可選地，根據(jù)拍攝時(shí)刻和地理經(jīng)度，計(jì)算拍攝時(shí)刻的太陽(yáng)時(shí)角，包括：根據(jù)ω(x，t)＝(12-t)×15°-l(x)計(jì)算太陽(yáng)時(shí)角，其中，t為拍攝時(shí)刻，ω(x，t)為坐標(biāo)為(x，y)的像素點(diǎn)在t時(shí)刻對(duì)應(yīng)的太陽(yáng)時(shí)角?？蛇x地，根據(jù)太陽(yáng)赤緯角、太陽(yáng)時(shí)角和地理緯度，計(jì)算拍攝時(shí)刻的太陽(yáng)高度角，包括：根據(jù)α(x，y，d，t)＝arcsin[sinb(y)×sinδ(d)+cosb(y)×cosδ(d)×cosω(x，t)]，計(jì)算太陽(yáng)高度角α(x，y，d，t)?？蛇x地，根據(jù)太陽(yáng)高度角和拍攝位置高程，計(jì)算相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量，包括：根據(jù)其中，z表示地理位置(l(x)，b(y))處的海拔高度，r(α，z)為相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量。反應(yīng)性濺鍍制備緩沖膜：在第三真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材。北京AM0太陽(yáng)光譜模擬AM1.5

根據(jù)拍攝時(shí)刻和所地理經(jīng)度，計(jì)算拍攝時(shí)刻的太陽(yáng)時(shí)角。在本實(shí)施例一可行的方式中，可根據(jù)ω(x，t)＝(12-t)×15°-l(x)(5)計(jì)算太陽(yáng)時(shí)角，其中，t為拍攝時(shí)刻，ω(x，t)為坐標(biāo)為(x，y)的像素點(diǎn)在t時(shí)刻對(duì)應(yīng)的太陽(yáng)時(shí)角。s24，根據(jù)太陽(yáng)赤緯角、太陽(yáng)時(shí)角和地理緯度，計(jì)算拍攝時(shí)刻的太陽(yáng)高度角。在本實(shí)施例一可行的方式中，可根據(jù)α(x，y，d，t)＝arcsin[sinb(y)×sinδ(d)+cosb(y)×cosδ(d)×cosω(x，t)](6)計(jì)算太陽(yáng)高度角α(x，y，d，t)。河南銷售太陽(yáng)光譜模擬AM1堆棧式電池就像是太陽(yáng)光篩子，每層的特制材料吸收特定波長(zhǎng)**的能量。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的模塊、單元中的任意多個(gè)、或其中任意多個(gè)的至少部分功能可以在一個(gè)模塊中實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的模塊、單元中的任意一個(gè)或多個(gè)可以被拆分成多個(gè)模塊來實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的模塊、單元中的任意一個(gè)或多個(gè)可以至少被部分地實(shí)現(xiàn)為硬件電路，例如現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(fpga)、可編程邏輯陣列(pla)、片上系統(tǒng)、基板上的系統(tǒng)、封裝上的系統(tǒng)、**集成電路(asic)，或可以通過對(duì)電路進(jìn)行集成或封裝的任何其他的合理方式的硬件或固件來實(shí)現(xiàn)，或以軟件、硬件以及固件三種實(shí)現(xiàn)方式中任意一種或以其中任意幾種的適當(dāng)組合來實(shí)現(xiàn)?；蛘?，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的模塊、單元中的一個(gè)或多個(gè)可以至少被部分地實(shí)現(xiàn)為計(jì)算機(jī)程序模塊，當(dāng)該計(jì)算機(jī)程序模塊被運(yùn)行時(shí)，可以執(zhí)行相應(yīng)的功能。

1)反應(yīng)性濺鍍制備強(qiáng)化膜：在***真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在吸熱體的基材的外表面上形成強(qiáng)化膜；步驟1)中，吸熱體的基材為不銹鋼片；步驟1)中，靶材為鉻靶，功率為9kw，電壓為500v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為120sccm，氧氣流量為80sccm，制得的強(qiáng)化膜的厚度為70nm；膜厚是根據(jù)工藝要求可調(diào)整的；2)濺鍍制備低發(fā)射率膜：在第二真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的銅離子沉積在步驟1)制得的強(qiáng)化膜的外表面上形成低發(fā)射率膜；比現(xiàn)有技術(shù)中膜層的光熱轉(zhuǎn)換的效率提高了6％～10％。

s25，根據(jù)太陽(yáng)高度角和拍攝位置高程，計(jì)算相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量。在本實(shí)施例一可行的方式中，根據(jù)其中，z表示地理位置(l(x)，b(y))處的海拔高度，r(α，z)為相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量。s26，根據(jù)相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量，計(jì)算直射輻射大氣透明度系數(shù)，并根據(jù)直射輻射大氣透明度系數(shù)，計(jì)算散射輻射大氣透明度系數(shù)。在本實(shí)施例一可行的方式中，根據(jù)τd(α，z)＝0.56×(e-0.56r(α，z)+e-0.096r(α，z))×k1(8)計(jì)算晴天無云條件下的直射輻射大氣透明度系數(shù)，其中，τd(α，z)為所述直射輻射大氣透明度系數(shù)，k1為常系數(shù)，根據(jù)大氣質(zhì)量渾濁程度，取值范圍例如可以為0.8≤k1≤0.9。本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N用于選擇性吸收太陽(yáng)光譜的膜層的制備方法，包括以下依次進(jìn)行的步驟。廣東AM1.5太陽(yáng)光譜模擬AM0

首先，該方法利用了一族基于銻化鎵(GaSb)基底的材料，這常見于紅外激光器和光電探測(cè)器等應(yīng)用之中。北京AM0太陽(yáng)光譜模擬AM1.5

正因?yàn)槿绱?，來自太?yáng)圓盤一側(cè)的光會(huì)因多普勒效應(yīng)而紅移，而另一側(cè)的光會(huì)藍(lán)移。我們可以觀察和理解這些位移，因?yàn)樘?yáng)譜線波長(zhǎng)相對(duì)于大氣氧線的位移——地球大氣吸收產(chǎn)生的氧線相對(duì)于望遠(yuǎn)鏡是靜止的。從太陽(yáng)圓盤邊緣到邊緣的比較大多普勒頻移只有~8pm，因此HF-8989-3的儀器分辨率（~1pm），對(duì)于測(cè)試時(shí)必要的。同時(shí)，LightMachinery光譜儀的快速采集速率也非常有利于這類測(cè)量。與其建立一個(gè)復(fù)雜的成像系統(tǒng)來顯示耦合到光譜儀光纖中的太陽(yáng)圓盤部分，不如簡(jiǎn)單地設(shè)置SpectraLoK軟件，在望遠(yuǎn)鏡從一個(gè)分支掃描到另一個(gè)分支時(shí)，每100毫秒記錄一次新的光譜。北京AM0太陽(yáng)光譜模擬AM1.5

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