” 風(fēng)險(xiǎn)，在功率半導(dǎo)體、IGBT 等大功率器件的檢測(cè)中表現(xiàn)突出。這類芯片工作時(shí)功耗較高，散熱性能直接影響可靠性，短路、散熱通道堵塞等問題會(huì)導(dǎo)致局...

我司專注于微弱信號(hào)處理技術(shù)的深度開發(fā)與場(chǎng)景化應(yīng)用，憑借深厚的技術(shù)積累，已成功推出多系列失效分析檢測(cè)設(shè)備及智能化解決方案。更懂本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的需求，軟件界面貼合工程師操作習(xí)慣，無需額外適配成本即可快速融入產(chǎn)線流程。 性價(jià)比優(yōu)勢(shì)直擊痛點(diǎn)：相比進(jìn)口設(shè)備，采購(gòu)成本降低 30% 以上，且本土化售后團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn) 24 小時(shí)響應(yīng)、48 小時(shí)現(xiàn)場(chǎng)維護(hù)，備件供應(yīng)周期縮短至 1 周內(nèi)，徹底擺脫進(jìn)口設(shè)備 “維護(hù)慢、成本高” 的困境。用國(guó)產(chǎn)微光顯微鏡，為芯片質(zhì)量把關(guān)，讓失效分析更高效、更經(jīng)濟(jì)、更可控！ 處理 ESD 閉鎖效應(yīng)時(shí)，微光顯微鏡檢測(cè)光子可判斷其位置和程度，為研究機(jī)制、制定防護(hù)措施提供支持。半導(dǎo)體微光顯...

漏電是芯片另一種常見的失效模式，其誘因復(fù)雜多樣，既可能源于晶體管長(zhǎng)期工作后的老化衰減，也可能由氧化層存在裂紋等缺陷引發(fā)。 與短路類似，芯片內(nèi)部發(fā)生漏電時(shí)，漏電路徑中會(huì)伴隨微弱的光發(fā)射現(xiàn)象——這種光信號(hào)的強(qiáng)度往往遠(yuǎn)低于短路產(chǎn)生的光輻射，對(duì)檢測(cè)設(shè)備的靈敏度提出了極高要求。EMMI憑借其的微光探測(cè)能力，能夠捕捉到漏電產(chǎn)生的極微弱光信號(hào)。通過對(duì)芯片進(jìn)行全域掃描，可將漏電區(qū)域以可視化圖像的形式清晰呈現(xiàn)，使工程師能直觀識(shí)別漏電位置與分布特征。 通過與光譜儀聯(lián)用，可分析光子的光譜信息，為判斷缺陷類型提供更多依據(jù)，增強(qiáng)分析的全面性。微光顯微鏡24小時(shí)服務(wù)半導(dǎo)體企業(yè)購(gòu)入微光顯微鏡設(shè)備，是提升自...

InGaAs微光顯微鏡與傳統(tǒng)微光顯微鏡在原理和功能上具有相似之處，均依賴于電子-空穴對(duì)復(fù)合產(chǎn)生的光子及熱載流子作為探測(cè)信號(hào)源。然而，InGaAs微光顯微鏡相較于傳統(tǒng)微光顯微鏡，呈現(xiàn)出更高的探測(cè)靈敏度，并且其探測(cè)波長(zhǎng)范圍擴(kuò)展至900nm至1700nm，而傳統(tǒng)微光顯微鏡的探測(cè)波長(zhǎng)范圍限于350nm至1100nm。這一特性使得InGaAs微光顯微鏡具備更更好的波長(zhǎng)檢測(cè)能力，從而拓寬了其應(yīng)用領(lǐng)域。進(jìn)一步而言，InGaAs微光顯微鏡的這一優(yōu)勢(shì)使其在多個(gè)科研與工業(yè)領(lǐng)域展現(xiàn)出獨(dú)特價(jià)值。在半導(dǎo)體材料研究中，InGaAs微光顯微鏡能夠探測(cè)到更長(zhǎng)的波長(zhǎng)，這對(duì)于分析材料的缺陷、雜質(zhì)以及能帶結(jié)構(gòu)等方面具有重要意義。為...

適用場(chǎng)景的分野，進(jìn)一步凸顯了二者（微光顯微鏡&熱紅外顯微鏡）的互補(bǔ)價(jià)值。在邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片的量產(chǎn)檢測(cè)中，微光顯微鏡通過對(duì)細(xì)微電缺陷的篩查，助力提升產(chǎn)品良率，降低批量報(bào)廢風(fēng)險(xiǎn)；而在功率器件、車規(guī)芯片的可靠性測(cè)試中，熱紅外顯微鏡對(duì)熱分布的監(jiān)測(cè)，成為驗(yàn)證產(chǎn)品穩(wěn)定性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。實(shí)際檢測(cè)中，二者常組合使用：微光顯微鏡定位電缺陷后，熱紅外顯微鏡可進(jìn)一步分析該缺陷是否引發(fā)異常發(fā)熱，形成 “光 - 熱” 聯(lián)動(dòng)的全維度分析，為企業(yè)提供更佳的故障診斷依據(jù)。分析低阻抗短路時(shí)，微光顯微鏡可用于未開蓋樣品測(cè)試，還能定位大型 PCB 上金屬線路及元器件失效點(diǎn)。檢測(cè)用微光顯微鏡設(shè)備芯片制造工藝復(fù)雜精密，從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)的每一...

定位短路故障點(diǎn)短路是造成芯片失效的關(guān)鍵誘因之一。 當(dāng)芯片內(nèi)部電路發(fā)生短路時(shí)，短路區(qū)域會(huì)形成異常電流通路，引發(fā)局部溫度驟升，并伴隨特定波長(zhǎng)的光發(fā)射現(xiàn)象。EMMI（微光顯微鏡）憑借其超高靈敏度，能夠捕捉這些由短路產(chǎn)生的微弱光信號(hào)，再通過對(duì)光信號(hào)的強(qiáng)度分布、空間位置等特征進(jìn)行綜合分析，可實(shí)現(xiàn)對(duì)短路故障點(diǎn)的精確定位。 以一款高性能微處理器芯片為例，其在測(cè)試中出現(xiàn)不明原因的功耗激增問題，技術(shù)人員初步判斷為內(nèi)部電路存在短路隱患。通過EMMI對(duì)芯片進(jìn)行全域掃描檢測(cè)，在極短時(shí)間內(nèi)便在芯片的某一特定功能模塊區(qū)域發(fā)現(xiàn)了光發(fā)射信號(hào)。結(jié)合該芯片的電路設(shè)計(jì)圖紙和版圖信息進(jìn)行深入分析，終鎖定故障點(diǎn)為兩條相...

半導(dǎo)體企業(yè)購(gòu)入微光顯微鏡設(shè)備，是提升自身競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵舉措，原因在于芯片測(cè)試需要找到問題點(diǎn) —— 失效分析。失效分析能定位芯片設(shè)計(jì)缺陷、制造瑕疵或可靠性問題，直接決定產(chǎn)品良率與市場(chǎng)口碑。微光顯微鏡憑借高靈敏度的光子探測(cè)能力，可捕捉芯片內(nèi)部微弱發(fā)光信號(hào)，高效識(shí)別漏電、熱失控等隱性故障，為優(yōu)化生產(chǎn)工藝、提升芯片性能提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支撐。在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中，快速完成失效分析意味著縮短研發(fā)周期、降低返工成本，同時(shí)通過提升產(chǎn)品可靠性鞏固客戶信任，這正是半導(dǎo)體企業(yè)在技術(shù)迭代與市場(chǎng)爭(zhēng)奪中保持優(yōu)勢(shì)的邏輯。我司團(tuán)隊(duì)改進(jìn)算法等技術(shù)，整合出 EMMI 芯片漏電定位系統(tǒng)，價(jià)低且數(shù)據(jù)整理準(zhǔn)、操作便，性價(jià)比高，居行業(yè)先頭。自銷...

在半導(dǎo)體 MEMS 器件檢測(cè)領(lǐng)域，微光顯微鏡憑借其超靈敏的感知能力，展現(xiàn)出不可替代的技術(shù)價(jià)值。MEMS 器件的結(jié)構(gòu)往往以微米級(jí)尺度存在，這些微小部件在運(yùn)行過程中會(huì)產(chǎn)生極其微弱的紅外輻射變化 —— 這種信號(hào)強(qiáng)度常低于常規(guī)檢測(cè)設(shè)備的感知閾值，卻能被微光顯微鏡及時(shí)捕捉。通過先進(jìn)的光電轉(zhuǎn)換與信號(hào)放大技術(shù)，微光設(shè)備將捕捉到的紅外輻射信號(hào)轉(zhuǎn)化為直觀的動(dòng)態(tài)圖像。通過圖像分析工具，可量化提取結(jié)構(gòu)的位移幅度、振動(dòng)頻率等關(guān)鍵參數(shù)。這種檢測(cè)方式突破了傳統(tǒng)接觸式測(cè)量對(duì)微結(jié)構(gòu)的干擾問題。電路驗(yàn)證中出現(xiàn)閂鎖效應(yīng)及漏電，微光顯微鏡可定位位置，為電路設(shè)計(jì)優(yōu)化提供依據(jù)，保障系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。制造微光顯微鏡平臺(tái) 企業(yè)用戶何如去采購(gòu)...

在故障分析領(lǐng)域，微光顯微鏡（EmissionMicroscope,EMMI）是一種極具實(shí)用價(jià)值且效率出眾的分析工具。其功能是探測(cè)集成電路（IC）內(nèi)部釋放的光子。在IC元件中，電子-空穴對(duì)（ElectronHolePairs,EHP）的復(fù)合過程會(huì)伴隨光子（Photon）的釋放。具體可舉例說明：當(dāng)P-N結(jié)施加偏壓時(shí)，N區(qū)的電子會(huì)向P區(qū)擴(kuò)散，同時(shí)P區(qū)的空穴也會(huì)向N區(qū)擴(kuò)散，隨后這些擴(kuò)散的載流子會(huì)與對(duì)應(yīng)區(qū)域的載流子（即擴(kuò)散至P區(qū)的電子與P區(qū)的空穴、擴(kuò)散至N區(qū)的空穴與N區(qū)的電子）發(fā)生EHP復(fù)合，并在此過程中釋放光子。其內(nèi)置的圖像分析軟件，可測(cè)量亮點(diǎn)尺寸與亮度，為量化評(píng)估缺陷嚴(yán)重程度提供數(shù)據(jù)。制造微光顯微鏡...

得注意的是，兩種技術(shù)均支持對(duì)芯片進(jìn)行正面檢測(cè)（從器件有源區(qū)一側(cè)觀測(cè)）與背面檢測(cè)（透過硅襯底觀測(cè)），可根據(jù)芯片結(jié)構(gòu)、封裝形式靈活選擇檢測(cè)角度，確保在大范圍掃描中快速鎖定微小失效點(diǎn)（如微米級(jí)甚至納米級(jí)缺陷）。在實(shí)際失效分析流程中，PEM系統(tǒng)先通過EMMI與OBIRCH的協(xié)同掃描定位可疑區(qū)域，隨后結(jié)合去層處理（逐層去除芯片的金屬布線層、介質(zhì)層等）、掃描電子顯微鏡（SEM）的高分辨率成像以及光學(xué)顯微鏡的細(xì)節(jié)觀察，進(jìn)一步界定缺陷的物理形態(tài)（如金屬線腐蝕、氧化層剝落、晶體管柵極破損等），終追溯失效機(jī)理（如電遷移、熱載流子注入、工藝污染等）并完成根因分析。這種“定位-驗(yàn)證-溯源”的完整閉環(huán)，使得PEM系統(tǒng)在...

InGaAs微光顯微鏡與傳統(tǒng)微光顯微鏡在原理和功能上具有相似之處，均依賴于電子-空穴對(duì)復(fù)合產(chǎn)生的光子及熱載流子作為探測(cè)信號(hào)源。然而，InGaAs微光顯微鏡相較于傳統(tǒng)微光顯微鏡，呈現(xiàn)出更高的探測(cè)靈敏度，并且其探測(cè)波長(zhǎng)范圍擴(kuò)展至900nm至1700nm，而傳統(tǒng)微光顯微鏡的探測(cè)波長(zhǎng)范圍限于350nm至1100nm。這一特性使得InGaAs微光顯微鏡具備更更好的波長(zhǎng)檢測(cè)能力，從而拓寬了其應(yīng)用領(lǐng)域。進(jìn)一步而言，InGaAs微光顯微鏡的這一優(yōu)勢(shì)使其在多個(gè)科研與工業(yè)領(lǐng)域展現(xiàn)出獨(dú)特價(jià)值。在半導(dǎo)體材料研究中，InGaAs微光顯微鏡能夠探測(cè)到更長(zhǎng)的波長(zhǎng)，這對(duì)于分析材料的缺陷、雜質(zhì)以及能帶結(jié)構(gòu)等方面具有重要意義。當(dāng)...

適用場(chǎng)景的分野，進(jìn)一步凸顯了二者（微光顯微鏡&熱紅外顯微鏡）的互補(bǔ)價(jià)值。在邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片的量產(chǎn)檢測(cè)中，微光顯微鏡通過對(duì)細(xì)微電缺陷的篩查，助力提升產(chǎn)品良率，降低批量報(bào)廢風(fēng)險(xiǎn)；而在功率器件、車規(guī)芯片的可靠性測(cè)試中，熱紅外顯微鏡對(duì)熱分布的監(jiān)測(cè)，成為驗(yàn)證產(chǎn)品穩(wěn)定性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。實(shí)際檢測(cè)中，二者常組合使用：微光顯微鏡定位電缺陷后，熱紅外顯微鏡可進(jìn)一步分析該缺陷是否引發(fā)異常發(fā)熱，形成 “光 - 熱” 聯(lián)動(dòng)的全維度分析，為企業(yè)提供更佳的故障診斷依據(jù)。我司微光顯微鏡探測(cè)芯片封裝打線及內(nèi)部線路短路產(chǎn)生的光子，快速定位短路位置，優(yōu)勢(shì)獨(dú)特。實(shí)時(shí)成像微光顯微鏡價(jià)格在半導(dǎo)體 MEMS 器件檢測(cè)領(lǐng)域，微光顯微鏡憑借其超...

失效分析是指通過系統(tǒng)的檢測(cè)、實(shí)驗(yàn)和分析手段，探究產(chǎn)品或器件在設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、使用過程中出現(xiàn)故障、性能異?；蚴У母驹颍M(jìn)而提出改進(jìn)措施以預(yù)防同類問題再次發(fā)生的技術(shù)過程。它是連接產(chǎn)品問題與解決方案的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，**在于精細(xì)定位失效根源，而非*關(guān)注表面現(xiàn)象。在半導(dǎo)體行業(yè)，失效分析具有不可替代的應(yīng)用價(jià)值，貫穿于芯片從研發(fā)到量產(chǎn)的全生命周期。 在研發(fā)階段，針對(duì)原型芯片的失效問題（如邏輯錯(cuò)誤、漏電、功耗過高等），通過微光顯微鏡、探針臺(tái)等設(shè)備進(jìn)行失效點(diǎn)定位，結(jié)合電路仿真、材料分析等手段，可追溯至設(shè)計(jì)缺陷（如布局不合理、時(shí)序錯(cuò)誤）或工藝參數(shù)偏差，為芯片設(shè)計(jì)優(yōu)化提供直接依據(jù)；在量產(chǎn)環(huán)節(jié)，當(dāng)出現(xiàn)批量性失...

這一技術(shù)不僅有助于快速定位漏電根源（如特定晶體管的柵氧擊穿、PN結(jié)邊緣缺陷等），更能在芯片量產(chǎn)階段實(shí)現(xiàn)潛在漏電問題的早期篩查，為采取針對(duì)性修復(fù)措施（如優(yōu)化工藝參數(shù)、改進(jìn)封裝設(shè)計(jì)）提供依據(jù)，從而提升芯片的長(zhǎng)期可靠性。例如，某批次即將交付的電源管理芯片在出廠前的EMMI抽檢中，發(fā)現(xiàn)部分芯片的邊角區(qū)域存在持續(xù)穩(wěn)定的微弱光信號(hào)。結(jié)合芯片的版圖設(shè)計(jì)與工藝參數(shù)分析，確認(rèn)該區(qū)域的NMOS晶體管因柵氧層局部厚度不足導(dǎo)致漏電。技術(shù)團(tuán)隊(duì)據(jù)此對(duì)這批次芯片進(jìn)行篩選，剔除了存在漏電隱患的產(chǎn)品，有效避免了缺陷芯片流入市場(chǎng)后可能引發(fā)的設(shè)備功耗異常、發(fā)熱甚至燒毀等風(fēng)險(xiǎn)。我司設(shè)備面對(duì)閘極氧化層缺陷，微光顯微鏡可檢測(cè)其漏電，助力...

微光顯微鏡的原理是探測(cè)光子發(fā)射。它通過高靈敏度的光學(xué)系統(tǒng)捕捉芯片內(nèi)部因電子 - 空穴對(duì)（EHP）復(fù)合產(chǎn)生的微弱光子（如 P-N 結(jié)漏電、熱電子效應(yīng)等過程中的發(fā)光），進(jìn)而定位失效點(diǎn)。其探測(cè)對(duì)象是光信號(hào)，且多針對(duì)可見光至近紅外波段的光子。熱紅外顯微鏡則基于紅外輻射測(cè)溫原理工作。芯片運(yùn)行時(shí)，失效區(qū)域（如短路、漏電點(diǎn)）會(huì)因能量損耗異常產(chǎn)生局部升溫，其釋放的紅外輻射強(qiáng)度與溫度正相關(guān)。設(shè)備通過檢測(cè)不同區(qū)域的紅外輻射差異，生成溫度分布圖像，以此定位發(fā)熱異常點(diǎn)，探測(cè)對(duì)象是熱信號(hào)（紅外波段輻射）。漏電結(jié)和接觸毛刺會(huì)產(chǎn)生亮點(diǎn)，這些亮點(diǎn)產(chǎn)生的光子能被微光顯微鏡捕捉到。檢測(cè)用微光顯微鏡大全在半導(dǎo)體芯片漏電檢測(cè)中，微光...

企業(yè)用戶何如去采購(gòu)適合自己的設(shè)備？ 功能側(cè)重的差異，讓它們?cè)谛酒瑱z測(cè)中各司其職。微光顯微鏡的 “專長(zhǎng)” 是識(shí)別電致發(fā)光缺陷，對(duì)于邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片等高密度集成電路中常見的 PN 結(jié)漏電、柵氧擊穿、互連缺陷等細(xì)微電性能問題，它能提供的位置信息，是芯片失效分析中定位 “電故障” 的工具。 例如，在 7nm 以下先進(jìn)制程芯片的檢測(cè)中，其高靈敏度可捕捉到單個(gè)晶體管異常產(chǎn)生的微弱信號(hào)，為工藝優(yōu)化提供關(guān)鍵依據(jù)。 熱紅外顯微鏡則更關(guān)注 “熱失控” 風(fēng)險(xiǎn)，在功率半導(dǎo)體、IGBT 等大功率器件的檢測(cè)中表現(xiàn)突出。這類芯片工作時(shí)功耗較高，散熱性能直接影響可靠性，短路、散熱通道堵塞等問題會(huì)導(dǎo)致局...