中清航科飛秒激光雙光子聚合技術(shù)：在PDMS基板上直寫三維微流道（最小寬度15μm），切割精度達±0.25μm，替代傳統(tǒng)光刻工藝，開發(fā)成本降低80%。中清航科推出“切割即服務(wù)”（DaaS）：客戶按實際切割面積付費（$0.35/英寸），包含設(shè)備/耗材/維護全包。初始投入降低90%，產(chǎn)能彈性伸縮±50%，適配訂單波動。中清航科共聚焦激光測距系統(tǒng)實時監(jiān)測切割深度（分辨率0.1μm），閉環(huán)控制切入量。將150μm晶圓切割深度誤差壓縮至±2μm，背面研磨時間減少40%。

通過拉曼光譜掃描切割道，中清航科提供殘余應(yīng)力分布云圖（分辨率5μm），并推薦退火工藝參數(shù)。幫助客戶將芯片翹曲風(fēng)險降低70%，服務(wù)已用于10家頭部IDM企業(yè)。中清航科技術(shù)結(jié)合機械切割速度與激光切割精度：對硬質(zhì)區(qū)采用刀切，對脆弱區(qū)域切換激光加工。動態(tài)切換時間<0.1秒，兼容復(fù)雜芯片結(jié)構(gòu)，加工成本降低28%。舊設(shè)備切割精度不足？中清航科提供主軸/視覺/控制系統(tǒng)三大模塊升級包。更換高剛性主軸（跳動<0.5μm）+12MP智能相機，精度從±10μm提升至±2μm，改造成本只為新機30%。南通碳化硅陶瓷晶圓切割劃片晶圓切割后清洗設(shè)備中清航科專利設(shè)計，殘留顆粒＜5個/片。

中清航科注重與科研機構(gòu)的合作創(chuàng)新，與國內(nèi)多所高校共建半導(dǎo)體切割技術(shù)聯(lián)合實驗室。圍繞晶圓切割的前沿技術(shù)開展研究，如原子層切割、超高頻激光切割等，已申請發(fā)明專利 50 余項，其中 “一種基于飛秒激光的晶圓超精細切割方法” 獲得國家發(fā)明專利金獎，推動行業(yè)技術(shù)進步。晶圓切割設(shè)備的軟件系統(tǒng)是其智能化的中心，中清航科自主開發(fā)了切割控制軟件，具備友好的人機交互界面與強大的功能。支持多種格式的晶圓版圖文件導(dǎo)入，可自動生成切割路徑，同時提供離線編程功能，可在不影響設(shè)備運行的情況下完成新程序的編制與模擬，提高設(shè)備利用率。

中清航科ESG解決方案：設(shè)備內(nèi)置能源管理模塊，智能調(diào)節(jié)激光功率與主軸轉(zhuǎn)速，單次切割能耗降低42%。碳追蹤平臺每8小時生成減排報告，助力客戶達成碳中和目標(biāo)，已獲全球25家代工廠采購認證。功率器件背面金層在切割中易翹曲。中清航科開發(fā)脈沖電流輔助切割，在刀片-晶圓界面施加微電流（<10mA），瞬時加熱至150℃軟化金層，剝離風(fēng)險下降90%，剪切強度保持>45MPa。中清航科推出粉塵組分診斷系統(tǒng)：通過LIBS（激光誘導(dǎo)擊穿光譜）在線分析顆粒元素構(gòu)成，自動推薦冷卻液配方調(diào)整方案。幫助客戶減少因金屬污染導(dǎo)致的芯片失效，良率提升1.2%。選擇中清航科切割代工服務(wù)，復(fù)雜圖形晶圓損耗降低27%。

針對小批量多品種的研發(fā)型生產(chǎn)需求，中清航科提供柔性化切割解決方案。其模塊化設(shè)計的切割設(shè)備可在 30 分鐘內(nèi)完成不同規(guī)格晶圓的換型調(diào)整，配合云端工藝數(shù)據(jù)庫，存儲超過 1000 種標(biāo)準(zhǔn)工藝參數(shù)，工程師可快速調(diào)用并微調(diào)，大幅縮短新產(chǎn)品導(dǎo)入周期，為科研機構(gòu)與初創(chuàng)企業(yè)提供靈活高效的加工支持。晶圓切割后的檢測環(huán)節(jié)直接關(guān)系到后續(xù)封裝的質(zhì)量。中清航科將 AI 視覺檢測技術(shù)與切割設(shè)備深度融合，通過深度學(xué)習(xí)算法自動識別切割面的微裂紋、缺口等缺陷，檢測精度達 0.5μm，檢測速度提升至每秒 300 個 Die，實現(xiàn)切割與檢測的一體化流程，避免不良品流入下道工序造成的浪費。中清航科切割冷卻系統(tǒng)專利設(shè)計，溫差梯度控制在0.3℃/mm。溫州芯片晶圓切割劃片

MEMS器件晶圓切割中清航科特殊保護層技術(shù)，結(jié)構(gòu)完整率99%。半導(dǎo)體晶圓切割藍膜

為滿足半導(dǎo)體行業(yè)的快速交付需求，中清航科建立了高效的設(shè)備生產(chǎn)與交付體系。采用柔性化生產(chǎn)模式，標(biāo)準(zhǔn)型號切割設(shè)備可實現(xiàn) 7 天內(nèi)快速發(fā)貨，定制化設(shè)備交付周期控制在 30 天以內(nèi)。同時提供門到門安裝調(diào)試服務(wù)，配備專業(yè)技術(shù)團隊全程跟進，確保設(shè)備快速投產(chǎn)。在晶圓切割的工藝參數(shù)優(yōu)化方面，中清航科引入實驗設(shè)計（DOE）方法。通過多因素正交試驗，系統(tǒng)分析激光功率、切割速度、焦點位置等參數(shù)對切割質(zhì)量的影響，建立參數(shù)優(yōu)化模型，可在 20 組實驗內(nèi)找到比較好工藝組合，較傳統(tǒng)試錯法減少 60% 的實驗次數(shù)，加速新工藝開發(fā)進程。半導(dǎo)體晶圓切割藍膜