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來源: 發(fā)布時間:2023-01-18

反應性濺鍍制備緩沖膜:在第三真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來的鉻離子與通入的氮氣發(fā)生化學反應生成氮化鉻,反應生成的氮化鉻沉積在步驟2)制得的低發(fā)射率膜的外表面上形成緩沖膜;4)反應性濺鍍制備過渡膜:在第四真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣與氮氣發(fā)生化學反應生成氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻,反應生成的氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻沉積在步驟3)制得的緩沖膜的外表面上形成過渡膜;5)反應性濺鍍制備吸收膜:在第五真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學反應生成氧化鉻,反應生成的氧化鉻沉積在步驟4)制得的過渡膜的外表面上形成吸收膜;反應性濺鍍制備強化膜:在***真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材。新疆購買太陽光譜模擬AM1.5

該儀器能夠快速顯示實時光譜,因此有可能找到具有***多普勒頻移的望遠鏡位置,同時在這些位置記錄更長的曝光光譜,提高信噪比。下圖所示的鐵譜線相隔約5pm,因為這些光譜不是在太陽圓盤的末端拍攝的。太陽自轉(zhuǎn)引起的兩條夫瑯和費鐵線(相對于未移動的氧線)多普勒頻移的測量。在左邊的圖表中,紅色和藍色的線是HF-8989-3光譜儀的實驗數(shù)據(jù),當時太陽圓盤的圖像通過輸入光纖移動到光譜儀(從一個邊緣到另一個邊緣)。每個實驗光譜的曝光時間<1秒。福建上打光太陽光譜模擬公司膜層包括6層,從下到上依次為氧化鉻材質(zhì)的強化膜。

用于比較光譜儀分辨能力的兩條氧氣譜線用箭頭標識(實驗數(shù)據(jù)以紅色顯示,并與文獻中的參考光譜進行了比較。右側(cè)顯示629.216nm處氧線的放大視圖,以及紅色He-Ne激光器(632.816nm處的單頻源)的光譜的插圖。03測量太陽自轉(zhuǎn)引起的多普勒頻移由于太陽吸收線和大氣氧線在太陽光譜的某些區(qū)域非常接近,這種接近可以通過測量太陽吸收線相對于固定氧線的多普勒頻移來確定太陽的旋轉(zhuǎn)速度,從而確定地球和太陽之間的當前距離。進行這項實驗所需的***設備是高頻光譜儀和太陽望遠鏡。當太陽相對于地球自轉(zhuǎn)時,太陽圓盤的一個分支朝著地球移動,而另一個分支后退。

HN-9332儀器的寬波長覆蓋范圍允許在整個光譜的可見區(qū)域進行快速的“測量”光譜。然而,許多夫瑯和費譜線和大多數(shù)大氣譜線都比HN-9332儀器的分辨率窄。需要更高分辨率的光譜儀來詳細檢查太陽光譜的感興趣區(qū)域;例如HF-8989。02高分辨率太陽光譜下圖顯示了太陽光譜中一個特別有趣的區(qū)域。這個位于689nm附近的區(qū)域主要是由地球大氣中的氧氣引起的大地吸收。在這里,可以清楚地觀察到氧帶的R-和P-分支中的單個吸收線,較強的吸收線在線中心顯示~100%的吸收。左邊是一個高分辨率的太陽光譜,它是用629nm波段的HF-8989-3光譜儀拍攝的。雖然科學家們?yōu)榱藢崿F(xiàn)更具效率的太陽能電池已經(jīng)努力多年,這一方法具有兩個創(chuàng)新之處。

根據(jù)本發(fā)明的實施例的模塊、單元中的任意多個、或其中任意多個的至少部分功能可以在一個模塊中實現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明實施例的模塊、單元中的任意一個或多個可以被拆分成多個模塊來實現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明實施例的模塊、單元中的任意一個或多個可以至少被部分地實現(xiàn)為硬件電路,例如現(xiàn)場可編程門陣列(fpga)、可編程邏輯陣列(pla)、片上系統(tǒng)、基板上的系統(tǒng)、封裝上的系統(tǒng)、**集成電路(asic),或可以通過對電路進行集成或封裝的任何其他的合理方式的硬件或固件來實現(xiàn),或以軟件、硬件以及固件三種實現(xiàn)方式中任意一種或以其中任意幾種的適當組合來實現(xiàn)。或者,根據(jù)本發(fā)明實施例的模塊、單元中的一個或多個可以至少被部分地實現(xiàn)為計算機程序模塊,當該計算機程序模塊被運行時,可以執(zhí)行相應的功能。經(jīng)檢測,本申請制備的膜層的吸收率為93%~97%,比現(xiàn)有技術中膜層的吸收率提高了3%~9%。天津高級太陽光譜模擬價格

雖然所用的材料花費很大,但用于制造這種電池的技術很有前途。新疆購買太陽光譜模擬AM1.5

在本實施例一可行的方式中,根據(jù)計算坐標為(x,y)的像素點對應的地理經(jīng)度l(x)。根據(jù)計算坐標為(x,y)的像素點對應的地理緯度b(y);其中,(b0,l0)為坐標值(0,0)為的像素點對應的地理坐標。s22,根據(jù)拍攝日期,計算拍攝日期對應的太陽赤緯角和大氣層上界垂直入射時的太陽輻射強度。在本實施例一可行的方式中,可根據(jù)計算太陽赤緯角。根據(jù)計算大氣層上界垂直入射時,太陽輻射強度。其中,d表示計算拍攝日期在一年中所處的天數(shù),即將每年的一月一日當做***天。δ(d)為太陽赤緯角,e(d)為太陽輻射強度。新疆購買太陽光譜模擬AM1.5

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