致晟光電在推動(dòng)產(chǎn)學(xué)研一體化進(jìn)程中,積極開展校企合作。公司依托南京理工大學(xué)光電技術(shù)學(xué)院,專注開發(fā)基于微弱光電信號(hào)分析的產(chǎn)品及應(yīng)用。雙方聯(lián)合攻克技術(shù)難題,不斷優(yōu)化實(shí)時(shí)瞬態(tài)鎖相紅外熱分析系統(tǒng)(RTTLIT),使該系統(tǒng)溫度靈敏度可達(dá)0.0001℃,功率檢測限低至1uW,部分功能及參數(shù)優(yōu)于進(jìn)口設(shè)備。此外,致晟光電還與其他高校建立合作關(guān)系,搭建起學(xué)業(yè)-就業(yè)貫通式人才孵化平臺(tái)。為學(xué)生提供涵蓋研發(fā)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)實(shí)踐、項(xiàng)目管理全鏈條的育人平臺(tái),輸送了大量實(shí)踐能力強(qiáng)的專業(yè)人才,為企業(yè)持續(xù)創(chuàng)新注入活力。通過建立科研成果產(chǎn)業(yè)孵化綠色通道,高校的前沿科研成果得以快速轉(zhuǎn)化為實(shí)際生產(chǎn)力,實(shí)現(xiàn)了高??蒲匈Y源與企業(yè)市場轉(zhuǎn)化能力的優(yōu)...
芯片制造工藝復(fù)雜精密,從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)的每一個(gè)環(huán)節(jié)都可能潛藏缺陷,而失效分析作為測試流程的重要一環(huán),是攔截不合格產(chǎn)品、追溯問題根源的 “守門人”。微光顯微鏡憑借其高靈敏度的光子探測技術(shù),能夠捕捉到芯片內(nèi)部因漏電、熱失控等故障產(chǎn)生的微弱發(fā)光信號(hào),定位微米級(jí)甚至納米級(jí)的缺陷。這種檢測能力,能幫助企業(yè)快速鎖定問題所在 —— 無論是設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)的邏輯漏洞,還是制造過程中的材料雜質(zhì)、工藝偏差,都能被及時(shí)發(fā)現(xiàn)。這意味著企業(yè)可以針對(duì)性地優(yōu)化生產(chǎn)工藝、改進(jìn)設(shè)計(jì)方案,從而提升芯片良率。在當(dāng)前芯片制造成本居高不下的背景下,良率的提升直接轉(zhuǎn)化為生產(chǎn)成本的降低,讓企業(yè)在價(jià)格競爭中占據(jù)更有利的位置。微光顯微鏡在 LED 故障分...
挑選適配自身的微光顯微鏡 EMMI,關(guān)鍵在于明確需求、考量性能與評(píng)估預(yù)算。先梳理應(yīng)用場景,若聚焦半導(dǎo)體失效分析,需關(guān)注能否定位漏電結(jié)、閂鎖效應(yīng)等缺陷產(chǎn)生的光子;性能層面,探測器是主要考察對(duì)象,像 -80℃制冷型 InGaAs 探測器,靈敏度高、波長檢測范圍廣(900 - 1700nm),能捕捉更微弱信號(hào);物鏡分辨率也重要,高分辨率物鏡可清晰呈現(xiàn)微小失效點(diǎn)。操作便捷性也不容忽視,軟件界面友好、具備自動(dòng)聚焦等功能,能提升工作效率。預(yù)算方面,進(jìn)口設(shè)備價(jià)格高昂,國產(chǎn)設(shè)備性價(jià)比優(yōu)勢凸顯,如部分國產(chǎn)品牌雖價(jià)格低 30% 以上,但性能與進(jìn)口相當(dāng),還能提供及時(shí)售后??傊C合這些因素,多對(duì)比不同品牌、型號(hào)設(shè)備...
隨著器件尺寸的逐漸變小,MOS器件的溝道長度也逐漸變短。短溝道效應(yīng)也愈發(fā)嚴(yán)重。短溝道效應(yīng)會(huì)使得MOS管的漏結(jié)存在一個(gè)強(qiáng)電場,該電場會(huì)對(duì)載流子進(jìn)行加速,同時(shí)賦予載流子一個(gè)動(dòng)能,該載流子會(huì)造成中性的Si原子被極化,產(chǎn)生同樣帶有能量的電子與空穴對(duì),這種電子與空穴被稱為熱載流子,反映在能帶圖中就是電位更高的電子和電位更低的空穴。一部分熱載流子會(huì)在生成后立馬復(fù)合,產(chǎn)生波長更短的熒光,另一部分在電場的作用下分離。電子進(jìn)入柵氧層,影響閾值電壓,空穴進(jìn)入襯底,產(chǎn)生襯底電流。歸因于短溝道效應(yīng)能在MOS管的漏端能看到亮點(diǎn),同樣在反偏PN結(jié)處也能產(chǎn)生強(qiáng)場,也能觀察到亮點(diǎn)。微光顯微鏡能檢測半導(dǎo)體器件微小缺陷和失效點(diǎn),...
得注意的是,兩種技術(shù)均支持對(duì)芯片進(jìn)行正面檢測(從器件有源區(qū)一側(cè)觀測)與背面檢測(透過硅襯底觀測),可根據(jù)芯片結(jié)構(gòu)、封裝形式靈活選擇檢測角度,確保在大范圍掃描中快速鎖定微小失效點(diǎn)(如微米級(jí)甚至納米級(jí)缺陷)。在實(shí)際失效分析流程中,PEM系統(tǒng)先通過EMMI與OBIRCH的協(xié)同掃描定位可疑區(qū)域,隨后結(jié)合去層處理(逐層去除芯片的金屬布線層、介質(zhì)層等)、掃描電子顯微鏡(SEM)的高分辨率成像以及光學(xué)顯微鏡的細(xì)節(jié)觀察,進(jìn)一步界定缺陷的物理形態(tài)(如金屬線腐蝕、氧化層剝落、晶體管柵極破損等),終追溯失效機(jī)理(如電遷移、熱載流子注入、工藝污染等)并完成根因分析。這種“定位-驗(yàn)證-溯源”的完整閉環(huán),使得PEM系統(tǒng)在...
在故障分析領(lǐng)域,微光顯微鏡(EmissionMicroscope,EMMI)是一種極具實(shí)用價(jià)值且效率出眾的分析工具。其功能是探測集成電路(IC)內(nèi)部釋放的光子。在IC元件中,電子-空穴對(duì)(ElectronHolePairs,EHP)的復(fù)合過程會(huì)伴隨光子(Photon)的釋放。具體可舉例說明:當(dāng)P-N結(jié)施加偏壓時(shí),N區(qū)的電子會(huì)向P區(qū)擴(kuò)散,同時(shí)P區(qū)的空穴也會(huì)向N區(qū)擴(kuò)散,隨后這些擴(kuò)散的載流子會(huì)與對(duì)應(yīng)區(qū)域的載流子(即擴(kuò)散至P區(qū)的電子與P區(qū)的空穴、擴(kuò)散至N區(qū)的空穴與N區(qū)的電子)發(fā)生EHP復(fù)合,并在此過程中釋放光子。其低噪聲電纜連接設(shè)計(jì),減少信號(hào)傳輸過程中的損耗,確保微弱光子信號(hào)完整傳遞至探測器。檢測用微...
可探測到亮點(diǎn)的情況 一、由缺陷導(dǎo)致的亮點(diǎn)結(jié)漏電(Junction Leakage)接觸毛刺(Contact Spiking)熱電子效應(yīng)(Hot Electrons)閂鎖效應(yīng)(Latch-Up)氧化層漏電(Gate Oxide Defects / Leakage (F-N Current))多晶硅晶須(Poly-silicon Filaments)襯底損傷(Substrate Damage)物理損傷(Mechanical Damage)等。 二、器件本身固有的亮點(diǎn)飽和 / 有源狀態(tài)的雙極晶體管(Saturated/Active Bipolar Transistors)飽和狀態(tài)的 ...
隨著器件尺寸的逐漸變小,MOS器件的溝道長度也逐漸變短。短溝道效應(yīng)也愈發(fā)嚴(yán)重。短溝道效應(yīng)會(huì)使得MOS管的漏結(jié)存在一個(gè)強(qiáng)電場,該電場會(huì)對(duì)載流子進(jìn)行加速,同時(shí)賦予載流子一個(gè)動(dòng)能,該載流子會(huì)造成中性的Si原子被極化,產(chǎn)生同樣帶有能量的電子與空穴對(duì),這種電子與空穴被稱為熱載流子,反映在能帶圖中就是電位更高的電子和電位更低的空穴。一部分熱載流子會(huì)在生成后立馬復(fù)合,產(chǎn)生波長更短的熒光,另一部分在電場的作用下分離。電子進(jìn)入柵氧層,影響閾值電壓,空穴進(jìn)入襯底,產(chǎn)生襯底電流。歸因于短溝道效應(yīng)能在MOS管的漏端能看到亮點(diǎn),同樣在反偏PN結(jié)處也能產(chǎn)生強(qiáng)場,也能觀察到亮點(diǎn)。在航空航天芯片檢測中,它可定位因輻射導(dǎo)致的芯...
相較于傳統(tǒng)微光顯微鏡,InGaAs(銦鎵砷)微光顯微鏡在檢測先進(jìn)制程組件微小尺寸組件的缺陷方面具有更高的適用性。其原因在于,較小尺寸的組件通常需要較低的操作電壓,這導(dǎo)致熱載子激發(fā)的光波長增長。InGaAs微光顯微鏡特別適合于檢測先進(jìn)制程產(chǎn)品中的亮點(diǎn)和熱點(diǎn)(HotSpot)定位。InGaAs微光顯微鏡與傳統(tǒng)EMMI在應(yīng)用上具有相似性,但I(xiàn)nGaAs微光顯微鏡在以下方面展現(xiàn)出優(yōu)勢: 1.偵測到缺陷所需時(shí)間為傳統(tǒng)EMMI的1/5~1/10; 2.能夠偵測到微弱電流及先進(jìn)制程中的缺陷; 3.能夠偵測到較輕微的MetalBridge缺陷; 4.針對(duì)芯片背面(Back-Side...
在半導(dǎo)體芯片漏電檢測中,微光顯微鏡為工程師快速鎖定問題位置提供了關(guān)鍵支撐。當(dāng)芯片施加工作偏壓時(shí),設(shè)備即刻啟動(dòng)檢測模式 —— 此時(shí)漏電區(qū)域因焦耳熱效應(yīng)會(huì)釋放微弱的紅外輻射,即便輻射功率為 1 微瓦,高靈敏度探測器也能捕捉到這一極微弱信號(hào)。這種檢測方式的在于,通過熱成像技術(shù)將漏電點(diǎn)的紅外輻射轉(zhuǎn)化為可視化熱圖,再與電路版圖進(jìn)行疊加分析,可實(shí)現(xiàn)漏電點(diǎn)的微米級(jí)精確定位。相較于傳統(tǒng)檢測手段,微光設(shè)備無需拆解芯片即可完成非接觸式檢測,既避免了對(duì)芯片的二次損傷,又能在不干擾正常電路工作的前提下,捕捉到漏電區(qū)域的細(xì)微熱信號(hào)。為提升微光顯微鏡探測力,我司多種光學(xué)物鏡可選,用戶可依樣品工藝與結(jié)構(gòu)選裝,滿足不同微光探...
需要失效分析檢測樣品,我們一般會(huì)在提前做好前期的失效背景調(diào)查和電性能驗(yàn)證工作,能夠?yàn)檎麄€(gè)失效分析過程找準(zhǔn)方向、提供依據(jù),從而更高效、準(zhǔn)確地找出芯片失效的原因。 1.失效背景調(diào)查收集芯片型號(hào)、應(yīng)用場景、失效模式(如短路、漏電、功能異常等)、失效比例、使用環(huán)境(溫度、濕度、電壓)等。確認(rèn)失效是否可復(fù)現(xiàn),區(qū)分設(shè)計(jì)缺陷、制程問題或應(yīng)用不當(dāng)(如過壓、ESD)。 2.電性能驗(yàn)證使用自動(dòng)測試設(shè)備(ATE)或探針臺(tái)(ProbeStation)復(fù)現(xiàn)失效,記錄關(guān)鍵參數(shù)(如I-V曲線、漏電流、閾值電壓偏移)。對(duì)比良品與失效芯片的電特性差異,縮小失效區(qū)域(如特定功能模塊)。 半導(dǎo)體失效分析中,微光顯微...
在半導(dǎo)體芯片的精密檢測領(lǐng)域,微光顯微鏡與熱紅外顯微鏡如同兩把功能各異的 “利劍”,各自憑借獨(dú)特的技術(shù)原理與應(yīng)用優(yōu)勢,在芯片質(zhì)量管控與失效分析中發(fā)揮著不可替代的作用。二者雖同服務(wù)于芯片檢測,但在邏輯與適用場景上的差異,使其成為互補(bǔ)而非替代的檢測組合。從技術(shù)原理來看,兩者的 “探測語言” 截然不同。 微光顯微鏡是 “光子的捕捉者”,其重心在于高靈敏度的光子傳感器,能夠捕捉芯片內(nèi)部因電性能異常釋放的微弱光信號(hào) —— 這些信號(hào)可能來自 PN 結(jié)漏電時(shí)的電子躍遷,或是柵氧擊穿瞬間的能量釋放,波長多集中在可見光至近紅外范圍。 我司微光顯微鏡探測芯片封裝打線及內(nèi)部線路短路產(chǎn)生的光子,快速定...
致晟光電在推動(dòng)產(chǎn)學(xué)研一體化進(jìn)程中,積極開展校企合作。公司依托南京理工大學(xué)光電技術(shù)學(xué)院,專注開發(fā)基于微弱光電信號(hào)分析的產(chǎn)品及應(yīng)用。雙方聯(lián)合攻克技術(shù)難題,不斷優(yōu)化實(shí)時(shí)瞬態(tài)鎖相紅外熱分析系統(tǒng)(RTTLIT),使該系統(tǒng)溫度靈敏度可達(dá)0.0001℃,功率檢測限低至1uW,部分功能及參數(shù)優(yōu)于進(jìn)口設(shè)備。此外,致晟光電還與其他高校建立合作關(guān)系,搭建起學(xué)業(yè)-就業(yè)貫通式人才孵化平臺(tái)。為學(xué)生提供涵蓋研發(fā)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)實(shí)踐、項(xiàng)目管理全鏈條的育人平臺(tái),輸送了大量實(shí)踐能力強(qiáng)的專業(yè)人才,為企業(yè)持續(xù)創(chuàng)新注入活力。通過建立科研成果產(chǎn)業(yè)孵化綠色通道,高校的前沿科研成果得以快速轉(zhuǎn)化為實(shí)際生產(chǎn)力,實(shí)現(xiàn)了高校科研資源與企業(yè)市場轉(zhuǎn)化能力的優(yōu)...
此外,可靠的產(chǎn)品質(zhì)量是企業(yè)贏得客戶信任、鞏固市場份額的基礎(chǔ)。通過微光顯微鏡(EMMI)的嚴(yán)格檢測,企業(yè)能確保交付給客戶的芯片具備穩(wěn)定的性能和較高的可靠性,減少因產(chǎn)品故障導(dǎo)致的客戶投訴和返工或者退貨風(fēng)險(xiǎn)。這種對(duì)質(zhì)量的堅(jiān)守,會(huì)逐漸積累成企業(yè)的品牌口碑,使客戶在選擇供應(yīng)商時(shí)更傾向于信賴具備完善檢測能力的企業(yè),從而增強(qiáng)企業(yè)的市場競爭力。 微光顯微鏡不僅是一種檢測工具,更是半導(dǎo)體企業(yè)提升產(chǎn)品質(zhì)量、加快研發(fā)進(jìn)度、筑牢品牌根基的戰(zhàn)略資產(chǎn)。在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭日趨白熱化的當(dāng)今,配備先進(jìn)的微光顯微鏡設(shè)備,將幫助企業(yè)在技術(shù)創(chuàng)新與市場爭奪中持續(xù)領(lǐng)跑,構(gòu)筑起難以復(fù)制的核心競爭力。 當(dāng)二極管處于正向偏置或反向...
考慮到部分客戶的特殊應(yīng)用場景,我們還提供Thermal&EMMI的個(gè)性化定制服務(wù)。無論是設(shè)備的功能模塊調(diào)整、性能參數(shù)優(yōu)化,還是外觀結(jié)構(gòu)適配,我們都能根據(jù)您的具體需求進(jìn)行專屬設(shè)計(jì)與研發(fā)。憑借高效的研發(fā)團(tuán)隊(duì)和成熟的生產(chǎn)體系,定制項(xiàng)目通常在 2-3 個(gè)月內(nèi)即可完成交付,在保證定制靈活性的同時(shí),充分兼顧了交付效率,讓您的特殊需求得到及時(shí)且滿意的答案。致晟光電始終致力于為客戶提供更可靠、更貼心的服務(wù),期待與您攜手共進(jìn),共創(chuàng)佳績。我司團(tuán)隊(duì)改進(jìn)算法等技術(shù),整合出 EMMI 芯片漏電定位系統(tǒng),價(jià)低且數(shù)據(jù)整理準(zhǔn)、操作便,性價(jià)比高,居行業(yè)先頭。廠家微光顯微鏡價(jià)格挑選適配自身的微光顯微鏡 EMMI,關(guān)鍵在于明確需求...
同時(shí),微光顯微鏡(EMMI)帶來的高效失效分析能力,能大幅縮短研發(fā)周期。在新產(chǎn)品研發(fā)階段,快速發(fā)現(xiàn)并解決失效問題,可避免研發(fā)過程中的反復(fù)試錯(cuò),加快產(chǎn)品從實(shí)驗(yàn)室走向市場的速度。當(dāng)市場需求瞬息萬變時(shí),更快的研發(fā)響應(yīng)速度意味著企業(yè)能搶先推出符合市場需求的產(chǎn)品,搶占市場先機(jī)。例如,在當(dāng)下市場 5G 芯片、AI 芯片等領(lǐng)域,技術(shù)迭代速度極快,誰能更早解決研發(fā)中的失效難題,誰就能在技術(shù)競爭中爭先一步,建立起差異化的競爭優(yōu)勢。通過與光譜儀聯(lián)用,可分析光子的光譜信息,為判斷缺陷類型提供更多依據(jù),增強(qiáng)分析的全面性。什么是微光顯微鏡與光學(xué)顯微鏡對(duì)比 企業(yè)用戶何如去采購適合自己的設(shè)備? 功能側(cè)重的差異,讓它...
在故障分析領(lǐng)域,微光顯微鏡(EmissionMicroscope,EMMI)是一種極具實(shí)用價(jià)值且效率出眾的分析工具。其功能是探測集成電路(IC)內(nèi)部釋放的光子。在IC元件中,電子-空穴對(duì)(ElectronHolePairs,EHP)的復(fù)合過程會(huì)伴隨光子(Photon)的釋放。具體可舉例說明:當(dāng)P-N結(jié)施加偏壓時(shí),N區(qū)的電子會(huì)向P區(qū)擴(kuò)散,同時(shí)P區(qū)的空穴也會(huì)向N區(qū)擴(kuò)散,隨后這些擴(kuò)散的載流子會(huì)與對(duì)應(yīng)區(qū)域的載流子(即擴(kuò)散至P區(qū)的電子與P區(qū)的空穴、擴(kuò)散至N區(qū)的空穴與N區(qū)的電子)發(fā)生EHP復(fù)合,并在此過程中釋放光子。它嘗試通過金屬層邊緣等位置的光子來定位故障點(diǎn),解決了復(fù)雜的檢測難題。國產(chǎn)微光顯微鏡備件考慮...
需要失效分析檢測樣品,我們一般會(huì)在提前做好前期的失效背景調(diào)查和電性能驗(yàn)證工作,能夠?yàn)檎麄€(gè)失效分析過程找準(zhǔn)方向、提供依據(jù),從而更高效、準(zhǔn)確地找出芯片失效的原因。 1.失效背景調(diào)查收集芯片型號(hào)、應(yīng)用場景、失效模式(如短路、漏電、功能異常等)、失效比例、使用環(huán)境(溫度、濕度、電壓)等。確認(rèn)失效是否可復(fù)現(xiàn),區(qū)分設(shè)計(jì)缺陷、制程問題或應(yīng)用不當(dāng)(如過壓、ESD)。 2.電性能驗(yàn)證使用自動(dòng)測試設(shè)備(ATE)或探針臺(tái)(ProbeStation)復(fù)現(xiàn)失效,記錄關(guān)鍵參數(shù)(如I-V曲線、漏電流、閾值電壓偏移)。對(duì)比良品與失效芯片的電特性差異,縮小失效區(qū)域(如特定功能模塊)。 針對(duì)光器件,能定位光波導(dǎo)中...
得注意的是,兩種技術(shù)均支持對(duì)芯片進(jìn)行正面檢測(從器件有源區(qū)一側(cè)觀測)與背面檢測(透過硅襯底觀測),可根據(jù)芯片結(jié)構(gòu)、封裝形式靈活選擇檢測角度,確保在大范圍掃描中快速鎖定微小失效點(diǎn)(如微米級(jí)甚至納米級(jí)缺陷)。在實(shí)際失效分析流程中,PEM系統(tǒng)先通過EMMI與OBIRCH的協(xié)同掃描定位可疑區(qū)域,隨后結(jié)合去層處理(逐層去除芯片的金屬布線層、介質(zhì)層等)、掃描電子顯微鏡(SEM)的高分辨率成像以及光學(xué)顯微鏡的細(xì)節(jié)觀察,進(jìn)一步界定缺陷的物理形態(tài)(如金屬線腐蝕、氧化層剝落、晶體管柵極破損等),終追溯失效機(jī)理(如電遷移、熱載流子注入、工藝污染等)并完成根因分析。這種“定位-驗(yàn)證-溯源”的完整閉環(huán),使得PEM系統(tǒng)在...
微光顯微鏡技術(shù)特性差異 探測靈敏度方向:EMMI 追求對(duì)微弱光子的高靈敏度(可檢測單光子級(jí)別信號(hào)),需配合暗場環(huán)境減少干擾;熱紅外顯微鏡則強(qiáng)調(diào)溫度分辨率(部分設(shè)備可達(dá) 0.01℃),需抑制環(huán)境熱噪聲。 空間分辨率:EMMI 的分辨率受光學(xué)系統(tǒng)和光子波長限制,通常在微米級(jí);熱紅外顯微鏡的分辨率與紅外波長、鏡頭數(shù)值孔徑相關(guān),一般略低于 EMMI,但更注重大面積熱分布的快速成像。 樣品處理要求:EMMI 對(duì)部分遮蔽性失效(如金屬下方漏電)需采用背面觀測模式,可能需要減薄、拋光樣品; 處理要求:熱紅外顯微鏡可透過封裝材料(如陶瓷、塑料)探測,對(duì)樣品破壞性較小,更適合非侵入式...
EMMI的本質(zhì)只是一臺(tái)光譜范圍廣,光子靈敏度高的顯微鏡。 但是為什么EMMI能夠應(yīng)用于IC的失效分析呢? 原因就在于集成電路在通電后會(huì)出現(xiàn)三種情況:1.載流子復(fù)合;2.熱載流子;3.絕緣層漏電。當(dāng)這三種情況發(fā)生時(shí)集成電路上就會(huì)產(chǎn)生微弱的熒光,這時(shí)EMMI就能捕獲這些微弱熒光,這就給了EMMI一個(gè)應(yīng)用的機(jī)會(huì)而在IC的失效分析中,我們給予失效點(diǎn)一個(gè)偏壓產(chǎn)生熒光,然后EMMI捕獲電流中產(chǎn)生的微弱熒光。原理上,不管IC是否存在缺陷,只要滿足其機(jī)理在EMMI下都能觀測到熒光 微光顯微鏡可搭配偏振光附件,分析樣品的偏振特性,為判斷晶體缺陷方向提供獨(dú)特依據(jù),豐富檢測維度。非制冷微光顯微鏡貨源...
失效背景調(diào)查就像是為芯片失效分析開啟 “導(dǎo)航系統(tǒng)”,能幫助分析人員快速了解芯片的基本情況,為后續(xù)工作奠定基礎(chǔ)。收集芯片型號(hào)是首要任務(wù),不同型號(hào)的芯片在結(jié)構(gòu)、功能和特性上存在差異,這是開展分析的基礎(chǔ)信息。同時(shí),了解芯片的應(yīng)用場景也不可或缺,是用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制還是航空航天等領(lǐng)域,不同的應(yīng)用場景對(duì)芯片的性能要求不同,失效原因也可能大相徑庭。 失效模式的收集同樣關(guān)鍵,短路、漏電、功能異常等不同的失效模式,指向的潛在問題各不相同。比如短路可能是由于內(nèi)部線路故障,而漏電則可能與芯片的絕緣性能有關(guān)。失效比例的統(tǒng)計(jì)也有重要意義,如果同一批次芯片失效比例較高,可能暗示著設(shè)計(jì)缺陷或制程問題;如果只...
我司專注于微弱信號(hào)處理技術(shù)的深度開發(fā)與場景化應(yīng)用,憑借深厚的技術(shù)積累,已成功推出多系列失效分析檢測設(shè)備及智能化解決方案。更懂本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的需求,軟件界面貼合工程師操作習(xí)慣,無需額外適配成本即可快速融入產(chǎn)線流程。 性價(jià)比優(yōu)勢直擊痛點(diǎn):相比進(jìn)口設(shè)備,采購成本降低 30% 以上,且本土化售后團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn) 24 小時(shí)響應(yīng)、48 小時(shí)現(xiàn)場維護(hù),備件供應(yīng)周期縮短至 1 周內(nèi),徹底擺脫進(jìn)口設(shè)備 “維護(hù)慢、成本高” 的困境。用國產(chǎn)微光顯微鏡,為芯片質(zhì)量把關(guān),讓失效分析更高效、更經(jīng)濟(jì)、更可控! 微光顯微鏡分析 3D 封裝器件光子,結(jié)合光學(xué)原理和算法可預(yù)估失效點(diǎn)深度,為失效分析和修復(fù)提供參考。高分辨率微光...
RTTLIT E20 微光顯微分析系統(tǒng)(EMMI)是專為半導(dǎo)體器件漏電缺陷檢測量身打造的高精度檢測設(shè)備,其系統(tǒng)搭載 -80℃制冷型 InGaAs 探測器與高分辨率顯微物鏡 ,構(gòu)建起超高靈敏度檢測體系 —— 可準(zhǔn)確捕捉器件在微弱漏電流下產(chǎn)生的極微弱微光信號(hào),實(shí)現(xiàn)納米級(jí)缺陷的可視化成像。通過超高靈敏度成像技術(shù),設(shè)備能快速定位漏電缺陷并完成深度分析,為工程師提供直觀的缺陷數(shù)據(jù)支撐,助力優(yōu)化生產(chǎn)工藝、提升產(chǎn)品可靠性。從芯片研發(fā)到量產(chǎn)質(zhì)控,RTTLIT E20 以穩(wěn)定可靠的性能,為半導(dǎo)體器件全生命周期的質(zhì)量保障提供科學(xué)解決方案,是半導(dǎo)體行業(yè)提升良率的關(guān)鍵檢測利器。為提升微光顯微鏡探測力,我司多種光學(xué)物鏡...
相較于傳統(tǒng)微光顯微鏡,InGaAs(銦鎵砷)微光顯微鏡在檢測先進(jìn)制程組件微小尺寸組件的缺陷方面具有更高的適用性。其原因在于,較小尺寸的組件通常需要較低的操作電壓,這導(dǎo)致熱載子激發(fā)的光波長增長。InGaAs微光顯微鏡特別適合于檢測先進(jìn)制程產(chǎn)品中的亮點(diǎn)和熱點(diǎn)(HotSpot)定位。InGaAs微光顯微鏡與傳統(tǒng)EMMI在應(yīng)用上具有相似性,但I(xiàn)nGaAs微光顯微鏡在以下方面展現(xiàn)出優(yōu)勢: 1.偵測到缺陷所需時(shí)間為傳統(tǒng)EMMI的1/5~1/10; 2.能夠偵測到微弱電流及先進(jìn)制程中的缺陷; 3.能夠偵測到較輕微的MetalBridge缺陷; 4.針對(duì)芯片背面(Back-Side...
失效分析是指通過系統(tǒng)的檢測、實(shí)驗(yàn)和分析手段,探究產(chǎn)品或器件在設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、使用過程中出現(xiàn)故障、性能異?;蚴У母驹颍M(jìn)而提出改進(jìn)措施以預(yù)防同類問題再次發(fā)生的技術(shù)過程。它是連接產(chǎn)品問題與解決方案的關(guān)鍵環(huán)節(jié),**在于精細(xì)定位失效根源,而非*關(guān)注表面現(xiàn)象。在半導(dǎo)體行業(yè),失效分析具有不可替代的應(yīng)用價(jià)值,貫穿于芯片從研發(fā)到量產(chǎn)的全生命周期。 在研發(fā)階段,針對(duì)原型芯片的失效問題(如邏輯錯(cuò)誤、漏電、功耗過高等),通過微光顯微鏡、探針臺(tái)等設(shè)備進(jìn)行失效點(diǎn)定位,結(jié)合電路仿真、材料分析等手段,可追溯至設(shè)計(jì)缺陷(如布局不合理、時(shí)序錯(cuò)誤)或工藝參數(shù)偏差,為芯片設(shè)計(jì)優(yōu)化提供直接依據(jù);在量產(chǎn)環(huán)節(jié),當(dāng)出現(xiàn)批量性失...
致晟光電 RTTLIT E20 微光顯微分析系統(tǒng)(EMMI)是一款專為半導(dǎo)體器件漏電缺陷檢測量身打造的高精度檢測設(shè)備。該系統(tǒng)搭載先進(jìn)的 - 80℃制冷型 InGaAs 探測器與高分辨率顯微物鏡,憑借超高檢測靈敏度,可捕捉器件在微弱漏電流信號(hào)下產(chǎn)生的極微弱微光。通過超高靈敏度成像技術(shù),設(shè)備能快速定位漏電缺陷并開展深度分析,為工程師優(yōu)化生產(chǎn)工藝、提升產(chǎn)品可靠性提供關(guān)鍵支持,進(jìn)而為半導(dǎo)體器件的質(zhì)量控制與失效分析環(huán)節(jié)提供安全可靠的解決方案。微光顯微鏡搭配高分辨率鏡頭,可將微小缺陷放大至清晰可見,讓檢測更易觀察分析,提升檢測的準(zhǔn)確度。什么是微光顯微鏡品牌 需要失效分析檢測樣品,我們一般會(huì)在提前做好前期...
在微光顯微鏡(EMMI) 操作過程中,當(dāng)對(duì)樣品施加合適的電壓時(shí),其失效點(diǎn)會(huì)由于載流子加速散射或電子-空穴對(duì)復(fù)合效應(yīng)而發(fā)射特定波長的光子。這些光子經(jīng)過采集和圖像處理后,可以形成一張信號(hào)圖。隨后,取消施加在樣品上的電壓,在未供電的狀態(tài)下采集一張背景圖。再通過將信號(hào)圖與背景圖進(jìn)行疊加處理,就可以精確地定位發(fā)光點(diǎn)的位置,實(shí)現(xiàn)對(duì)失效點(diǎn)的精確定位。進(jìn)一步地,為了提升定位的準(zhǔn)確性,可采用多種圖像處理技術(shù)進(jìn)行優(yōu)化。例如,通過濾波算法去除背景噪聲,增強(qiáng)信號(hào)圖的信噪比;利用邊緣檢測技術(shù),突出顯示發(fā)光點(diǎn)的邊緣特征,從而提高定位精度。我司自研含微光顯微鏡等設(shè)備,獲多所高校、科研院所及企業(yè)認(rèn)可使用,性能佳,廣受贊譽(yù)。無...
OBIRCH與EMMI技術(shù)在集成電路失效分析領(lǐng)域中扮演著互補(bǔ)的角色,其主要差異體現(xiàn)在檢測原理及應(yīng)用領(lǐng)域。具體而言,EMMI技術(shù)通過光子檢測手段來精確定位漏電或發(fā)光故障點(diǎn),而OBIRCH技術(shù)則依賴于激光誘導(dǎo)電阻變化來識(shí)別短路或阻值異常區(qū)域。這兩種技術(shù)通常被整合于同一檢測系統(tǒng)(即PEM系統(tǒng))中,其中EMMI技術(shù)在探測光子發(fā)射類缺陷,如漏電流方面表現(xiàn)出色,而OBIRCH技術(shù)則對(duì)金屬層遮蔽下的短路現(xiàn)象具有更高的敏感度。例如,EMMI技術(shù)能夠有效檢測未開封芯片中的失效點(diǎn),而OBIRCH技術(shù)則能有效解決低阻抗(<10 ohm)短路問題。但歐姆接觸和部分金屬互聯(lián)短路時(shí),產(chǎn)生的光子十分微弱,難以被微光顯微鏡偵...
需要失效分析檢測樣品,我們一般會(huì)在提前做好前期的失效背景調(diào)查和電性能驗(yàn)證工作,能夠?yàn)檎麄€(gè)失效分析過程找準(zhǔn)方向、提供依據(jù),從而更高效、準(zhǔn)確地找出芯片失效的原因。 1.失效背景調(diào)查收集芯片型號(hào)、應(yīng)用場景、失效模式(如短路、漏電、功能異常等)、失效比例、使用環(huán)境(溫度、濕度、電壓)等。確認(rèn)失效是否可復(fù)現(xiàn),區(qū)分設(shè)計(jì)缺陷、制程問題或應(yīng)用不當(dāng)(如過壓、ESD)。 2.電性能驗(yàn)證使用自動(dòng)測試設(shè)備(ATE)或探針臺(tái)(ProbeStation)復(fù)現(xiàn)失效,記錄關(guān)鍵參數(shù)(如I-V曲線、漏電流、閾值電壓偏移)。對(duì)比良品與失效芯片的電特性差異,縮小失效區(qū)域(如特定功能模塊)。 支持離線數(shù)據(jù)分析,可將檢測...