在硅光芯片領域，芯片耦合封裝問題是硅光子芯片實用化過程中的關鍵問題，芯片性能的測試也是至關重要的一步驟，現有的硅硅光芯片耦合測試系統(tǒng)系統(tǒng)是將硅光芯片的輸入輸出端硅光纖置于顯微鏡下靠人工手工移動微調架轉軸進行調硅光，并依靠對輸出硅光的硅光功率進行監(jiān)控，再反饋到微調架端進行調試。芯片測試則是將測試設備按照一定的方式串聯連接在一起，形成一個測試站。具體的，所有的測試設備通過硅光纖，設備連接線等連接成一個測試站。例如將VOA硅光芯片的發(fā)射端通過硅光纖連接到硅光功率計，使用硅硅光芯片耦合測試系統(tǒng)就可以測試硅光芯片的發(fā)端硅光功率。將硅光芯片的發(fā)射端通過硅光線連接到硅光譜儀，就可以測試硅光芯片的硅光譜等。端面耦合方案一,在硅光芯片的端面處進行刻蝕,形成v型槽陣列。北京振動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)價格

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)應用到硅光芯片，我們一起來了解硅光芯片的市場定位：光芯片作為光通信系統(tǒng)中的中心器件，它承擔著將電信號轉換成光信號或將光信號轉換成電信號的重任，除了外加能源驅動工作，光器件的轉換能力和效率決定著通信速度。為什么未來需要硅光芯片，這是由于隨著5G時代的到來，芯片對傳輸速率和穩(wěn)定性要求更高，硅光芯片相比傳統(tǒng)硅芯的性能更好，在通信器件的高級市場上，硅光芯片的作用更加明顯。未來人們對流量的速度要求比較高，作為技術運營商，5G的密集組網對硅光芯片的需求大增。之所以說硅光芯片定位通信器件的高級市場，這是由于未來的5G將應用在生命科學、超算、量子大數據、無人駕駛等，這些領域對通訊的要求更高，不同于4G網絡，零延時、無差錯是較基本的要求。目前，國內中心的光芯片及器件依然嚴重依賴于進口，高級光芯片與器件的國產化率不超過10%，這是國內加大研究光芯的內在驅動力。北京振動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)價格硅光芯片的具有集成度高、成本低、傳輸線更好等特點。

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)中應用到的硅光芯片是將硅光材料和器件通過特殊工藝制造的集成電路，主要由光源、調制器、探測器、無源波導器件等組成，將多種光器件集成在同一硅基襯底上。硅光芯片的具有集成度高、成本低、傳輸帶寬更高等特點，因為硅光芯片以硅作為集成芯片的襯底，所以能集成更多的光器件；在光模塊里面，光芯片的成本非常高，但隨著大規(guī)模生產的實現，硅光芯片的低成本成了巨大優(yōu)勢；硅光芯片的傳輸性能好，因為硅光材料折射率差更大，可以實現高密度的波導和同等面積下更高的傳輸帶寬。

基于設計版圖對硅光芯片進行光耦合測試的方法及系統(tǒng)進行介紹,該方法包括:讀取并解析設計版圖,得到用于構建芯片圖形的坐標簇數據,驅動左側光纖對準第1測試點,獲取與第1測試點相對應的測試點圖形的第1選中信息,驅動右側光纖對準第二測試點,獲取與第二測試點相對應的測試點圖形的第二選中信息,獲取與目標測試點相對應的測試點圖形的第三選中信息,通過測試點圖形與測試點的對應關系確定目標測試點的坐標,以驅動左或右側光纖到達目標測試點,進行光耦合測試;該系統(tǒng)包括上位機,電機控制器,電機,夾持載臺及相機等;本發(fā)明具有操作簡單,耗時短,對用戶依賴程度低等優(yōu)點,能夠極大提高硅光芯片光耦合測試的便利性。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)優(yōu)點：價格實惠。

伴隨著光纖通信技術的快速發(fā)展,小到芯片間,大到數據中心間的大規(guī)模數據交換處理,都迫切需求高速,可靠,低成本,低功耗的互聯。目前,主流的光互聯技術分為兩類。一類是基于III-V族半導體材料,另一類是基于硅等與現有的成熟的微電子CMOS工藝兼容的材料?；贗II-V族半導體材料的光互聯技術,在光學性能方面較好,但是其成本高,工藝復雜,加工困難,集成度不高的缺點限制了未來大規(guī)模光電子集成的發(fā)展。硅光芯片器件可將光子功能和智能電子結合在一起以提供潛力巨大的高速光互聯的解決方案。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)優(yōu)點：測試精確。北京振動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)價格

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)硅光芯片的好處：支持流水線操作，使取指、譯碼和執(zhí)行等操作可以重疊執(zhí)行。北京振動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)價格

經過多年發(fā)展,硅光芯片耦合測試系統(tǒng)如今已經成為受到普遍關注的熱點研究領域。利用硅的高折射率差和成熟的制造工藝,硅光子學被認為是實現高集成度光子芯片的較佳選擇。但是,硅光子學也有其固有的缺點,比如缺乏高效的硅基有源器件,極低的光纖-波導耦合效率以及硅基波導明顯的偏振相關性等都制約著硅光子學的進一步發(fā)展。針對這些問題,試圖通過新的嘗試給出一些全新的解決方案。首先我們回顧了一些光波導的數值算法,并在此基礎上開發(fā)了一個基于柱坐標系的有限差分模式分析器,它非常適合于分析彎曲波導的本征模場。對于復雜光子器件結構的分析,我們主要利用時域有限差分以及波束傳播法等數值工具。接著我們回顧了硅基光子器件各項主要的制造工藝和測試技術。重點介紹了幾種基于超凈室設備的關鍵工藝,如等離子增強化學氣相沉積,電子束光刻以及等離子體干法刻蝕。為了同時獲得較高的耦合效率以及較大的對準容差,本論文主要利用垂直耦合系統(tǒng)作為光子器件的主要測試方法。北京振動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)價格