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甘肅白光LED用CeYAG晶體生產(chǎn)

來源: 發(fā)布時間:2022-07-23

一種生長CeYAG單晶熒光材料的方法技術(shù),坩堝下降法生長CeYAG單晶熒光材料的方法。該晶體化學(xué)式為:(Y1-x-mAxCem)3(Al1-yBy)5O12;0≤x≤1,0≤y≤1,0≤m≤0.05;其中A為Lu、Tb、Pr、La、Gd中的一種;B為Ga、Ti、Mn、Cr、Zr中的一種。晶體生長爐溫范圍1900~2000℃,坩堝下降方向固液界面的溫度梯度為10~50℃/cm,坩堝下降速率為0.1~5mm/h,籽晶可采用等方向,坩堝直徑為30~120mm,高度為50~200mm。本發(fā)明專利技術(shù)采用坩堝下降法具有操作簡單,成本低,生長的CeYAG晶體體積大、內(nèi)部缺陷少、摻雜濃度高等優(yōu)點。CeYAG晶體,屬于無機閃爍體。甘肅白光LED用CeYAG晶體生產(chǎn)

釔鋁石榴石(Y3Al5O12或YAG)單晶體是優(yōu)良的激光基質(zhì)材料以及光學(xué)襯底材料,例如,Nd:YAG和Yb:YAG激光晶體已經(jīng)廣泛應(yīng)用于工業(yè)、國防醫(yī)療、以及科研等領(lǐng)域。特別是近二十年來,隨著LD泵浦固體激光器的迅猛發(fā)展,國際上對Yb:YAG激光晶體又掀起研究高潮,出現(xiàn)了大量的文獻報道。早期為了發(fā)展可調(diào)諧激光晶體,人們研究了Ce:YAG晶體的光學(xué)特性,由于存在嚴重的激發(fā)態(tài)吸收,使得Ce:YAG的研究停滯不前[。盡管1967年,Blasse已經(jīng)發(fā)現(xiàn)Ce:YAG熒光粉[98]具有優(yōu)良的閃爍性能,但是對其單晶的研究并沒有受到足夠的重視。黑龍江生長CeYAG晶體生產(chǎn)Ce:YAG晶體光產(chǎn)額是多少?

閃爍晶體有其他的說法,你知道嗎?不知道的話就和小編一起來看看吧,閃爍晶體又稱熒光晶體。由放射線激發(fā)產(chǎn)生高效發(fā)光的熒光晶體。當其受到X射線、γ射線或其他荷電粒子輻照時,其中的價電子就會因受到激發(fā)而進入激發(fā)態(tài),即由價帶進入導(dǎo)帶。當電子由導(dǎo)帶自發(fā)躍遷返回價帶時,多余的能量即以熒光形式發(fā)射出來,從而產(chǎn)生熒光。由無機物質(zhì)用提拉法或坩堝下降法生長制成。國際上發(fā)現(xiàn)、研究和開發(fā)了為數(shù)較多的閃爍晶體。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭?/p>

和小編來看看什是CeYAG晶體?基于CeYAG晶體的摻Ce光纖拉制技術(shù),基于管棒法(Rod-in-Tube)技術(shù),以CeYAG晶體作為芯棒,純石英玻璃管作為套管,利用石墨爐,拉絲塔拉制了摻鈰(Ce)光纖.通過X射線能譜(EDX)分析拉制而成的光纖,得到光纖的纖芯變?yōu)椴AР牧希伙@然,像BGO這樣的閃爍晶體有很大的局限性。近期,美國的某公司使用新的閃爍晶體Ce:LSO [29]制作了一個具有高空間和時間分辨率(2毫米、30分鐘和4毫米、10分鐘)的PET原型。Ce:YAG具有快衰減以及在550nm發(fā)射熒光,使得它可以應(yīng)用于中低能量γ射線α粒子的探測等領(lǐng)域!用CeYAG與硅光二極管耦合制成的閃爍探測器可應(yīng)用于低能射線、粒子等輕帶電粒子的探測等核物理實驗。

CeYAG單晶與陶瓷的發(fā)光性能,制備了不同Ce~(3+)摻雜濃度(摩爾分數(shù))的釔鋁石榴石(YAG)單晶和陶瓷,并對激光激發(fā)CeYAG單晶和陶瓷的光通量、光電轉(zhuǎn)換效率、顯色指數(shù)及色溫進行了研究。在電流為2.6A的激光激發(fā)下,Ce~(3+)摻雜濃度為0.3%的陶瓷的光通量較高,為617.2lm;Ce~(3+)摻雜濃度為0.5%的單晶的顯色指數(shù)較高,為62,色溫為5841K。在功率為2.61W、材料中心功率密度達10.8W·mm-2的激光激發(fā)下,CeYAG單晶和陶瓷的光轉(zhuǎn)換均未達到飽和,對應(yīng)的光-光轉(zhuǎn)換效率均約為240lm·W-1。實驗結(jié)果表明,在高功率密度激光激發(fā)下,陶瓷和單晶均適用于產(chǎn)生高亮度白光。CeYAG晶體和透明陶瓷的光學(xué)和閃爍性能,采用溫梯法制備。甘肅白光LED用CeYAG晶體生產(chǎn)

Ce:YAG單片機還可以作為掃描電子顯微鏡的顯示元件。甘肅白光LED用CeYAG晶體生產(chǎn)

CeYAG高溫閃爍晶體主要應(yīng)用在輕粒子探測、α粒子探測、gamma射線探測等領(lǐng)域,另外它還可以應(yīng)用于電子探測成像(SEM)、高分辨率顯微成像熒光屏等領(lǐng)域。目前,可以提供摻雜濃度0.08-1at%摻雜高度透明的CeYAG閃爍晶體。CeYAG閃爍晶體具有快衰減時間(約70ns),而且CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫、熱力學(xué)性能穩(wěn)定,可以應(yīng)用于極端的探測環(huán)境中。CeYAG高溫閃爍晶體主要應(yīng)用在輕粒子探測、α粒子探測、gamma射線探測等領(lǐng)域,另外它還可以應(yīng)用于電子探測成像(SEM)、高分辨率顯微成像熒光屏等領(lǐng)域。甘肅白光LED用CeYAG晶體生產(chǎn)