例如,當某批芯片在測試中發(fā)現(xiàn)漏電失效時,我們的微光顯微鏡能定位到具體的失效位置,為后續(xù)通過聚焦離子束(FIB)切割進行截面分析、追溯至柵氧層缺陷及氧化工藝異常等環(huán)節(jié)提供關鍵前提。可以說,我們的設備是半導體行業(yè)失效分析中定位失效點的工具,其的探測能力和高效的分析效率,為后續(xù)問題的解決奠定了不可或缺的基礎。
在芯片研發(fā)階段,它能幫助研發(fā)人員快速鎖定設計或工藝中的隱患,避免資源的無效投入;在量產過程中,它能及時發(fā)現(xiàn)批量性失效的源頭,為生產線調整爭取寶貴時間,降低損失;在產品應用端,它能為可靠性問題的排查提供方向,助力企業(yè)提升產品質量和市場口碑。無論是先進制程的芯片研發(fā),還是成熟工藝的量產檢測,我們的設備都以其獨特的技術優(yōu)勢,成為失效分析流程中無法替代的關鍵一環(huán),為半導體企業(yè)的高效運轉和技術升級提供有力支撐。 針對接面漏電,我司微光顯微鏡能偵測其光子定位位置,利于篩選不良品,為改進半導體制造工藝提供數(shù)據(jù)。實時成像微光顯微鏡技術參數(shù)
挑選適配自身的微光顯微鏡 EMMI,關鍵在于明確需求、考量性能與評估預算。先梳理應用場景,若聚焦半導體失效分析,需關注能否定位漏電結、閂鎖效應等缺陷產生的光子;性能層面,探測器是主要考察對象,像 -80℃制冷型 InGaAs 探測器,靈敏度高、波長檢測范圍廣(900 - 1700nm),能捕捉更微弱信號;物鏡分辨率也重要,高分辨率物鏡可清晰呈現(xiàn)微小失效點。操作便捷性也不容忽視,軟件界面友好、具備自動聚焦等功能,能提升工作效率。預算方面,進口設備價格高昂,國產設備性價比優(yōu)勢凸顯,如部分國產品牌雖價格低 30% 以上,但性能與進口相當,還能提供及時售后。總之,綜合這些因素,多對比不同品牌、型號設備,才能選到契合自身的 EMMI 。紅外光譜微光顯微鏡廠家電話紅外成像可以不破壞芯片封裝,嘗試定位未開封芯片失效點并區(qū)分其在封裝還是 Die 內部,利于評估芯片質量。
微光顯微鏡(EMMI)無法探測到亮點的情況:
一、不會產生亮點的故障有歐姆接觸(OhmicContact)金屬互聯(lián)短路(MetalInterconnectShort)表面反型層(SurfaceInversionLayer)硅導電通路(SiliconConductingPath)等。
二、亮點被遮蔽的情況有掩埋結(BuriedJunctions)及金屬下方的漏電點(LeakageSitesunderMetal)。此類情況可采用背面觀測模式(backsidemode),但該模式*能探測近紅外波段的發(fā)光,且需對樣品進行減薄及拋光處理等。
微光顯微鏡的原理是探測光子發(fā)射。它通過高靈敏度的光學系統(tǒng)捕捉芯片內部因電子 - 空穴對(EHP)復合產生的微弱光子(如 P-N 結漏電、熱電子效應等過程中的發(fā)光),進而定位失效點。其探測對象是光信號,且多針對可見光至近紅外波段的光子。熱紅外顯微鏡則基于紅外輻射測溫原理工作。芯片運行時,失效區(qū)域(如短路、漏電點)會因能量損耗異常產生局部升溫,其釋放的紅外輻射強度與溫度正相關。設備通過檢測不同區(qū)域的紅外輻射差異,生成溫度分布圖像,以此定位發(fā)熱異常點,探測對象是熱信號(紅外波段輻射)。晶體管和二極管短路或漏電時,微光顯微鏡依其光子信號判斷故障類型與位置,利于排查電路故障。
RTTLIT E20 微光顯微分析系統(tǒng)(EMMI)是專為半導體器件漏電缺陷檢測量身打造的高精度檢測設備,其系統(tǒng)搭載 -80℃制冷型 InGaAs 探測器與高分辨率顯微物鏡 ,構建起超高靈敏度檢測體系 —— 可準確捕捉器件在微弱漏電流下產生的極微弱微光信號,實現(xiàn)納米級缺陷的可視化成像。通過超高靈敏度成像技術,設備能快速定位漏電缺陷并完成深度分析,為工程師提供直觀的缺陷數(shù)據(jù)支撐,助力優(yōu)化生產工藝、提升產品可靠性。從芯片研發(fā)到量產質控,RTTLIT E20 以穩(wěn)定可靠的性能,為半導體器件全生命周期的質量保障提供科學解決方案,是半導體行業(yè)提升良率的關鍵檢測利器。微光顯微鏡的便攜款桌面級設計,方便在生產線現(xiàn)場快速檢測,及時發(fā)現(xiàn)產品問題,減少不合格品流出。檢測用微光顯微鏡按需定制
其內置的圖像分析軟件,可測量亮點尺寸與亮度,為量化評估缺陷嚴重程度提供數(shù)據(jù)。實時成像微光顯微鏡技術參數(shù)
芯片制造工藝復雜精密,從設計到量產的每一個環(huán)節(jié)都可能潛藏缺陷,而失效分析作為測試流程的重要一環(huán),是攔截不合格產品、追溯問題根源的 “守門人”。微光顯微鏡憑借其高靈敏度的光子探測技術,能夠捕捉到芯片內部因漏電、熱失控等故障產生的微弱發(fā)光信號,定位微米級甚至納米級的缺陷。這種檢測能力,能幫助企業(yè)快速鎖定問題所在 —— 無論是設計環(huán)節(jié)的邏輯漏洞,還是制造過程中的材料雜質、工藝偏差,都能被及時發(fā)現(xiàn)。這意味著企業(yè)可以針對性地優(yōu)化生產工藝、改進設計方案,從而提升芯片良率。在當前芯片制造成本居高不下的背景下,良率的提升直接轉化為生產成本的降低,讓企業(yè)在價格競爭中占據(jù)更有利的位置。實時成像微光顯微鏡技術參數(shù)