管式爐在金屬硅化物（如TiSi?、CoSi?）形成中通過(guò)退火工藝促進(jìn)金屬與硅的固相反應(yīng)，典型溫度400℃-800℃，時(shí)間30-60分鐘，氣氛...
管式爐精確控制的氧化層厚度和質(zhì)量，直接影響到蝕刻過(guò)程中掩蔽的效果。如果氧化層厚度不均勻或存在缺陷，可能會(huì)導(dǎo)致蝕刻過(guò)程中出現(xiàn)過(guò)刻蝕或蝕刻不足的...
氧化工藝中管式爐的不可替代性：熱氧化是半導(dǎo)體器件制造的基礎(chǔ)步驟，管式爐在干氧/濕氧氧化中表現(xiàn)優(yōu)異。干氧氧化（如1000°C下生成SiO?）生...
管式爐在半導(dǎo)體材料研發(fā)中扮演著重要角色。在新型半導(dǎo)體材料，如碳化硅（SiC）的研究中，其燒結(jié)溫度高達(dá) 2000℃以上，需使用特種管式爐。通過(guò)...
賽瑞達(dá)智能電子裝備(無(wú)錫)有限公司于2021年9月由原青島賽瑞達(dá)電子裝備股份有限公司重組，引入新的投資而改制設(shè)立的。公司位于無(wú)錫市錫山經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)，注冊(cè)資本6521.74萬(wàn)元，是一家專(zhuān)注于研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售和服務(wù)的半導(dǎo)體工藝設(shè)備和光伏電池設(shè)備的裝備制造企業(yè)。 公司主要產(chǎn)品有：半導(dǎo)體工藝設(shè)備、硅基集成電路和器件工藝設(shè)備、LED工藝設(shè)備、碳化硅、氮化鎵工藝設(shè)備、納米、磁性材料工藝設(shè)備、航空航天工藝設(shè)備等。并可根據(jù)用戶(hù)需求提供定制化的設(shè)備和工藝解決方案。公司秉承“助產(chǎn)業(yè)發(fā)展，創(chuàng)美好未來(lái)”的使命，專(zhuān)精于半導(dǎo)體智能裝備的研發(fā)制造，致力于成為半導(dǎo)體裝備的重要品牌?！百|(zhì)量、誠(chéng)信、創(chuàng)新、服務(wù)、共贏”是我們的重要價(jià)值觀，我們將始終堅(jiān)持“質(zhì)量是企業(yè)的生命，誠(chéng)信是立足的根本，服務(wù)是發(fā)展的保障，不斷創(chuàng)新是賽瑞達(dá)永恒的追求”的經(jīng)營(yíng)理念，持續(xù)經(jīng)營(yíng)，為廣大客戶(hù)創(chuàng)造價(jià)值，和員工共同發(fā)展。
