經(jīng)檢測，本申請制備的膜層的吸收率為93％～97％，比現(xiàn)有技術(shù)中膜層的吸收率提高了3％～9％；本申請制備的膜層的發(fā)射率為3％～5％，比現(xiàn)有技術(shù)中膜層的發(fā)射率降低了3％～12％；膜層的附著力根據(jù)標準要求測試，結(jié)果為1級；本申請制備的膜層的光熱轉(zhuǎn)換的效率為77％～82％，比現(xiàn)有技術(shù)中膜層的光熱轉(zhuǎn)換的效率提高了6％～10％；經(jīng)國家節(jié)能產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心檢測，該六層膜的膜層具有優(yōu)異的性能，**優(yōu)于國家標準要求，太陽吸收比α(am1.5)達0.94，半球發(fā)射比εh(80℃)*為0.038。反應(yīng)性濺鍍制備過渡膜：在第四真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材。西藏高級太陽光譜模擬價格

該儀器能夠快速顯示實時光譜，因此有可能找到具有***多普勒頻移的望遠鏡位置，同時在這些位置記錄更長的曝光光譜，提高信噪比。下圖所示的鐵譜線相隔約5pm，因為這些光譜不是在太陽圓盤的末端拍攝的。太陽自轉(zhuǎn)引起的兩條夫瑯和費鐵線（相對于未移動的氧線）多普勒頻移的測量。在左邊的圖表中，紅色和藍色的線是HF-8989-3光譜儀的實驗數(shù)據(jù)，當時太陽圓盤的圖像通過輸入光纖移動到光譜儀（從一個邊緣到另一個邊緣）。每個實驗光譜的曝光時間<1秒。四川購買太陽光譜模擬報價為了得到高質(zhì)量的化合物薄膜，通常在濺鍍金屬靶時，通入與被濺射出的物質(zhì)反應(yīng)的氣體。

獲取模塊310，用于獲取地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像的尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時刻和拍攝位置高程。***計算模塊320，用于根據(jù)遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時刻和拍攝位置高程，計算地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像拍攝位置的太陽直接輻射強度和太陽散射輻射強度。第二計算模塊330，用于根據(jù)太陽直接輻射強度和太陽散射輻射強度，計算地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像的太陽總輻照強度。第三計算模塊340，用于針對于不同拍攝日期、和/或不同拍攝時間、和/或拍攝位置對應(yīng)的地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像，計算各自對應(yīng)的太陽總輻照強度相互之間的差值，得到各個地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像之間的太陽光照補償值。

具體實施方式為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。本申請?zhí)峁┝艘环N用于選擇性吸收太陽光譜的膜層的制備方法，包括以下依次進行的步驟：1)反應(yīng)性濺鍍制備強化膜：在***真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在吸熱體的基材的外表面上形成強化膜；相反地，如果通入過量的氣體，則不僅在基材上與濺射出的原子進行反應(yīng)，也會在靶面上與靶材反應(yīng)生成化合物。

顯示的區(qū)域約1納米寬，中心在628納米左右。通過*0.7秒的單次曝光記錄太陽光譜的可見區(qū)域，演示了HN-9332光譜儀的寬波長覆蓋范圍。圖的左側(cè)部分顯示了SpectraLoK軟件直接顯示的整個425-700nm波長范圍。圖的右部分顯示了在517nm附近鎂三重態(tài)周圍連續(xù)擴展的區(qū)域。HN-9332光譜儀的儀器分辨率比較好用頻率單位來表示——儀器波長覆蓋范圍約20GHz，對應(yīng)于425nm處約15pm、550nm處約2pμm和700nm處約30pm的分辨率。因此，圖中顯示的數(shù)據(jù)可以理解為相當于>10000個分辨率點，所有這些分辨率點都記錄在不到1秒的單次曝光中。比現(xiàn)有技術(shù)中膜層的光熱轉(zhuǎn)換的效率提高了6％～10％。湖南AM1.5太陽光譜模擬公司

首先，該方法利用了一族基于銻化鎵(GaSb)基底的材料，這常見于紅外激光器和光電探測器等應(yīng)用之中。西藏高級太陽光譜模擬價格

5)反應(yīng)性濺鍍制備吸收膜：在第五真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在步驟4)制得的過渡膜的外表面上形成吸收膜；6)反應(yīng)性濺鍍制備抗反射膜：在第六真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的硅離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成二氧化硅，反應(yīng)生成的二氧化硅沉積在步驟5)制得的吸收膜的外表面上形成抗反射膜，完成后在吸熱體的基材的外表面上制得包括6層的膜層。在本申請的一個實施例中，步驟1)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～200sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的強化膜的厚度為30～120nm。西藏高級太陽光譜模擬價格

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