在光刻膠技術(shù)數(shù)據(jù)表中，會(huì)給出一些參考的曝光劑量值，通常，這里所寫(xiě)的值是用單色i-線或者BB-UV曝光。正膠和負(fù)膠的光反應(yīng)通常是一個(gè)單光子過(guò)程與時(shí)間沒(méi)太大關(guān)系。因此，在原則上需要多長(zhǎng)時(shí)間(從脈沖激光的飛秒到接觸光刻的秒到激光干涉光刻的小時(shí))并不重要，作為強(qiáng)度和時(shí)間的產(chǎn)物，作用在在光刻膠上的劑量是光強(qiáng)與曝光時(shí)間的產(chǎn)物。在增加光強(qiáng)和光刻膠厚度較大的時(shí)候，必須考慮曝光過(guò)程中產(chǎn)生的熱量和氣體（如正膠和圖形反轉(zhuǎn)膠中的N2排放）從光刻膠膜中排出時(shí)間因?yàn)闊崃亢蜌怏w會(huì)導(dǎo)致光刻膠膜產(chǎn)生熱和機(jī)械損傷。襯底的反射率對(duì)光刻膠膜實(shí)際吸收的曝光強(qiáng)度有影響，特別是對(duì)于薄的光學(xué)光刻膠膜。玻璃晶圓的短波光強(qiáng)反射約10%，硅晶片反射約30%，金屬薄膜的反射系數(shù)可超過(guò)90%。哪一種曝光劑量是“比較好”也取決于光刻工藝的要求。有時(shí)候稍微欠曝光可以減小這種襯底反射帶來(lái)的負(fù)面影響。在厚膠情況下，足夠的曝光劑量是后續(xù)合理的較短顯影時(shí)間的保障。光刻過(guò)程中需確保光源、掩模和硅片之間的高精度對(duì)齊。東莞光刻外協(xié)

濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將被刻蝕固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高，是因?yàn)樗褂玫母g液可以非常精確地腐蝕特定薄膜。對(duì)于大多數(shù)刻蝕方案，選擇性大于100:1。濕法腐蝕必須滿足以下要求：1.不得腐蝕掩模層；2.選擇性必須高；3.蝕刻過(guò)程必須能夠通過(guò)用水稀釋來(lái)停止；4.反應(yīng)產(chǎn)物是氣態(tài)的少；5.整個(gè)過(guò)程中的蝕刻速率始終保持恒定；6.反應(yīng)產(chǎn)物一般是可溶，以避免顆粒；7.環(huán)境安全和廢液易于處置。光刻膠的粘度是一個(gè)非常重要的參數(shù)，它對(duì)指導(dǎo)光刻膠的涂膠至為重要。黏度（viscosity）用于衡量光刻膠液體的可流動(dòng)性。天津激光直寫(xiě)光刻光刻主要利用的是光刻膠中光敏分子的單光子吸收效應(yīng)所誘導(dǎo)的光化學(xué)反應(yīng)。

在光學(xué)光刻中，光致抗蝕劑通過(guò)光掩模用紫外光曝光。紫外接觸式曝光機(jī)使用了較短波長(zhǎng)的光（G線435nm，H線405nm，I線365nm）。接觸光刻機(jī)屬于這種光學(xué)光刻。掩膜版的制作則是通過(guò)無(wú)掩膜光刻技術(shù)得到。設(shè)計(jì)圖案由于基本只用一次，一般使用激光直寫(xiě)技術(shù)或者電子束制作掩膜版，通過(guò)激光束在光刻膠上直接掃描曝光出需要的圖形，在經(jīng)過(guò)后續(xù)工藝，得到需要的掩膜版。激光直寫(xiě)系統(tǒng)包括光源，激光調(diào)制系統(tǒng)，變焦透鏡，工件臺(tái)控制系統(tǒng)，計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)等。

在勻膠工藝中，轉(zhuǎn)速的快慢和控制精度直接關(guān)系到旋涂層的厚度控制和膜層均勻性。勻膠機(jī)的轉(zhuǎn)速精度是一項(xiàng)重要的指標(biāo)。用來(lái)吸片的真空泵一般選擇無(wú)油泵，上配有壓力表，同時(shí)現(xiàn)在很多勻膠機(jī)有互鎖，未檢測(cè)的真空將不會(huì)啟動(dòng)。有時(shí)會(huì)出現(xiàn)膠液進(jìn)入真空管道的現(xiàn)象，有的勻膠機(jī)廠商會(huì)在某一段管路加一段"U型"管路，降低異物進(jìn)入真空管道的影響。光刻膠主要應(yīng)用于半導(dǎo)體、顯示面板與印制電路板等三大領(lǐng)域。其中，半導(dǎo)體光刻膠技術(shù)難度高，主要被美日企業(yè)壟斷。據(jù)相關(guān)研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，全球光刻膠市場(chǎng)中，LCD光刻膠、PCB光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠產(chǎn)品占比較為平均。相比之下，中國(guó)光刻膠生產(chǎn)能力主要集中PCB光刻膠，占比高達(dá)約94%；半導(dǎo)體光刻膠由于技術(shù)壁壘較高占約2%。此外，光刻膠是生產(chǎn)28nm、14nm乃至10nm以下制程的關(guān)鍵，被國(guó)外巨頭壟斷，國(guó)產(chǎn)化任重道遠(yuǎn)。實(shí)時(shí)監(jiān)控和反饋系統(tǒng)優(yōu)化了光刻工藝的穩(wěn)定性。

光刻膠原料是光刻膠產(chǎn)業(yè)的重要環(huán)節(jié)，原料的品質(zhì)也決定了光刻膠產(chǎn)品品質(zhì)。光刻膠上游原材料是指光刻膠化學(xué)品一級(jí)原料，可以細(xì)分為感光劑、溶劑、成膜樹(shù)脂及添加劑（助劑、單體等）。在典型的光刻膠組分中，一般溶劑含量占到65%-90%，成膜樹(shù)脂占5%-25%，感光劑及添加劑占15%以下。我國(guó)對(duì)光刻膠及化學(xué)品的研究起步較晚，盡管取得了一定成果，但技術(shù)水平仍與國(guó)際水平相差較大，作為原料的主要化學(xué)品仍然需要依賴進(jìn)口。同時(shí)在當(dāng)前市場(chǎng)中，受光刻膠產(chǎn)品特性影響，光刻膠用原材料更偏向于客制化產(chǎn)品，原材料需要滿足特定的分析結(jié)構(gòu)、分子量、純度以及粒徑控制等。勻膠機(jī)的轉(zhuǎn)速精度是一項(xiàng)重要的指標(biāo)。河南低線寬光刻

曝光后烘烤是化學(xué)放大膠工藝中關(guān)鍵，也是反應(yīng)機(jī)理復(fù)雜的一道工序。東莞光刻外協(xié)

剝離工藝（lift-off）是指在有光刻膠圖形的掩膜上鍍膜后，再去除光刻膠獲得圖案化的金屬的工藝。在剝離工藝中，有幾種關(guān)鍵因素影響得到的金屬形貌。1.光刻膠的厚度。光刻膠厚度需大于金屬厚度，一般光刻膠厚度在金屬厚度的三倍以上膠面上的金屬更易成功剝離。2.光刻膠種類。紫外光刻中，正膠光刻膠一般為“正梯形”，負(fù)膠光刻膠側(cè)壁形貌一般為“倒梯性”。“倒梯形”的光刻膠更容易剝離，故在剝離工藝中常使用負(fù)膠。3.鍍膜工藝。蒸發(fā)鍍膜相比濺射鍍膜在光刻膠側(cè)壁更少鍍上金屬，因此蒸發(fā)鍍膜更易剝離。東莞光刻外協(xié)