目前，Ce:YAG高溫閃爍晶體業(yè)已商品化，主要用于掃描電鏡（SEM）的顯示部件，其生長方法主要為提拉法和溫梯法。近年來, Ce:YAG單晶薄膜[84]，以及Ce:YAG陶瓷[85-87]等閃爍體由于有其獨特的優(yōu)勢也備受人們的關注.為了填補我國在高溫閃爍晶體研究領域的空白，本論文選取具有優(yōu)良閃爍性能的Ce:YAP和Ce:YAG高溫閃爍晶體為研究對象，圍繞高溫閃爍晶體存在的主要問題及其發(fā)展趨勢，重點開展了提拉法與溫梯法生長Ce:YAP和Ce:YAG晶體的研究與表征工作。CeYAG晶體還用作陰極射線管的熒光體。山西新型CeYAG晶體批發(fā)廠家

我們采用溫梯法生長了Ce:YAG 晶體，原料采用高純 Y2O3 (5N), CeO2 (5N) 和 Al2O3 (5N) 粉末，按照化學式 (Y0.997Ce0.003)3Al5O12 配料。生長方向 <111>，高純 Ar 氣氛，具體生長方法見第二章所述。如圖 5-1，生長的晶體尺寸為Φ110×80mm，呈黃黑色，主要是由發(fā)熱體質量欠佳造成的碳揮發(fā)物引起的。晶體*在放肩部位有兩處小裂紋，外形絕大部分保持完整。生長出來的晶體經過高溫空氣退火 24 小時后，黑色基本消失。圖 5-2 為晶體切片樣品，樣品經空氣退火后加工，從圖可見在晶體的中心位置仍有少量黑色物質，中心部分的碳污染無法消除說明退火不充分，經再次空氣退火可完全消除。由應力儀下觀察的結果來看，晶體中無明顯應力，也沒有因小面生長現象而產生的**，說明晶體生長過程中固液界面較平。上海雙折射CeYAG晶體批發(fā)廠家CeYAG閃爍晶體是將高能轉換為可見光的一種典型光電轉換材料。

隨著核科學技術，和其他相關技術的快速發(fā)展，無機閃爍體的應用領域不斷擴大。同時，不同的應用領域對無機閃爍體提出了越來越高的要求。研究和開發(fā)高光輸出快速衰減的無機閃爍晶體具有重要的科學研究意義和巨大的經濟效益。因此，近年來，尋找高光輸出快速衰減的無機閃爍晶體成為國內外物理學家和材料科學家的研究熱點之一。不同的應用對無機閃爍晶體有不同的要求。例如，在高能物理(HEP)或中能物理(IEP)實驗中，光輸出并不重要，但它要求晶體具有更快的時間衰減、更大的原子序數和密度等。然而，在PET等應用中，要求閃爍晶體具有高光輸出、快速衰減和高密度。

鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優(yōu)良的熱力學性能以及穩(wěn)定的化學性質等優(yōu)點。因此，鈰離子摻雜的無機氧化物閃爍晶體包括鋁酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽以及磷酸鹽等晶體受到人們的極大重視并被普遍研究。表1-8總結了鈰離子摻雜氧化物閃爍晶體的基本閃爍性能[9]。從表中可以知道，多數鈰離子摻雜的氧化物閃爍晶體具有高光輸出和快衰減等特征，尤其是鈰離子摻雜的鋁酸鹽和硅酸鹽閃爍晶體具有誘人的閃爍性能，如Ce:YAP，Ce:YAG，Ce:LSO和Ce:LuAP等無機閃爍晶體，被譽為新一代高性能無機閃爍晶體Ce:YAG晶體的生長溫度約為1970，生長周期約為15天。

從宏觀上看，直拉法可以生長出完整透明的Ce:YAG閃爍晶體。然而，用提拉法很難獲得大尺寸、高質量的Ce:YAG閃爍晶體。一方面，提拉法生長的晶體尺寸直接受到所用銥坩堝尺寸的限制；另一方面，由于Ce3 (0.118nm)和Y3 (0.106nm)離子的半徑相差較大，且Ce離子在YAG晶體中的偏析系數很小(~ 0.1)，在提拉法生長后期往往會發(fā)生成分過冷，嚴重影響Ce:YAG晶體的質量。為了克服提拉法生長的大尺寸、高質量的碳：釔鋁石榴石閃爍晶體的缺點，我們第1次用溫度梯度法(TGT)成功地生長了一種三英寸的碳：釔鋁石榴石高溫閃爍晶體超薄片CeYAG晶體訂做價格研究表明，Ce:YAG晶體的閃爍性能對Ce3+離子濃度有較強的依賴關系。Ce:YAG閃爍晶體具有比較大光輸出。上海雙折射CeYAG晶體批發(fā)廠家

CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫。山西新型CeYAG晶體批發(fā)廠家

CeYAG晶體，屬于無機閃爍體。無機閃爍晶體研究的真正前奏始于半個世紀前羅伯特霍夫斯塔德發(fā)現NaI(Tl)單晶的優(yōu)異閃爍性能。經過半個多世紀的發(fā)展，無機閃爍晶體不但發(fā)現了性能優(yōu)異的閃爍晶體，如BGO、銫：Na、鋇F2、PWO和鈰Ce:LSO等，而且極大地拓展了閃爍晶體在高能物理和核物理、醫(yī)療、安檢、工業(yè)等領域的應用[2]-[12]；此外，無機閃爍晶體[13]-[23]、[41]、[51]、[56]-[58]的閃爍機制不斷得到改進和發(fā)展，為改進現有閃爍體和尋找性能更好的新型無機閃爍晶體提供了堅實的理論基礎。山西新型CeYAG晶體批發(fā)廠家