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反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢(shì)壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時(shí)，破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，致使電流急劇增大，這種擊穿稱(chēng)為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢(shì)壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊...

MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開(kāi)關(guān)電路，MOS場(chǎng)效應(yīng)管也被稱(chēng)為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管可分為NPN型PNP型。...

三極管具有放大信號(hào)、開(kāi)關(guān)電路和穩(wěn)壓等多種功能，對(duì)電子設(shè)備的正常運(yùn)行起著至關(guān)重要的作用。放大信號(hào)，三極管可以將微弱的輸入信號(hào)放大成較大的輸出信號(hào)。它通過(guò)調(diào)節(jié)輸入電流或電壓的變化，使輸出信號(hào)得以放大。這種放大作用在無(wú)線電、音頻設(shè)備和通信系統(tǒng)中起著關(guān)鍵作用。在無(wú)線電...

二極管伏安特性曲線說(shuō)明：1.反向特性，二極管兩端加上反向電壓時(shí)，在開(kāi)始很大范圍內(nèi)，二極管相當(dāng)于非常大的電阻，反向電流很小，且不隨反向電壓而變化。此時(shí)的電流稱(chēng)之為反向飽和電流IR，見(jiàn)圖中OC（OC′）段。2.溫度對(duì)特性的影響，由于二極管的主要是一個(gè)PN結(jié)，它的導(dǎo)...

什么叫二極管？二極管分為哪幾種？二極管的主要參數(shù)有哪些？二極管基礎(chǔ)概念，二極管又稱(chēng)晶體二極管,簡(jiǎn)稱(chēng)二極管(diode)，另外，還有早期的真空電子二極管；它是一種具有單向傳導(dǎo)電流的電子器件。在半導(dǎo)體二極管內(nèi)部有一個(gè)PN結(jié)兩個(gè)引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方...

判斷源極S、漏極D，將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔分別丈量三個(gè)管腳之間的電阻。用交換表筆法測(cè)兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時(shí)黑表筆的是S極，紅表筆接D極。因?yàn)闇y(cè)試前提不同，測(cè)出的RDS（on）值比手冊(cè)中給出的典型值要高一些。丈量...

PIN二極管（P-intrinsic-N Diode），PN之間一層高電阻的半導(dǎo)體層，使少數(shù)載流子的積蓄效果增加，逆回復(fù)時(shí)間也較長(zhǎng)。利用正向偏置時(shí)高頻率信號(hào)較容易通過(guò)的性質(zhì)，用于天線的頻帶切換以及高頻率開(kāi)關(guān)。耿效應(yīng)二極管，應(yīng)用于低功率微波振蕩器。二極真空管，氣...

按照用途可以分為四種 ：普通功率型晶體管 高頻大功率晶體管 超高頻大功率晶體管 特種功率型晶體管 按制造工藝分為六種：雙擴(kuò)散硅雙基型 （bjt） 雙擴(kuò)散鋁雙基型 （btjt） 單向晶閘管 （smcntctbtct等 ） 多晶閘管及門(mén)陣列式 （pmicmosfe...

導(dǎo)電溝道的形成：當(dāng)vGS數(shù)值較小，吸引電子的能力不強(qiáng)時(shí)，漏——源極之間仍無(wú)導(dǎo)電溝道出現(xiàn)，如圖1(b)所示。vGS增加時(shí)，吸引到P襯底表面層的電子就增多，當(dāng)vGS達(dá)到某一數(shù)值時(shí)，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個(gè)N型薄層，且與兩個(gè)N+區(qū)相連通，在漏——源極...

場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)：1、開(kāi)啟電壓，開(kāi)啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。2、跨導(dǎo)，跨導(dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對(duì)漏極電流ID的控制才能，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gm是權(quán)衡場(chǎng)效應(yīng)管放大才能的重要參數(shù)。3、漏源...

開(kāi)始形成溝道時(shí)的柵——源極電壓稱(chēng)為開(kāi)啟電壓，用VT表示。上面討論的N溝道MOS管在vGS＜VT時(shí)，不能形成導(dǎo)電溝道，管子處于截止?fàn)顟B(tài)。只有當(dāng)vGS≥VT時(shí)，才有溝道形成。這種必須在vGS≥VT時(shí)才能形成導(dǎo)電溝道的MOS管稱(chēng)為增強(qiáng)型MOS管。溝道形成以后，在漏—...

三極管的分類(lèi)：1、按材質(zhì)分: 硅管（導(dǎo)通壓降0.7V）、鍺管（導(dǎo)通壓降0.3V）。2、按結(jié)構(gòu)分: NPN 、 PNP。3、按功能分: 開(kāi)關(guān)管、功率管、達(dá)林頓管、光敏管。達(dá)林頓管：又叫復(fù)合管，將兩個(gè)三極管串聯(lián)，以組成一只等效的新的三極管。接法總共有4種：NPN+...

相信大家在安裝設(shè)備時(shí)都需要使用到三級(jí)管，現(xiàn)在市面上的三極管型號(hào)及分類(lèi)非常的多樣化，這里小編要為大家分享的是三級(jí)管作用是什么以及三級(jí)管產(chǎn)品的分類(lèi)有哪些，想要了解的朋友不妨和小編一起來(lái)看看吧！三級(jí)管產(chǎn)品的分類(lèi)有哪些？1、按照材質(zhì)分可分為：硅管和鍺管。2、按照結(jié)構(gòu)分...

在汞弧閥（具有冷陰極的汞蒸氣離子閥）中，一種難熔的導(dǎo)電陽(yáng)極與一池作為陰極的液態(tài)汞之間會(huì)形成電弧，電壓?jiǎn)挝豢蛇_(dá)數(shù)百千瓦，這對(duì)高壓直流輸電的發(fā)展起到了促進(jìn)作用。一些小型的熱離子整流器有時(shí)候也用汞蒸氣填充，以減少他們的正向壓降并增加這種熱離子強(qiáng)真空器件的電流額定值。...

三極管的 3 種工作狀態(tài)，分別是截止?fàn)顟B(tài)、放大狀態(tài)、飽和狀態(tài)。接下給大家講一下這三種狀態(tài)情況：1、截止?fàn)顟B(tài)，三極管的截止?fàn)顟B(tài)，這應(yīng)該是比較好理解的，當(dāng)三極管的發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏時(shí)，三極管就會(huì)進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)。這就相當(dāng)于一個(gè)關(guān)緊了的水龍頭，水龍頭里的水是流不出來(lái)...

三極管的作用是什么？1、電流放大。這也是其較基本的作用。以共發(fā)射極接法為例，一旦由基極輸入一個(gè)微小的電流，在集電極輸出的電流大小便是輸入電流的β倍，β被叫做三極管的電流放大系數(shù)。將輸入的微弱信號(hào)擴(kuò)大β倍后輸出，這便是三極管的電流放大作用。2、用作開(kāi)關(guān)。三極管在...

這里我們來(lái)認(rèn)識(shí)一個(gè)基礎(chǔ)的電子元器件：三極管。內(nèi)容主要概括為以下幾個(gè)方面：①認(rèn)識(shí)三極管；②三極管的分類(lèi)；③三極管的工作原理；④三極管的3種狀態(tài)；⑤三極管的功能及應(yīng)用。接下來(lái)筆者一一為大家進(jìn)行介紹。什么是三極管？三極管，全稱(chēng)應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也被稱(chēng)為雙極型晶體管或...

三極管的作用：1、用作開(kāi)關(guān)，三極管的作用之二就是用作開(kāi)關(guān)。三極管在飽和導(dǎo)通時(shí)，其CE極間電壓很小，低于PN結(jié)導(dǎo)通電壓，CE極間相當(dāng)于短路，“開(kāi)關(guān)”呈現(xiàn)開(kāi)的狀態(tài);三極管在截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，其CE極間電流很小，相當(dāng)于斷路，“開(kāi)關(guān)”呈現(xiàn)關(guān)的狀態(tài)。因此可完成開(kāi)關(guān)的功能，且其...

什么是MOSFET，mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)、半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型back gate中形成...

二極管的伏安特性曲線，半導(dǎo)體二極管較重要的特性是單向?qū)щ娦浴＜串?dāng)外加正向電壓時(shí)，它呈現(xiàn)的電阻（正向電阻）比較小，通過(guò)的電流比較大，當(dāng)外加反向電壓時(shí)，它呈現(xiàn)的電阻（反向電阻）很大，通過(guò)的電流很?。ㄍǔ？梢院雎圆挥?jì)）。反映二極管的電流隨電壓變化的關(guān)系曲線，叫做二極...

肖特基二極管，利用金屬和半導(dǎo)體二者的接合面的'肖特基效應(yīng)'的整流作用。由于正向的切入電壓較低，導(dǎo)通回復(fù)時(shí)間也短，適合用于高頻率的整流。一般而言漏電流較多，突波耐受度較低。也有針對(duì)此缺點(diǎn)做改善的品種推出。穩(wěn)壓二極管（Reference Diode）（常用稱(chēng)法：齊...

二極管是由管芯、管殼和兩個(gè)電極構(gòu)成。管芯就是一個(gè)PN結(jié)，在PN結(jié)的兩端各引出一個(gè)引線，并用塑料、玻璃或金屬材料作為封裝外殼，就構(gòu)成了晶體二極管，如下圖所示。P區(qū)的引出的電極稱(chēng)為正極或陽(yáng)極，N區(qū)的引出的電極稱(chēng)為負(fù)極或陰極。二極管的伏安特性，半導(dǎo)體二極管的主要是P...

三極管的作用是通過(guò)電阻將三極管的電流放大作用轉(zhuǎn)變?yōu)殡妷悍糯笞饔谩?、半導(dǎo)體三極管(Bipolar Junction Transistor)，也稱(chēng)雙極型晶體管、晶體三極管。雙極性晶體管是電子學(xué)歷史上具有革新意義的一項(xiàng)發(fā)明，其發(fā)明者威廉·肖克利、約翰·巴丁和沃爾特...

二極管的英文是diode。二極管的正.負(fù)二個(gè)端子,一端稱(chēng)為陽(yáng)極,一端稱(chēng)為陰極。電流只能從陽(yáng)極向陰極方向移動(dòng)。二極管是由半導(dǎo)體組成的器件。半導(dǎo)體無(wú)論哪個(gè)方向都能流動(dòng)電流。二極管（英語(yǔ)：Diode），電子元件當(dāng)中，一種具有兩個(gè)電極的裝置，只允許電流由單一方向流過(guò)。...

三極管的飽和狀態(tài)，當(dāng)三極管發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏時(shí)，三極管工作在飽和狀態(tài)。在飽和狀態(tài)下，三極管集電極電流ic的大小已經(jīng)不受基極電流ib的控制，ic與ib不再成比例關(guān)系。飽和狀態(tài)下的三極管基極電流ib變大時(shí)，集電極電流ic也不會(huì)變大了，這就相當(dāng)于水龍頭的開(kāi)關(guān)已經(jīng)...

基本結(jié)構(gòu)三極管的內(nèi)部構(gòu)造非常簡(jiǎn)單，主要由三部分構(gòu)成：基區(qū)：由pn型材料組成、起導(dǎo)電作用的部分稱(chēng)為本征層；集電極和發(fā)射極：分別由n型和p型的兩種半導(dǎo)體制成、起開(kāi)關(guān)作用的部分稱(chēng)為功能層或柵欄層；溝道和耗盡區(qū)：兩個(gè)相鄰的pn結(jié)之間有一條很窄的過(guò)渡區(qū)域叫做溝道。功能特...

極限參數(shù)：a.集電極較大允許電流ICM集電極較大允許電流是指當(dāng)集電極電流IC增加到某一數(shù)值，引起β值下降到額定值的2/3或1/2時(shí)的IC值。所以當(dāng)集電極電流超過(guò)集電極較大允許電流時(shí)，雖然不致使管子損壞，但β值明顯下降，影響放大質(zhì)量。b.集電極—基極擊穿電壓U(...

二極管的伏安特性，外加電壓P->N，大于勢(shì)壘電壓，二極管導(dǎo)通；外加電壓N->P，大于反向擊穿電壓，二極管擊穿。二極管的相關(guān)應(yīng)用：1整流，整流,就是把交流電變?yōu)橹绷麟姷倪^(guò)程。利用具有單向?qū)щ娞匦缘钠骷?可以把方向和大小交變的電流變換為直流電。（1）半波整流電路；...

MOSFET選型注意事項(xiàng)：MOSFET的選型基礎(chǔ)MOSFET有兩大類(lèi)型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開(kāi)關(guān)導(dǎo) 通。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開(kāi)關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，...

場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)：1、漏源擊穿電壓。漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能接受的較大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS。2、較大耗散功率。較大耗散功率PDSM也是—項(xiàng)極限參數(shù)，是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞...