半導體晶圓芯片的制程主要涵蓋三段：（前段）晶片制造，（中段）芯片制造，（后段）封裝測試。（前段）晶片制造這一過程主要包括：拉單晶、磨外圓、切片、倒角、研磨拋光、清洗、檢測；（中段）晶圓芯片制造主要包括：氧化、擴散等熱處理、薄膜沉積（CVD,PVD）、光刻、刻蝕、離子注入、金屬化、研磨拋光、測試；（后段）封裝測試主要涉及晶圓芯片切割、引線鍵合、塑封、測試等。整個半導體產業(yè)鏈包括IC設計、IC制造、IC封裝測試幾大部分。涉及的關鍵工藝制程和設備包括：光刻、刻蝕、離子注入、薄膜沉積、化學機械拋光、高溫熱處理、封裝、測試等。2025華南國際先進陶瓷展將于9月10-12日在深圳會展中心（福田）2號館盛大開幕！敬請關注！9月10-12日，華南超精超專業(yè)的先進陶瓷展將在深圳福田會展中心隆重展出！9月10日至12日中國上海市先進陶瓷及粉末冶金展覽會

政策與產業(yè)生態(tài)的協(xié)同加速技術轉化。廣東作為華南產業(yè)高地，形成以潮州三環(huán)、深圳康柏為中心的產業(yè)集群，在光通訊陶瓷插芯、5G微波介質陶瓷等領域占據全球30%市場份額。平頂山市出臺專項政策，設立陶瓷產業(yè)扶持基金，推動汝瓷文化與先進材料融合，計劃2025年建成年產500噸氮化鋁粉體的生產線，助力半導體封裝國產化。產學研合作成效突出，清華大學與珂瑪科技聯(lián)合開發(fā)的高導熱氮化硅基板，熱導率突破230W/m?K，已應用于華為基站芯片散熱模塊。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展參觀！2025中國國際先進陶瓷會議先進陶瓷材料如何助力航空航天及新能源等領域？2025華南國際先進陶瓷展，9月深圳福田，等您來一碳究竟！

在各種極端應用環(huán)境下，陶瓷總是能憑借其優(yōu)異的性能脫穎而出，其中，航空航天和**都是先進陶瓷非常火爆的應用市場。而在航空航天市場中，“耐高溫”和“隱身”就是陶瓷的兩條發(fā)展主線。隨著單晶、熱障涂層及主動氣冷的潛力逐漸窮盡，新一代***航空發(fā)動機對新型耐高溫結構材料的需求愈發(fā)迫切，SiC/SiC-CMC成為耐高溫結構材料優(yōu)先之一。碳化硅纖維在SiC/SiC-CMC中起到主要的增強增韌作用，耐溫能力1200℃以上的碳化硅纖維作為SiC/SiC-CMC**關鍵的原材料，成為各航空強國的研究競爭重點。吸波材料是**重要的隱身材料之一，一般由基體材料（或粘結劑）與吸收介質（吸收劑）復合而成。在陶瓷吸波材料中，碳化硅是制作多波段吸波材料的主要成分；陶瓷紅外隱身材料是一種由無機陶瓷納米材料與無機高分子材料復合而成的涂料，通過精細控制無機陶瓷納米粒子均勻分散在無機聚合物基體中，實現高效的寬頻帶電磁波吸波。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展觀展，就在9月10-12日，深圳會展中心（福田）2號館！

據中國汽車工業(yè)協(xié)會***數據，1至11月，我國新能源汽車產銷分別完成625.3萬輛和606.7萬輛，同比均增長約1倍，市場占有率達25%。除了產銷增長幅度遠超市場同期，新能源車的滲透率也已經超過36%，且依然在不斷提升。隨著電動汽車技術的不斷進步，其零部件材料及設計更替加速，先進陶瓷材料憑借其特殊的性能優(yōu)勢在新能源電動汽車的應用中體現的淋漓盡致。其中，HIP氮化硅軸承球和高導熱氮化硅基板極為熱門。新能源汽車的電機軸承相比傳統(tǒng)軸承轉速高，需要密度更低、相對更耐磨的材料，氮化硅陶瓷軸承中的球在軸承組件內產生更少的摩擦、更少的熱量，尤其是氮化硅是天然的電絕緣體，可減少軸承放電產生的電腐蝕，避免出現縮短軸承和潤滑劑的使用壽命，**終導致軸承失效的現象發(fā)生，非常適合應用于電動汽車等領域。氮化硅陶瓷基板主要應用于純電動汽車（EV）與混合動力汽車（HEV）的動力裝置、半導體器件和逆變器等市場領域，具有巨大的市場潛力與應用前景。2025華南國際先進陶瓷展（IACE SHENZHEN 2025）誠邀您參展觀展，就在9月10-12日，深圳會展中心（福田）2號館！搶占黃金流量，多重豪禮震撼觀眾邀約！就在9月10-12日，華南國際先進陶瓷展！

新能源變革為先進陶瓷帶來爆發(fā)式增長。婁底安地亞斯研發(fā)的動力電池陶瓷密封連接器，通過金屬化陶瓷與釬焊技術實現IP68級密封，全球市場占有率達12%，成為比亞迪、奔馳等車企的重要供應商。陶瓷隔膜在鋰電池中的應用使熱失控溫度提升至300℃以上，國瓷材料2024年新能源材料板塊銷量同比增長110.74%，其納米氧化鋁涂層技術已通過寧德時代驗證。在氫燃料電池領域，碳化硅晶須增強氮化硅雙極板耐腐蝕性提升3倍，抗壓強度達800MPa，為下一代電堆設計提供關鍵支撐。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展參觀！產品琳瑯滿目，一應俱全！華南國際先進陶瓷展是采購選品的上佳之選！9月10日先進陶瓷展覽會

國產替代：熱界面材料供需分析與國產化，了解熱界面材料，就在9月華南國際先進陶瓷展！9月10日至12日中國上海市先進陶瓷及粉末冶金展覽會

據在不同溫度下固結的氧化鋁陶瓷的密度，在900℃時(60.3%)，1100℃(81.9%)和1300℃(97.4%)，對應于陶瓷燒結的初始、中間和**終階段。也就是說，無論在燒結的初始階段、中間階段或**終階段，施加振蕩壓力，它都有助于加速致密化。此外，施加振蕩壓力的溫度越高，越有利于致密化。在燒結的中間和***階段使用振蕩壓力也可以促進陶瓷的凝固。在所有三個階段中，暴露于振蕩壓力下的樣品的密度遠高于通過一步躍點或高壓燒結的樣品的密度。通過HP獲得的樣品顯示出比HOP燒結樣品更多孔的結構和更大的晶粒尺寸(1.75±0.27μm)。反過來，在HOP-ALL組的樣品中發(fā)現**小的晶粒尺寸(1.41±0.32μm)。因此，HOP-900、HOP-1100和HOP-1300試樣的粒度介于HP-ALL和HOP-ALL之間。振蕩壓力對晶粒生長的影響可能來自晶界能量的降低或曲率半徑的增加，或兩者兼而有之。OPS燒結樣品的硬度高于HP燒結樣品的硬度；HOP1300的硬度高于HOP-1100和HOP-900。HOP-ALL組ce分支的硬度值比較高(20.98±0.25GPa)?；魻?佩奇效應描述了陶瓷材料的硬度取決于晶粒尺寸和孔隙率。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展觀展！9月10日至12日中國上海市先進陶瓷及粉末冶金展覽會