大規(guī)模量產(chǎn)場景中,晶圓切割的穩(wěn)定性與一致性至關重要。中清航科推出的全自動切割生產(chǎn)線,集成自動上下料、在線檢測與 NG 品分揀功能,單臺設備每小時可處理 30 片 12 英寸晶圓,且通過工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)平臺實現(xiàn)多設備協(xié)同管控,設備綜合效率(OEE)提升至 90% 以上,明顯降低人工干預帶來的質(zhì)量波動。隨著芯片集成度不斷提高,晶圓厚度逐漸向超薄化發(fā)展,目前主流晶圓厚度已降至 50-100μm,切割過程中極易產(chǎn)生變形與破損。中清航科創(chuàng)新采用低溫輔助切割技術,通過局部深冷處理增強晶圓材料剛性,配合特制真空吸附平臺,確保超薄晶圓切割后的翹曲度小于 20μm,為先進封裝工藝提供可靠的晶圓預處理保障。中清航科多軸聯(lián)動切割頭,適應曲面晶圓±15°傾角加工。晶圓切割藍膜
中清航科創(chuàng)新性推出“激光預劃+機械精切”復合方案:先以激光在晶圓表面形成引導槽,再用超薄刀片完成切割。此工藝結合激光精度與刀切效率,解決化合物半導體(如GaAs、SiC)的脆性開裂問題,加工成本較純激光方案降低35%。大尺寸晶圓切割面臨翹曲變形、應力集中等痛點。中清航科全自動切割機配備多軸聯(lián)動補償系統(tǒng),通過實時監(jiān)測晶圓形變動態(tài)調(diào)整切割參數(shù)。搭配吸附托盤,將12英寸晶圓平整度誤差控制在±2μm內(nèi),支持3D NAND多層堆疊結構加工。鎮(zhèn)江碳化硅線晶圓切割代工廠超窄街切割方案中清航科實現(xiàn)30μm道寬,芯片數(shù)量提升18%。
對于高價值的晶圓產(chǎn)品,切割過程中的追溯性尤為重要。中清航科的切割設備內(nèi)置二維碼追溯系統(tǒng),每片晶圓進入設備后都會生成單獨的二維碼標識,全程記錄切割時間、操作人員、工藝參數(shù)、檢測結果等信息,可通過掃碼快速查詢?nèi)鞒虜?shù)據(jù),為質(zhì)量追溯與問題分析提供完整依據(jù)。在晶圓切割的邊緣處理方面,中清航科突破傳統(tǒng)工藝限制,開發(fā)出激光倒角技術。可在切割的同時完成晶圓邊緣的圓弧處理,倒角半徑可精確控制在 5-50μm 范圍內(nèi),有效減少邊緣應力集中,提高晶圓的機械強度。該技術特別適用于需要多次搬運與清洗的晶圓加工流程。
面對全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈的區(qū)域化布局趨勢,中清航科建立了覆蓋亞洲、歐洲、北美地區(qū)的本地化服務網(wǎng)絡。其 7×24 小時在線技術支持團隊,可通過遠程診斷系統(tǒng)快速定位設備故障,配合就近備件倉庫,將平均故障修復時間(MTTR)控制在 4 小時以內(nèi),確保客戶生產(chǎn)線的連續(xù)穩(wěn)定運行。綠色制造已成為半導體行業(yè)的發(fā)展共識,中清航科在晶圓切割設備的設計中融入多項節(jié)能技術。其研發(fā)的變頻激光電源,能源轉(zhuǎn)換效率達到 92%,較傳統(tǒng)設備降低 30% 的能耗;同時采用水循環(huán)冷卻系統(tǒng),水資源回收率達 95% 以上,幫助客戶實現(xiàn)環(huán)保指標與生產(chǎn)成本的雙重優(yōu)化。中清航科切割液回收系統(tǒng)降低耗材成本35%,符合綠色制造。
中清航科ESG解決方案:設備內(nèi)置能源管理模塊,智能調(diào)節(jié)激光功率與主軸轉(zhuǎn)速,單次切割能耗降低42%。碳追蹤平臺每8小時生成減排報告,助力客戶達成碳中和目標,已獲全球25家代工廠采購認證。功率器件背面金層在切割中易翹曲。中清航科開發(fā)脈沖電流輔助切割,在刀片-晶圓界面施加微電流(<10mA),瞬時加熱至150℃軟化金層,剝離風險下降90%,剪切強度保持>45MPa。中清航科推出粉塵組分診斷系統(tǒng):通過LIBS(激光誘導擊穿光譜)在線分析顆粒元素構成,自動推薦冷卻液配方調(diào)整方案。幫助客戶減少因金屬污染導致的芯片失效,良率提升1.2%。中清航科晶圓切割機支持物聯(lián)網(wǎng)運維,故障響應速度提升60%。蘇州碳化硅線晶圓切割測試
切割機預測性維護平臺中清航科上線,關鍵部件壽命預警準確率99%。晶圓切割藍膜
中清航科開放6條全自動切割產(chǎn)線,支持從8英寸化合物半導體到12英寸邏輯晶圓的來料加工。云端訂單系統(tǒng)實時追蹤進度,平均交貨周期48小時,良率承諾99.2%。先進封裝RDL層切割易引發(fā)銅箔撕裂。中清航科應用超快飛秒激光(脈寬400fs)配合氦氣保護,在銅-硅界面形成納米級熔融區(qū),剝離強度提升5倍。中清航科搭建全球較早切割工藝共享平臺,收錄3000+材料參數(shù)組合。客戶輸入晶圓類型/厚度/目標良率,自動生成比較好參數(shù)包,工藝開發(fā)周期縮短90%。