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熱紅外成像鎖相紅外熱成像系統(tǒng)應(yīng)用

來源: 發(fā)布時間:2025-08-05

在產(chǎn)品全壽命周期中,失效分析以解決失效問題、確定根本原因?yàn)槟繕?biāo)。通過對失效模式開展綜合性試驗(yàn)分析,它能定位失效部位,厘清失效機(jī)理——無論是材料劣化、結(jié)構(gòu)缺陷還是工藝瑕疵引發(fā)的問題,都能被系統(tǒng)拆解。在此基礎(chǔ)上,進(jìn)一步提出針對性糾正措施,從源頭阻斷失效的重復(fù)發(fā)生。作為貫穿產(chǎn)品質(zhì)量控制全流程的關(guān)鍵環(huán)節(jié),失效分析的價(jià)值體現(xiàn)在對全鏈條潛在風(fēng)險(xiǎn)的追溯與排查:在設(shè)計(jì)(含選型)階段,可通過模擬失效驗(yàn)證方案合理性;制造環(huán)節(jié),能鎖定工藝偏差導(dǎo)致的批量隱患;使用過程中,可解析環(huán)境因素對性能衰減的影響;質(zhì)量管理層面,則為標(biāo)準(zhǔn)優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支撐。電激勵的脈沖寬度與鎖相熱成像系統(tǒng)采樣頻率需匹配,通過參數(shù)優(yōu)化可大幅提高檢測信號的信噪比和清晰度。熱紅外成像鎖相紅外熱成像系統(tǒng)應(yīng)用

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致晟光電推出的多功能顯微系統(tǒng),創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)熱紅外與微光顯微鏡的集成設(shè)計(jì),搭配靈活可選的制冷/非制冷模式,可根據(jù)您的實(shí)際需求定制專屬配置方案。這套設(shè)備的優(yōu)勢在于一體化集成能力:只需一套系統(tǒng),即可同時搭載可見光顯微鏡、熱紅外顯微鏡及InGaAs微光顯微鏡三大功能模塊。這種設(shè)計(jì)省去了多設(shè)備切換的繁瑣,更通過硬件協(xié)同優(yōu)化提升了整體性能,讓您在同一平臺上輕松完成多波段觀測任務(wù)。相比單獨(dú)購置多套設(shè)備,該集成系統(tǒng)能大幅降低采購與維護(hù)成本,在保證檢測精度的同時,為實(shí)驗(yàn)室節(jié)省空間與預(yù)算,真正實(shí)現(xiàn)性能與性價(jià)比的雙重提升。失效分析鎖相紅外熱成像系統(tǒng)探測器鎖相檢測模塊功能是通過與電激勵信號的同步鎖相處理,從熱像序列中提取與激勵頻率一致的溫度波動分量。

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鎖相熱成像系統(tǒng)的電激勵方式在電子產(chǎn)業(yè)的多層電路板檢測中優(yōu)勢明顯,為多層電路板的生產(chǎn)質(zhì)量控制提供了高效解決方案。多層電路板由多個導(dǎo)電層和絕緣層交替疊加而成,層間通過過孔實(shí)現(xiàn)電氣連接,結(jié)構(gòu)復(fù)雜,在生產(chǎn)過程中容易出現(xiàn)層間短路、盲孔堵塞、絕緣層破損等缺陷。這些缺陷會導(dǎo)致電路板的電氣性能下降,甚至引發(fā)短路故障。電激勵能夠通過不同層的線路施加電流,使電流在各層之間流動,缺陷處會因電流分布異常而產(chǎn)生溫度變化。鎖相熱成像系統(tǒng)可以通過檢測層間的溫度變化,精細(xì)定位缺陷的位置和類型。例如,檢測層間短路時,系統(tǒng)會發(fā)現(xiàn)短路點(diǎn)處的溫度明顯高于周圍區(qū)域;檢測盲孔堵塞時,會發(fā)現(xiàn)對應(yīng)位置的溫度分布異常。與傳統(tǒng)的 X 射線檢測相比,該系統(tǒng)的檢測速度更快,成本更低,而且能夠直觀地顯示缺陷的位置,助力多層電路板生產(chǎn)企業(yè)提高質(zhì)量控制水平。

在半導(dǎo)體行業(yè)飛速發(fā)展的現(xiàn)在,芯片集成度不斷提升,器件結(jié)構(gòu)日益復(fù)雜,失效分析的難度也隨之大幅增加。傳統(tǒng)檢測設(shè)備往往難以兼顧微觀觀測與微弱信號捕捉,導(dǎo)致許多隱性缺陷成為 “漏網(wǎng)之魚”。蘇州致晟光電科技有限公司憑借自主研發(fā)實(shí)力,將熱紅外顯微鏡與鎖相紅外熱成像系統(tǒng)創(chuàng)造性地集成一體,推出 Thermal EMMI P 熱紅外顯微鏡系列檢測設(shè)備(搭載自主研發(fā)的 RTTLIT (實(shí)時瞬態(tài)鎖相紅外系統(tǒng)),為半導(dǎo)體的失效分析提供了全新的技術(shù)范式。


三維可視化通過相位信息實(shí)現(xiàn)微米級深度定位功能,能夠無盲區(qū)再現(xiàn)被測物內(nèi)部構(gòu)造。

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光束誘導(dǎo)電阻變化(OBIRCH)功能與微光顯微鏡(EMMI)技術(shù)常被集成于同一檢測系統(tǒng),合稱為光發(fā)射顯微鏡(PEM,PhotoEmissionMicroscope)。二者在原理與應(yīng)用上形成巧妙互補(bǔ),能夠協(xié)同應(yīng)對集成電路中絕大多數(shù)失效模式,大幅提升失效分析的全面性與效率。OBIRCH技術(shù)的獨(dú)特優(yōu)勢在于,即便失效點(diǎn)被金屬層覆蓋形成“熱點(diǎn)”,其仍能通過光束照射引發(fā)的電阻變化特性實(shí)現(xiàn)精細(xì)檢測——這恰好彌補(bǔ)了EMMI在金屬遮擋區(qū)域光信號捕捉受限的不足。電激勵激發(fā)缺陷熱特征,鎖相熱成像系統(tǒng)識別。芯片用鎖相紅外熱成像系統(tǒng)哪家好

高靈敏度紅外相機(jī)( mK 級),需滿足高幀率(至少為激勵頻率的 2 倍,遵循采樣定理)以捕捉周期性溫度變化。熱紅外成像鎖相紅外熱成像系統(tǒng)應(yīng)用

致晟光電的一體化檢測設(shè)備,不僅是技術(shù)的集成,更是對半導(dǎo)體失效分析邏輯的重構(gòu)。它讓 “微觀觀測” 與 “微弱信號檢測” 不再是選擇題,而是能同時實(shí)現(xiàn)的標(biāo)準(zhǔn)配置。在國產(chǎn)替代加速推進(jìn)的背景下,這類自主研發(fā)的失效分析檢測設(shè)備,正逐步打破國外品牌在半導(dǎo)體檢測領(lǐng)域的技術(shù)壟斷,為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展提供堅(jiān)實(shí)的設(shè)備支撐。未來隨著第三代半導(dǎo)體、Micro LED 等新興領(lǐng)域的崛起,對失效分析的要求將進(jìn)一步提升,而致晟光電的技術(shù)探索,無疑為行業(yè)提供了可借鑒的創(chuàng)新路徑。熱紅外成像鎖相紅外熱成像系統(tǒng)應(yīng)用