中清航科IoT平臺通過振動傳感器+電流波形分析,提前72小時(shí)預(yù)警主軸軸承磨損、刀片鈍化等故障。數(shù)字孿生模型模擬設(shè)備衰減曲線,備件更換周期精度達(dá)±5%,設(shè)備綜合效率(OEE)提升至95%。機(jī)械切割引發(fā)的殘余應(yīng)力會導(dǎo)致芯片分層失效。中清航科創(chuàng)新采用超聲波輔助切割,高頻振動(40kHz)使材料塑性分離,應(yīng)力峰值降低60%。該技術(shù)已獲ISO 14649認(rèn)證,適用于汽車電子AEC-Q100可靠性要求。Chiplet架構(gòu)需對同片晶圓分區(qū)切割。中清航科多深度切割系統(tǒng)支持在單次制程中實(shí)現(xiàn)5-200μm差異化切割深度,精度±1.5μm。動態(tài)焦距激光模塊配合高速振鏡,完成異構(gòu)芯片的高效分離。 中清航科切割...
中清航科設(shè)備搭載AI參數(shù)推薦引擎,通過分析晶圓MAP圖自動匹配切割速度、進(jìn)給量及冷卻流量。機(jī)器學(xué)習(xí)模型基于10萬+案例庫持續(xù)優(yōu)化,將工藝調(diào)試時(shí)間從48小時(shí)縮短至2小時(shí),快速響應(yīng)客戶多品種、小批量需求。SiC材料硬度高、脆性大,傳統(tǒng)切割良率不足80%。中清航科采用激光誘導(dǎo)劈裂技術(shù)(LIPS),通過精確控制激光熱影響區(qū)引發(fā)材料沿晶向解理,切割速度達(dá)200mm/s,崩邊<10μm,滿足新能源汽車功率器件嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。中清航科提供從晶圓貼膜、切割到清洗的全流程自動化方案。機(jī)械手聯(lián)動精度±5μm,兼容SECS/GEM協(xié)議實(shí)現(xiàn)MES系統(tǒng)對接。模塊化設(shè)計(jì)支持產(chǎn)能彈性擴(kuò)展,單線UPH(每小時(shí)產(chǎn)能)提升至120片,...
為提升芯片產(chǎn)出量,中清航科通過刀片動態(tài)平衡控制+激光輔助定位,將切割道寬度從50μm壓縮至15μm。導(dǎo)槽設(shè)計(jì)減少材料浪費(fèi),使12英寸晶圓有效芯片數(shù)增加18%,明顯降低單顆芯片制造成本。切割產(chǎn)生的亞微米級粉塵是電路短路的元兇。中清航科集成靜電吸附除塵裝置,在切割點(diǎn)10mm范圍內(nèi)形成負(fù)壓場,配合離子風(fēng)刀清理殘留顆粒,潔凈度達(dá)Class 1標(biāo)準(zhǔn)(>0.3μm顆粒<1個(gè)/立方英尺)。中清航科設(shè)備內(nèi)置AOI(自動光學(xué)檢測)模塊,采用多光譜成像技術(shù)實(shí)時(shí)識別崩邊、微裂紋等缺陷。AI算法在0.5秒內(nèi)完成芯片級判定,不良品自動標(biāo)記,避免后續(xù)封裝資源浪費(fèi),每年可為客戶節(jié)省品質(zhì)成本超百萬。切割冷卻液在線凈化裝置中清...
晶圓切割作為半導(dǎo)體制造流程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),直接影響芯片的良率與性能。中清航科憑借多年行業(yè)積淀,研發(fā)出高精度激光切割設(shè)備,可實(shí)現(xiàn)小切割道寬達(dá) 20μm,滿足 5G 芯片、車規(guī)級半導(dǎo)體等領(lǐng)域的加工需求。其搭載的智能視覺定位系統(tǒng),能實(shí)時(shí)校準(zhǔn)晶圓位置偏差,將切割精度控制在 ±1μm 以內(nèi),為客戶提升 30% 以上的生產(chǎn)效率。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速迭代的當(dāng)下,晶圓材料呈現(xiàn)多元化趨勢,從傳統(tǒng)硅基到碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體,切割工藝面臨更大挑戰(zhàn)。中清航科針對性開發(fā)多材料適配切割方案,通過可調(diào)諧激光波長與動態(tài)功率控制技術(shù),完美解決硬脆材料切割時(shí)的崩邊問題,崩邊尺寸可控制在 5μm 以下,助力第三代半導(dǎo)體器件的規(guī)模...
半導(dǎo)體制造對潔凈度要求嚴(yán)苛,晶圓切割環(huán)節(jié)的微塵污染可能導(dǎo)致芯片失效。中清航科的切割設(shè)備采用全封閉防塵結(jié)構(gòu)與高效 HEPA 過濾系統(tǒng),工作區(qū)域潔凈度達(dá)到 Class 1 標(biāo)準(zhǔn),同時(shí)配備激光誘導(dǎo)等離子體除塵裝置,實(shí)時(shí)清理切割產(chǎn)生的微米級顆粒,使產(chǎn)品不良率降低至 0.1% 以下。在成本控制成為半導(dǎo)體企業(yè)核心競爭力的現(xiàn)在,中清航科通過技術(shù)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)切割耗材的大幅節(jié)約。其自主研發(fā)的金剛石切割刀片,使用壽命較行業(yè)平均水平延長 50%,且通過刀片磨損實(shí)時(shí)監(jiān)測與自動補(bǔ)償技術(shù),減少頻繁更換帶來的停機(jī)損失,幫助客戶降低 20% 的耗材成本,在激烈的市場競爭中構(gòu)筑成本優(yōu)勢。中清航科推出切割工藝保險(xiǎn)服務(wù),承保因切割導(dǎo)致...
中清航科創(chuàng)新性推出“激光預(yù)劃+機(jī)械精切”復(fù)合方案:先以激光在晶圓表面形成引導(dǎo)槽,再用超薄刀片完成切割。此工藝結(jié)合激光精度與刀切效率,解決化合物半導(dǎo)體(如GaAs、SiC)的脆性開裂問題,加工成本較純激光方案降低35%。大尺寸晶圓切割面臨翹曲變形、應(yīng)力集中等痛點(diǎn)。中清航科全自動切割機(jī)配備多軸聯(lián)動補(bǔ)償系統(tǒng),通過實(shí)時(shí)監(jiān)測晶圓形變動態(tài)調(diào)整切割參數(shù)。搭配吸附托盤,將12英寸晶圓平整度誤差控制在±2μm內(nèi),支持3D NAND多層堆疊結(jié)構(gòu)加工。中清航科切割耗材全球供應(yīng)鏈,保障客戶生產(chǎn)連續(xù)性。江蘇12英寸半導(dǎo)體晶圓切割寬度UV膜殘膠導(dǎo)致芯片貼裝失效。中清航科研發(fā)酶解清洗液,在50℃下選擇性分解膠層分子鏈,30...
晶圓切割過程中產(chǎn)生的應(yīng)力可能導(dǎo)致芯片可靠性下降,中清航科通過有限元分析軟件模擬切割應(yīng)力分布,優(yōu)化激光掃描路徑與能量輸出模式,使切割后的晶圓殘余應(yīng)力降低 40%。經(jīng)第三方檢測機(jī)構(gòu)驗(yàn)證,采用該工藝的芯片在溫度循環(huán)測試中表現(xiàn)優(yōu)異,可靠性提升 25%,特別適用于航天航空等應(yīng)用領(lǐng)域。為幫助客戶快速掌握先進(jìn)切割技術(shù),中清航科建立了完善的培訓(xùn)體系。其位于總部的實(shí)訓(xùn)基地配備全套切割設(shè)備與教學(xué)系統(tǒng),可為客戶提供理論培訓(xùn)、實(shí)操演練與工藝調(diào)試指導(dǎo),培訓(xùn)內(nèi)容涵蓋設(shè)備操作、日常維護(hù)、工藝優(yōu)化等方面,確??蛻魣F(tuán)隊(duì)能在短時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)設(shè)備的高效運(yùn)轉(zhuǎn)。切割路徑智能優(yōu)化系統(tǒng)中清航科研發(fā),復(fù)雜芯片布局切割時(shí)間縮短35%。泰州碳化硅半...
為滿足半導(dǎo)體行業(yè)的快速交付需求,中清航科建立了高效的設(shè)備生產(chǎn)與交付體系。采用柔性化生產(chǎn)模式,標(biāo)準(zhǔn)型號切割設(shè)備可實(shí)現(xiàn) 7 天內(nèi)快速發(fā)貨,定制化設(shè)備交付周期控制在 30 天以內(nèi)。同時(shí)提供門到門安裝調(diào)試服務(wù),配備專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)全程跟進(jìn),確保設(shè)備快速投產(chǎn)。在晶圓切割的工藝參數(shù)優(yōu)化方面,中清航科引入實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)方法。通過多因素正交試驗(yàn),系統(tǒng)分析激光功率、切割速度、焦點(diǎn)位置等參數(shù)對切割質(zhì)量的影響,建立參數(shù)優(yōu)化模型,可在 20 組實(shí)驗(yàn)內(nèi)找到比較好工藝組合,較傳統(tǒng)試錯法減少 60% 的實(shí)驗(yàn)次數(shù),加速新工藝開發(fā)進(jìn)程。中清航科推出切割工藝保險(xiǎn)服務(wù),承保因切割導(dǎo)致的晶圓損失?;窗?2英寸半導(dǎo)體晶圓切割廠在碳化硅...
隨著半導(dǎo)體市場需求的快速變化,產(chǎn)品迭代周期不斷縮短,這對晶圓切割的快速響應(yīng)能力提出更高要求。中清航科建立了快速工藝開發(fā)團(tuán)隊(duì),承諾在收到客戶新樣品后 72 小時(shí)內(nèi)完成切割工藝驗(yàn)證,并提供工藝報(bào)告與樣品測試數(shù)據(jù),幫助客戶加速新產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)程,搶占市場先機(jī)。晶圓切割設(shè)備的操作安全性至關(guān)重要,中清航科嚴(yán)格遵循 SEMI S2 安全標(biāo)準(zhǔn),在設(shè)備設(shè)計(jì)中融入多重安全保護(hù)機(jī)制。包括激光安全聯(lián)鎖、急停按鈕、防護(hù)門檢測、過載保護(hù)等,同時(shí)配備安全警示系統(tǒng),實(shí)時(shí)顯示設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)與潛在風(fēng)險(xiǎn),確保操作人員的人身安全與設(shè)備的安全運(yùn)行。中清航科聯(lián)合高校成立切割技術(shù)研究院,突破納米級切割瓶頸。金華sic晶圓切割劃片廠晶圓切割是半...
中清航科的晶圓切割設(shè)備通過了多項(xiàng)國際認(rèn)證,包括 CE、FCC、UL 等,符合全球主要半導(dǎo)體市場的準(zhǔn)入標(biāo)準(zhǔn)。設(shè)備設(shè)計(jì)嚴(yán)格遵循國際安全規(guī)范與電磁兼容性要求,可直接出口至歐美、日韓等地區(qū),為客戶拓展國際市場提供設(shè)備保障。在晶圓切割的刀具校準(zhǔn)方面,中清航科創(chuàng)新采用激光對刀技術(shù)。通過高精度激光束掃描刀具輪廓,自動測量刀具直徑、刃口角度等參數(shù),并與標(biāo)準(zhǔn)值對比,自動計(jì)算補(bǔ)償值,整個(gè)校準(zhǔn)過程只需 3 分鐘,較傳統(tǒng)機(jī)械對刀方式提升效率 80%,且校準(zhǔn)精度更高。切割機(jī)預(yù)測性維護(hù)平臺中清航科上線,關(guān)鍵部件壽命預(yù)警準(zhǔn)確率99%?;窗蔡蓟杈A切割代工廠為滿足汽車電子追溯要求,中清航科在切割機(jī)集成區(qū)塊鏈模塊。每片晶圓生...
面向磁傳感器制造,中清航科開發(fā)超導(dǎo)磁懸浮切割臺。晶圓在強(qiáng)磁場(0.5T)下懸浮,消除機(jī)械接觸應(yīng)力,切割后磁疇結(jié)構(gòu)畸變率<0.3%,靈敏度波動控制在±0.5%。中清航科電化學(xué)回收裝置從切割廢水中提取金/銅/錫等金屬,純度達(dá)99.95%。單條產(chǎn)線年回收貴金屬價(jià)值超$80萬,回收水符合SEMI F78標(biāo)準(zhǔn),實(shí)現(xiàn)零廢液排放。針對HJT電池脆弱電極層,中清航科采用熱激光控制技術(shù)(LCT)。紅外激光精確加熱切割區(qū)至200℃,降低材料脆性,電池效率損失<0.1%,碎片率控制在0.2%以內(nèi)。 切割路徑智能優(yōu)化系統(tǒng)中清航科研發(fā),復(fù)雜芯片布局切割時(shí)間縮短35%。湖州碳化硅半導(dǎo)體晶圓切割...
中清航科飛秒激光雙光子聚合技術(shù):在PDMS基板上直寫三維微流道(最小寬度15μm),切割精度達(dá)±0.25μm,替代傳統(tǒng)光刻工藝,開發(fā)成本降低80%。中清航科推出“切割即服務(wù)”(DaaS):客戶按實(shí)際切割面積付費(fèi)($0.35/英寸),包含設(shè)備/耗材/維護(hù)全包。初始投入降低90%,產(chǎn)能彈性伸縮±50%,適配訂單波動。中清航科共聚焦激光測距系統(tǒng)實(shí)時(shí)監(jiān)測切割深度(分辨率0.1μm),閉環(huán)控制切入量。將150μm晶圓切割深度誤差壓縮至±2μm,背面研磨時(shí)間減少40%。 中清航科多軸聯(lián)動切割頭,適應(yīng)曲面晶圓±15°傾角加工。舟山晶圓切割刀片隨著 Chiplet 技術(shù)的興起,晶圓切割需要更高的位置精...
磷化銦(InP)光子晶圓易產(chǎn)生邊緣散射損耗。中清航科采用等離子體刻蝕輔助裂片技術(shù),切割面垂直度達(dá)89.5°±0.2°,側(cè)壁粗糙度Ra<20nm,插入損耗降低至0.15dB/cm。中清航科SkyEye系統(tǒng)通過5G實(shí)時(shí)回傳設(shè)備運(yùn)行數(shù)據(jù)(振動/電流/溫度),AI引擎15分鐘內(nèi)定位故障根因。遠(yuǎn)程AR指導(dǎo)維修,MTTR(平均修復(fù)時(shí)間)縮短至45分鐘,服務(wù)覆蓋全球36國?;谖^(qū)X射線衍射技術(shù),中清航科繪制切割道殘余應(yīng)力三維分布圖(分辨率10μm),提供量化改進(jìn)方案??蛻粜酒瑹嵫h(huán)壽命提升至5000次(+300%),滿足車規(guī)級AEC-Q104認(rèn)證。切割路徑智能優(yōu)化系統(tǒng)中清航科研發(fā),復(fù)雜芯片布局切割時(shí)間縮短...
當(dāng)晶圓切割面臨復(fù)雜圖形切割需求時(shí),中清航科的矢量切割技術(shù)展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢。該技術(shù)可精確識別任意復(fù)雜切割路徑,包括圓弧、曲線及異形圖案,通過分段速度調(diào)節(jié)確保每一段切割的平滑過渡,切割軌跡誤差控制在 2μm 以內(nèi)。目前已成功應(yīng)用于光電子芯片的精密切割,為 AR/VR 設(shè)備中心器件生產(chǎn)提供有力支持。半導(dǎo)體生產(chǎn)車間的設(shè)備協(xié)同運(yùn)作對通信兼容性要求極高,中清航科的晶圓切割設(shè)備多方面支持 OPC UA 通信協(xié)議,可與主流 MES 系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)交互。通過標(biāo)準(zhǔn)化數(shù)據(jù)接口,將切割進(jìn)度、設(shè)備狀態(tài)、質(zhì)量數(shù)據(jù)等信息實(shí)時(shí)上傳至管理平臺,助力客戶實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)過程的數(shù)字化管控與智能決策。中清航科全自動切割線配備AI視覺定位,精...
磷化銦(InP)光子晶圓易產(chǎn)生邊緣散射損耗。中清航科采用等離子體刻蝕輔助裂片技術(shù),切割面垂直度達(dá)89.5°±0.2°,側(cè)壁粗糙度Ra<20nm,插入損耗降低至0.15dB/cm。中清航科SkyEye系統(tǒng)通過5G實(shí)時(shí)回傳設(shè)備運(yùn)行數(shù)據(jù)(振動/電流/溫度),AI引擎15分鐘內(nèi)定位故障根因。遠(yuǎn)程AR指導(dǎo)維修,MTTR(平均修復(fù)時(shí)間)縮短至45分鐘,服務(wù)覆蓋全球36國?;谖^(qū)X射線衍射技術(shù),中清航科繪制切割道殘余應(yīng)力三維分布圖(分辨率10μm),提供量化改進(jìn)方案。客戶芯片熱循環(huán)壽命提升至5000次(+300%),滿足車規(guī)級AEC-Q104認(rèn)證。超窄街切割方案中清航科實(shí)現(xiàn)30μm道寬,芯片數(shù)量提升18%...
通過拉曼光譜掃描切割道,中清航科提供殘余應(yīng)力分布云圖(分辨率5μm),并推薦退火工藝參數(shù)。幫助客戶將芯片翹曲風(fēng)險(xiǎn)降低70%,服務(wù)已用于10家頭部IDM企業(yè)。中清航科技術(shù)結(jié)合機(jī)械切割速度與激光切割精度:對硬質(zhì)區(qū)采用刀切,對脆弱區(qū)域切換激光加工。動態(tài)切換時(shí)間<0.1秒,兼容復(fù)雜芯片結(jié)構(gòu),加工成本降低28%。舊設(shè)備切割精度不足?中清航科提供主軸/視覺/控制系統(tǒng)三大模塊升級包。更換高剛性主軸(跳動<0.5μm)+12MP智能相機(jī),精度從±10μm提升至±2μm,改造成本只為新機(jī)30%。中清航科等離子切割技術(shù)處理氮化鎵晶圓,熱影響區(qū)減少60%。鹽城半導(dǎo)體晶圓切割廠UV膜殘膠導(dǎo)致芯片貼裝失效。中清航科研發(fā)...
當(dāng)晶圓切割面臨復(fù)雜圖形切割需求時(shí),中清航科的矢量切割技術(shù)展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢。該技術(shù)可精確識別任意復(fù)雜切割路徑,包括圓弧、曲線及異形圖案,通過分段速度調(diào)節(jié)確保每一段切割的平滑過渡,切割軌跡誤差控制在 2μm 以內(nèi)。目前已成功應(yīng)用于光電子芯片的精密切割,為 AR/VR 設(shè)備中心器件生產(chǎn)提供有力支持。半導(dǎo)體生產(chǎn)車間的設(shè)備協(xié)同運(yùn)作對通信兼容性要求極高,中清航科的晶圓切割設(shè)備多方面支持 OPC UA 通信協(xié)議,可與主流 MES 系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)交互。通過標(biāo)準(zhǔn)化數(shù)據(jù)接口,將切割進(jìn)度、設(shè)備狀態(tài)、質(zhì)量數(shù)據(jù)等信息實(shí)時(shí)上傳至管理平臺,助力客戶實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)過程的數(shù)字化管控與智能決策。晶圓切割培訓(xùn)課程中清航科每月開放,已認(rèn)證...
在晶圓切割的產(chǎn)能規(guī)劃方面,中清航科為客戶提供專業(yè)的產(chǎn)能評估服務(wù)。通過產(chǎn)能模擬軟件,根據(jù)客戶的晶圓規(guī)格、日產(chǎn)量需求、設(shè)備利用率等參數(shù),精確計(jì)算所需設(shè)備數(shù)量與配置方案,并提供投資回報(bào)分析,幫助客戶優(yōu)化設(shè)備采購決策,避免產(chǎn)能過?;虿蛔愕膯栴}。針對晶圓切割過程中可能出現(xiàn)的異常情況,中清航科開發(fā)了智能應(yīng)急處理系統(tǒng)。設(shè)備可自動識別切割偏差過大、晶圓破裂等異常狀態(tài),并根據(jù)預(yù)設(shè)方案采取緊急停機(jī)、廢料處理等措施,同時(shí)自動保存異常發(fā)生前的工藝數(shù)據(jù),為后續(xù)問題分析提供依據(jù),比較大限度減少損失。切割路徑智能優(yōu)化系統(tǒng)中清航科研發(fā),復(fù)雜芯片布局切割時(shí)間縮短35%。揚(yáng)州晶圓切割企業(yè)面對全球半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)鏈的不確定性,中清航...
中清航科飛秒激光雙光子聚合技術(shù):在PDMS基板上直寫三維微流道(最小寬度15μm),切割精度達(dá)±0.25μm,替代傳統(tǒng)光刻工藝,開發(fā)成本降低80%。中清航科推出“切割即服務(wù)”(DaaS):客戶按實(shí)際切割面積付費(fèi)($0.35/英寸),包含設(shè)備/耗材/維護(hù)全包。初始投入降低90%,產(chǎn)能彈性伸縮±50%,適配訂單波動。中清航科共聚焦激光測距系統(tǒng)實(shí)時(shí)監(jiān)測切割深度(分辨率0.1μm),閉環(huán)控制切入量。將150μm晶圓切割深度誤差壓縮至±2μm,背面研磨時(shí)間減少40%。 晶圓切割MES系統(tǒng)中清航科定制,實(shí)時(shí)追蹤每片切割工藝參數(shù)。半導(dǎo)體晶圓切割藍(lán)膜通過拉曼光譜掃描切割道,中清航科提供殘余應(yīng)力分布云圖...
中清航科CutSim軟件建立熱-力-流體耦合模型,預(yù)測切割溫度場/應(yīng)力場分布。輸入材料參數(shù)即可優(yōu)化工藝,客戶開發(fā)周期縮短70%,試錯成本下降$50萬/項(xiàng)目。針對MEMS陀螺儀等真空封裝器件,中清航科提供10??Pa級真空切割艙。消除空氣阻尼影響,切割后器件Q值保持率>99.8%,良率提升至98.5%。中清航科AI排程引擎分析晶圓MAP圖,自動規(guī)劃切割路徑與順序。材料利用率提升7%,設(shè)備空閑率下降至8%,支持動態(tài)插單響應(yīng)(切換時(shí)間<5分鐘)。中清航科晶圓切割代工獲ISO 9001認(rèn)證,月產(chǎn)能達(dá)50萬片。杭州藍(lán)寶石晶圓切割寬度對于高價(jià)值的晶圓產(chǎn)品,切割過程中的追溯性尤為重要。中清航科的切割設(shè)備內(nèi)置...
針對小批量多品種的研發(fā)型生產(chǎn)需求,中清航科提供柔性化切割解決方案。其模塊化設(shè)計(jì)的切割設(shè)備可在 30 分鐘內(nèi)完成不同規(guī)格晶圓的換型調(diào)整,配合云端工藝數(shù)據(jù)庫,存儲超過 1000 種標(biāo)準(zhǔn)工藝參數(shù),工程師可快速調(diào)用并微調(diào),大幅縮短新產(chǎn)品導(dǎo)入周期,為科研機(jī)構(gòu)與初創(chuàng)企業(yè)提供靈活高效的加工支持。晶圓切割后的檢測環(huán)節(jié)直接關(guān)系到后續(xù)封裝的質(zhì)量。中清航科將 AI 視覺檢測技術(shù)與切割設(shè)備深度融合,通過深度學(xué)習(xí)算法自動識別切割面的微裂紋、缺口等缺陷,檢測精度達(dá) 0.5μm,檢測速度提升至每秒 300 個(gè) Die,實(shí)現(xiàn)切割與檢測的一體化流程,避免不良品流入下道工序造成的浪費(fèi)。中清航科切割道檢測儀實(shí)時(shí)反饋數(shù)據(jù),動態(tài)調(diào)整切...
在晶圓切割的批量一致性控制方面,中清航科采用統(tǒng)計(jì)過程控制(SPC)技術(shù)。設(shè)備實(shí)時(shí)采集每片晶圓的切割尺寸數(shù)據(jù),通過 SPC 軟件進(jìn)行分析,繪制控制圖,及時(shí)發(fā)現(xiàn)過程中的異常波動,并自動調(diào)整相關(guān)參數(shù),使切割尺寸的標(biāo)準(zhǔn)差控制在 1μm 以內(nèi),確保批量產(chǎn)品的一致性。針對薄晶圓切割后的搬運(yùn)難題,中清航科開發(fā)了無損搬運(yùn)系統(tǒng)。采用特制的真空吸盤與輕柔的取放機(jī)構(gòu),配合視覺引導(dǎo),實(shí)現(xiàn)薄晶圓的平穩(wěn)搬運(yùn),避免搬運(yùn)過程中的彎曲與破損。該系統(tǒng)可集成到切割設(shè)備中,也可作為單獨(dú)模塊與其他設(shè)備對接,提高薄晶圓的處理能力。中清航科推出切割廢料回收服務(wù),晶圓利用率提升至99.1%。杭州sic晶圓切割企業(yè)為滿足半導(dǎo)體行業(yè)的快速交付需...
中清航科創(chuàng)新性推出“激光預(yù)劃+機(jī)械精切”復(fù)合方案:先以激光在晶圓表面形成引導(dǎo)槽,再用超薄刀片完成切割。此工藝結(jié)合激光精度與刀切效率,解決化合物半導(dǎo)體(如GaAs、SiC)的脆性開裂問題,加工成本較純激光方案降低35%。大尺寸晶圓切割面臨翹曲變形、應(yīng)力集中等痛點(diǎn)。中清航科全自動切割機(jī)配備多軸聯(lián)動補(bǔ)償系統(tǒng),通過實(shí)時(shí)監(jiān)測晶圓形變動態(tài)調(diào)整切割參數(shù)。搭配吸附托盤,將12英寸晶圓平整度誤差控制在±2μm內(nèi),支持3D NAND多層堆疊結(jié)構(gòu)加工。晶圓切割大數(shù)據(jù)平臺中清航科開發(fā),實(shí)時(shí)分析10萬+工藝參數(shù)。寧波sic晶圓切割代工廠晶圓切割的工藝參數(shù)設(shè)置需要豐富的經(jīng)驗(yàn)積累,中清航科開發(fā)的智能工藝推薦系統(tǒng),基于千萬級...
晶圓切割作為半導(dǎo)體制造流程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),直接影響芯片的良率與性能。中清航科憑借多年行業(yè)積淀,研發(fā)出高精度激光切割設(shè)備,可實(shí)現(xiàn)小切割道寬達(dá) 20μm,滿足 5G 芯片、車規(guī)級半導(dǎo)體等領(lǐng)域的加工需求。其搭載的智能視覺定位系統(tǒng),能實(shí)時(shí)校準(zhǔn)晶圓位置偏差,將切割精度控制在 ±1μm 以內(nèi),為客戶提升 30% 以上的生產(chǎn)效率。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速迭代的當(dāng)下,晶圓材料呈現(xiàn)多元化趨勢,從傳統(tǒng)硅基到碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體,切割工藝面臨更大挑戰(zhàn)。中清航科針對性開發(fā)多材料適配切割方案,通過可調(diào)諧激光波長與動態(tài)功率控制技術(shù),完美解決硬脆材料切割時(shí)的崩邊問題,崩邊尺寸可控制在 5μm 以下,助力第三代半導(dǎo)體器件的規(guī)模...
磷化銦(InP)光子晶圓易產(chǎn)生邊緣散射損耗。中清航科采用等離子體刻蝕輔助裂片技術(shù),切割面垂直度達(dá)89.5°±0.2°,側(cè)壁粗糙度Ra<20nm,插入損耗降低至0.15dB/cm。中清航科SkyEye系統(tǒng)通過5G實(shí)時(shí)回傳設(shè)備運(yùn)行數(shù)據(jù)(振動/電流/溫度),AI引擎15分鐘內(nèi)定位故障根因。遠(yuǎn)程AR指導(dǎo)維修,MTTR(平均修復(fù)時(shí)間)縮短至45分鐘,服務(wù)覆蓋全球36國?;谖^(qū)X射線衍射技術(shù),中清航科繪制切割道殘余應(yīng)力三維分布圖(分辨率10μm),提供量化改進(jìn)方案??蛻粜酒瑹嵫h(huán)壽命提升至5000次(+300%),滿足車規(guī)級AEC-Q104認(rèn)證。切割機(jī)預(yù)測性維護(hù)平臺中清航科上線,關(guān)鍵部件壽命預(yù)警準(zhǔn)確率9...
GaN材料硬度高且易產(chǎn)生解理裂紋。中清航科創(chuàng)新水導(dǎo)激光切割(Water Jet Guided Laser),利用高壓水柱約束激光束,冷卻與沖刷同步完成。崩邊尺寸<8μm,熱影響區(qū)只2μm,滿足射頻器件高Q值要求。設(shè)備振動導(dǎo)致切割線寬波動。中清航科應(yīng)用主動磁懸浮阻尼系統(tǒng),通過6軸加速度傳感器實(shí)時(shí)生成反向抵消力,將振幅壓制在50nm以內(nèi)。尤其適用于超窄切割道(<20μm)的高精度需求。光學(xué)器件晶圓需避免邊緣微裂紋影響透光率。中清航科紫外皮秒激光系統(tǒng)(波長355nm)配合光束整形模塊,實(shí)現(xiàn)吸收率>90%的冷加工,切割面粗糙度Ra<0.05μm,突破攝像頭模組良率瓶頸。中清航科推出切割工藝保險(xiǎn)服務(wù),承...
面向磁傳感器制造,中清航科開發(fā)超導(dǎo)磁懸浮切割臺。晶圓在強(qiáng)磁場(0.5T)下懸浮,消除機(jī)械接觸應(yīng)力,切割后磁疇結(jié)構(gòu)畸變率<0.3%,靈敏度波動控制在±0.5%。中清航科電化學(xué)回收裝置從切割廢水中提取金/銅/錫等金屬,純度達(dá)99.95%。單條產(chǎn)線年回收貴金屬價(jià)值超$80萬,回收水符合SEMI F78標(biāo)準(zhǔn),實(shí)現(xiàn)零廢液排放。針對HJT電池脆弱電極層,中清航科采用熱激光控制技術(shù)(LCT)。紅外激光精確加熱切割區(qū)至200℃,降低材料脆性,電池效率損失<0.1%,碎片率控制在0.2%以內(nèi)。 切割粉塵回收模塊中清航科集成,重金屬污染減排90%以上。上海sic晶圓切割寬度在晶圓切割的...
晶圓切割的工藝參數(shù)設(shè)置需要豐富的經(jīng)驗(yàn)積累,中清航科開發(fā)的智能工藝推薦系統(tǒng),基于千萬級切割數(shù)據(jù)訓(xùn)練而成。只需輸入晶圓材料、厚度、切割道寬等基本參數(shù),系統(tǒng)就能自動生成比較好的切割方案,包括激光功率、切割速度、聚焦位置等關(guān)鍵參數(shù),新手操作人員也能快速達(dá)到工程師的工藝水平,大幅降低技術(shù)門檻。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對設(shè)備的占地面積有著嚴(yán)格要求,中清航科采用緊湊型設(shè)計(jì)理念,將晶圓切割設(shè)備的占地面積控制在 2 平方米以內(nèi),較傳統(tǒng)設(shè)備減少 40%。在有限空間內(nèi),通過巧妙的結(jié)構(gòu)布局實(shí)現(xiàn)全部功能集成,同時(shí)預(yù)留擴(kuò)展接口,方便后續(xù)根據(jù)產(chǎn)能需求增加模塊,滿足不同規(guī)模生產(chǎn)車間的布局需求。中清航科切割實(shí)驗(yàn)室開放合作,已助力30家企業(yè)工...
在晶圓切割的產(chǎn)能規(guī)劃方面,中清航科為客戶提供專業(yè)的產(chǎn)能評估服務(wù)。通過產(chǎn)能模擬軟件,根據(jù)客戶的晶圓規(guī)格、日產(chǎn)量需求、設(shè)備利用率等參數(shù),精確計(jì)算所需設(shè)備數(shù)量與配置方案,并提供投資回報(bào)分析,幫助客戶優(yōu)化設(shè)備采購決策,避免產(chǎn)能過?;虿蛔愕膯栴}。針對晶圓切割過程中可能出現(xiàn)的異常情況,中清航科開發(fā)了智能應(yīng)急處理系統(tǒng)。設(shè)備可自動識別切割偏差過大、晶圓破裂等異常狀態(tài),并根據(jù)預(yù)設(shè)方案采取緊急停機(jī)、廢料處理等措施,同時(shí)自動保存異常發(fā)生前的工藝數(shù)據(jù),為后續(xù)問題分析提供依據(jù),比較大限度減少損失。晶圓切割應(yīng)急服務(wù)中清航科24小時(shí)響應(yīng),備件儲備超2000種。鎮(zhèn)江半導(dǎo)體晶圓切割企業(yè)中清航科的晶圓切割設(shè)備通過了多項(xiàng)國際認(rèn)證,...
隨著半導(dǎo)體市場需求的快速變化,產(chǎn)品迭代周期不斷縮短,這對晶圓切割的快速響應(yīng)能力提出更高要求。中清航科建立了快速工藝開發(fā)團(tuán)隊(duì),承諾在收到客戶新樣品后 72 小時(shí)內(nèi)完成切割工藝驗(yàn)證,并提供工藝報(bào)告與樣品測試數(shù)據(jù),幫助客戶加速新產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)程,搶占市場先機(jī)。晶圓切割設(shè)備的操作安全性至關(guān)重要,中清航科嚴(yán)格遵循 SEMI S2 安全標(biāo)準(zhǔn),在設(shè)備設(shè)計(jì)中融入多重安全保護(hù)機(jī)制。包括激光安全聯(lián)鎖、急停按鈕、防護(hù)門檢測、過載保護(hù)等,同時(shí)配備安全警示系統(tǒng),實(shí)時(shí)顯示設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)與潛在風(fēng)險(xiǎn),確保操作人員的人身安全與設(shè)備的安全運(yùn)行。晶圓切割MES系統(tǒng)中清航科定制,實(shí)時(shí)追蹤每片切割工藝參數(shù)。溫州碳化硅陶瓷晶圓切割劃片面向磁傳...