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20V產(chǎn)品主要用于手機(jī)、移動(dòng)電源、可穿戴設(shè)備及消費(fèi)類領(lǐng)域； 30V產(chǎn)品主要用于PC主板和顯卡、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、BMS、電動(dòng)工具、無線充； 40V產(chǎn)品主要用于無人機(jī)、BMS、電動(dòng)工具、汽車電子； 60V產(chǎn)品主要用于馬達(dá)控制、BMS、UPS、汽車雨刷、汽車音響； 80-250V產(chǎn)品主要用于低壓系統(tǒng)新能源汽車、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、逆變器、儲(chǔ)能、BMS、LED、PD Charger；600V以上產(chǎn)品主要用于工業(yè)電源、并網(wǎng)逆變、充電樁、家電、高壓系統(tǒng)新能源汽車； 600V以上產(chǎn)品主要用于工業(yè)電源、并網(wǎng)逆變、充電樁、家電、高壓系統(tǒng)新能源汽車； 公司秉承：“致力于功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)與營...

SGT MOS管是國產(chǎn)功率半導(dǎo)體在先進(jìn)技術(shù)領(lǐng)域的突破。它將低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷、優(yōu)異開關(guān)性能與高可靠性集于一身，是追求效率和功率密度的現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的理想選擇。無論是應(yīng)對(duì)嚴(yán)苛的能效挑戰(zhàn)，還是實(shí)現(xiàn)高頻小型化設(shè)計(jì)，亦或是構(gòu)建更穩(wěn)定可靠的系統(tǒng)，商甲半導(dǎo)體 SGT MOS管都展現(xiàn)出強(qiáng)大的“芯”實(shí)力，成為工程師設(shè)計(jì)下一代高效能產(chǎn)品的有力武器。 選擇商甲半導(dǎo)體 SGT MOS管，就是選擇高效、可靠、自主可控的功率解決方案。 600V以上產(chǎn)品主要用于工業(yè)電源、并網(wǎng)逆變、充電樁、家電、高壓系統(tǒng)新能源汽車；公司秉承：“致力于功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)與營銷，參與和傳承功率半導(dǎo)體的發(fā)展”的愿景，堅(jiān)持“質(zhì)...

MOS管選型指南 封裝因素考量 封裝方式影響散熱性能和電流承載能力，選擇需考慮系統(tǒng)散熱條件和環(huán)境溫度。在構(gòu)成開關(guān)電路時(shí)，不同尺寸的MOS管封裝會(huì)影響其熱阻和耗散功率。因此，必須綜合考慮系統(tǒng)的散熱條件、環(huán)境溫度以及散熱器的形狀和大小限制?；驹瓌t是，在確保功率MOS管的溫升和系統(tǒng)效率不受影響的前提下，選擇參數(shù)和封裝更為通用的功率MOS管。在開關(guān)電路的設(shè)計(jì)中，我們常常需要關(guān)注MOS管的封裝方式。根據(jù)不同的應(yīng)用需求，可以選擇不同類型的封裝。例如，插入式封裝包括TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251和TO-92等；而表面貼裝式封裝則涵蓋TO-263、TO-...

無錫商甲半導(dǎo)體有限公司為一家功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司,專業(yè)從事各類高性能MOSFET、IGBT、SIC產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。總部位于江蘇省無錫市經(jīng)開區(qū),是無錫市太湖人才計(jì)劃重點(diǎn)引進(jìn)項(xiàng)目。 MOSFET根據(jù)閾值電壓特性分為增強(qiáng)型和耗盡型兩類 增強(qiáng)型：在零柵極電壓時(shí)處于關(guān)閉狀態(tài)，需施加正電壓才能形成導(dǎo)電通道； 耗盡型：在零柵極電壓時(shí)已存在導(dǎo)電通道，需施加負(fù)電壓才能關(guān)閉通道。 MOSFET是大規(guī)模及超大規(guī)模集成電路中采用得的半導(dǎo)體器件，其高集成度、低功耗和高可靠性使其成為現(xiàn)代微電子技術(shù)的基石。尤其在數(shù)字邏輯電路中，MOSFET的開關(guān)特性為二進(jìn)制計(jì)算提供了物理基礎(chǔ)。 商甲半導(dǎo)體...

針對(duì)無刷電機(jī)中MOS管的應(yīng)用，推薦使用商甲半導(dǎo)體低壓MOS-SGT系列， 其優(yōu)勢(shì)：采用SGT 工藝，突破性的FOM優(yōu)化，覆蓋更多的應(yīng)用場(chǎng)景；極低導(dǎo)通電阻，低損耗，高雪崩耐量，高效率。可根據(jù)客戶方案需求，對(duì)應(yīng)器件選型檔位，進(jìn)行支持。 采用優(yōu)化的溝槽屏蔽柵設(shè)計(jì)及工藝制造技術(shù)，提升了器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性，同時(shí)降低了器件的特征導(dǎo)通電阻Rsp和柵極電荷Qg。SGT系列MOSFET產(chǎn)品涵蓋30V~150V,可廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)，同步整流等領(lǐng)域中。隨著無人機(jī)技術(shù)的迅猛發(fā)展和廣泛應(yīng)用，對(duì)于低壓MOS技術(shù)的需求將進(jìn)一步增加。無人機(jī)領(lǐng)域的應(yīng)用前景廣闊，它將為無人機(jī)的性能提升、功能拓展和安全保障...

場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管在電氣特性方面的主要區(qū)別有以下幾點(diǎn)：貼片場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管 1：場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，管子的導(dǎo)電情況取決于柵極電壓的高低。晶體管是電流控制器件，管子的導(dǎo)電情況取決于基極電流的大小。 2：場(chǎng)效應(yīng)管漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為參變量，晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib 為參變量。 3：場(chǎng)效應(yīng)管電流IDS與柵極UGS之間的關(guān)系由跨導(dǎo)Gm 決定，晶體管電流Ic與Ib 之間的關(guān)系由放大系數(shù)β決定。也就是說，場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力用Gm 衡量，晶體管的放大能力用β衡量。 4：場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗很大，輸入電流極?。痪w管輸入阻抗很小，在導(dǎo)電時(shí)輸入電流較大。 ...

QFN封裝的四邊均配置有電極接點(diǎn) 即四邊無引線扁平封裝，是一種新興的表面貼裝芯片封裝技術(shù)。其特點(diǎn)在于焊盤尺寸小、體積緊湊，且采用塑料作為密封材料。如今，該技術(shù)常被稱作LCC。 因其無引線設(shè)計(jì)，使得貼裝時(shí)的占地面積相較于QFP更小，同時(shí)高度也更為低矮。此外，這種封裝形式還被稱為LCC、PCLC、P-LCC等。起初，QFN主要應(yīng)用于集成電路的封裝，然而，隨著技術(shù)的發(fā)展，MOSFET也開始采用這種封裝技術(shù)。特別是INTEL提出的整合驅(qū)動(dòng)與MOSFET的DrMOS技術(shù)，就采用了QFN-56封裝，其中56表示芯片背面有56個(gè)連接Pin。 MOSFET、IGBT 選商甲半導(dǎo)體，專業(yè)供應(yīng)商，...

想象一下傳統(tǒng)的電燈開關(guān)，其工作原理是簡單的機(jī)械接觸與斷開。然而，在高速運(yùn)轉(zhuǎn)的手機(jī)和電腦芯片中，這樣的開關(guān)顯然無法滿足需求，因?yàn)樗鼈兯俣忍?、體積太大且耗電過多。因此，我們需要一種全新的開關(guān)來應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。這種開關(guān)需要具備以下特點(diǎn)：速度極快，每秒能完成數(shù)十億次的開關(guān)動(dòng)作；體積超小，細(xì)如發(fā)絲，能在指甲大小的芯片上集成數(shù)十億個(gè)這樣的開關(guān)；耗電極低，幾乎不消耗電能；以及控制靈敏，能通過微小的電信號(hào)來控制大電流的通斷。幸運(yùn)的是，MOSFET晶體管正是這樣一種“超級(jí)電子開關(guān)”。商甲半導(dǎo)體提供的20V~100V Complementary（N+P型互補(bǔ)式）MOSFET產(chǎn)品。12V至300V N MOSFET...

選擇合適的MOSFET是一個(gè)涉及多個(gè)因素的決策過程，這些因素包括但不限于器件的類型（N溝道或P溝道）、封裝類型、耐壓、導(dǎo)通電阻、開關(guān)特性等。以下是一些基本的指導(dǎo)原則和步驟，用于選擇適合特定應(yīng)用需求的MOSFET： 1.確定MOSFET的類型：選擇N溝道還是P溝道MOSFET通常取決于應(yīng)用的具體需求。N溝道MOSFET在低邊側(cè)開關(guān)應(yīng)用中更為常見（用于開關(guān)對(duì)地導(dǎo)通），而P溝道MOSFET則常用于高邊側(cè)開關(guān)應(yīng)用（用于對(duì)電源導(dǎo)通）。 2.選擇封裝類型：封裝的選擇應(yīng)基于散熱需求、系統(tǒng)尺寸限制、生產(chǎn)工藝和成本控制。不同的封裝尺寸具有不同的熱阻和耗散功率，因此需要根據(jù)系統(tǒng)的散熱條件和環(huán)境溫度...

MOSFET，全稱金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是現(xiàn)代電子領(lǐng)域中極為關(guān)鍵的一種元件。那么，MOSFET是否屬于芯片的一種呢？答案是肯定的。從廣義上來講，芯片是指內(nèi)含集成電路的硅片，而MOSFET正是由硅材料制成，內(nèi)含復(fù)雜電路結(jié)構(gòu)的電子元件，因此可以歸類為芯片的一種。 MOSFET不僅是一種高性能的電子元件，同時(shí)也屬于芯片的一種。其制造工藝復(fù)雜，涉及多個(gè)精密的步驟和環(huán)節(jié)，對(duì)技術(shù)和設(shè)備都有非常高的要求。每一步的精細(xì)控制都是為了確保最終產(chǎn)品的性能與穩(wěn)定性，以滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效、低功耗的需求。隨著科技的不斷進(jìn)步，MOSFET的制造工藝將繼續(xù)優(yōu)化，為未來的電子產(chǎn)品帶來更多可能性。 MOS...

選擇合適的MOSFET是一個(gè)涉及多個(gè)因素的決策過程，這些因素包括但不限于器件的類型（N溝道或P溝道）、封裝類型、耐壓、導(dǎo)通電阻、開關(guān)特性等。以下是一些基本的指導(dǎo)原則和步驟，用于選擇適合特定應(yīng)用需求的MOSFET： 1.確定MOSFET的類型：選擇N溝道還是P溝道MOSFET通常取決于應(yīng)用的具體需求。N溝道MOSFET在低邊側(cè)開關(guān)應(yīng)用中更為常見（用于開關(guān)對(duì)地導(dǎo)通），而P溝道MOSFET則常用于高邊側(cè)開關(guān)應(yīng)用（用于對(duì)電源導(dǎo)通）。 2.選擇封裝類型：封裝的選擇應(yīng)基于散熱需求、系統(tǒng)尺寸限制、生產(chǎn)工藝和成本控制。不同的封裝尺寸具有不同的熱阻和耗散功率，因此需要根據(jù)系統(tǒng)的散熱條件和環(huán)境溫度...