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頻率倍增用二極管，頻率倍增用二極管英文名稱為Frequency doubled diode，對(duì)二極管的頻率倍增作用而言，有依靠變?nèi)荻O管的頻率倍增和依靠階躍（即急變）二極管的頻率倍增。頻率倍增用的變?nèi)荻O管稱為可變電抗器，可變電抗器雖然和自動(dòng)頻率控制用的變?nèi)荻?..

SOA失效的預(yù)防措施：1：確保在較差條件下，MOSFET的所有功率限制條件均在SOA限制線以內(nèi)。2：將OCP功能一定要做精確細(xì)致。在進(jìn)行OCP點(diǎn)設(shè)計(jì)時(shí)，一般可能會(huì)取1.1-1.5倍電流余量的工程師居多，然后就根據(jù)IC的保護(hù)電壓比如0.7V開(kāi)始調(diào)試RSENSE電...

導(dǎo)通時(shí)隔離變壓器上的電壓為（1-D）Ui、關(guān)斷時(shí)為DUi，若主功率管S可靠導(dǎo)通電壓為12V，而隔離變壓器原副邊匝比N1/N2為12/［（1-D）Ui］。為保證導(dǎo)通期間GS電壓穩(wěn)定C值可稍取大些。該電路具有以下優(yōu)點(diǎn)：①電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單可靠，具有電氣隔離作用。當(dāng)脈寬變...

MOS管的工作原理，在開(kāi)關(guān)電源中常用MOS管的漏極開(kāi)路電路，如圖2漏極原封不動(dòng)地接負(fù)載，叫開(kāi)路漏極，開(kāi)路漏極電路中不管負(fù)載接多高的電壓，都能夠接通和關(guān)斷負(fù)載電流。是理想的模擬開(kāi)關(guān)器件。這就是MOS管做開(kāi)關(guān)器件的原理。當(dāng)然MOS管做開(kāi)關(guān)使用的電路形式比較多了。N...

三極管的工作原理：這里主要講一下PNP和NPN。1、PNP，PNP是一種BJT，其中一種n型材料被引入或放置在兩種p型材料之間。在這樣的配置中，設(shè)備將控制電流的流動(dòng)。PNP晶體管由2個(gè)串聯(lián)的晶體二極管組成。二極管的右側(cè)和左側(cè)分別稱為集電極-基極二極管和發(fā)射極-...

在1882年的時(shí)候，他們突然想了一個(gè)辦法，將一片銅片放在燈絲和玻璃之間，以為能阻止燈絲的老化。很遺憾，這個(gè)辦法不行。他們接下來(lái)在這個(gè)銅片上施加一定的電壓希望能夠改善燈絲的壽命，可是這樣做依然無(wú)濟(jì)于事。雖然，提高燈絲壽命的實(shí)驗(yàn)失敗了，但是在這個(gè)過(guò)程中，他們發(fā)現(xiàn)了...

二極管是否損壞如何判斷：?jiǎn)呜?fù)導(dǎo)電性能的檢測(cè)及好壞的判斷，通常，鍺材料二極管的正向電阻值為1kΩ左右，反向電阻值為300左右。硅材料二極管的電阻值為5kΩ左右，反向電阻值為（無(wú)窮大）。正向電阻越小越好，反向電阻越大越好。正、反向電阻值相差越懸殊，說(shuō)明二極管的單向...

如何看貼片三極管的型號(hào)？由于貼片三極管的體積很小，無(wú)法標(biāo)注完整型號(hào)，故不少?gòu)S家都采用絲印來(lái)表示貼片三極管的型號(hào)。NPN型三極管是指由兩塊N型半導(dǎo)體中間夾著一塊P型半導(dǎo)體所組成的三極管；也稱為晶體三極管，可以說(shuō)它是電子電路中較重要的器件。三極管是電子電路中較重要...

MOS管三個(gè)極分別是什么及判定方法：mos管的三個(gè)極分別是：G（柵極），D（漏極）s（源及），要求柵極和源及之間電壓大于某一特定值，漏極和源及才能導(dǎo)通。判斷柵極G，MOS驅(qū)動(dòng)器主要起波形整形和加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)的作用：假如MOS管的G信號(hào)波形不夠陡峭，在點(diǎn)評(píng)切換階段會(huì)造...

三極管基本概念，雙極性晶體管的全稱為雙極性結(jié)型晶體管，也就是我們常說(shuō)的三極管。三極管顧名思義具有三個(gè)電極。前面的二極管是由一個(gè)P-N結(jié)構(gòu)成的，而三極管由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成，共用的一個(gè)電極成為三極管的基極（用字母b表示）。其他的兩個(gè)電極成為集電極（用字母c表示）和發(fā)...

電極，所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個(gè)端，分別大致對(duì)應(yīng)BJT的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）、基（base）、...

晶體二極管為一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。 當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相...

續(xù)流，續(xù)流二極管通常是指反向并聯(lián)在電感線圈,繼電器,可控硅等儲(chǔ)能元件兩端,在 電路中電壓或電流出現(xiàn)突變時(shí),對(duì)電路中其它元件起保護(hù)作用的二極管.續(xù)流二極管由于在電路中起到續(xù)流的作用而得名，一般選擇快速恢復(fù)二極管或者肖特基二極管來(lái)作為續(xù)流二極管。以電感線圈為例，當(dāng)...

三極管一個(gè)重要參數(shù)就是電流放大系數(shù)β。當(dāng)三極管的基極B上加一個(gè)微小的電流時(shí)，在集電極C上可以得到一個(gè)是基極電流β倍的電流，即集電極電流。集電極電流隨基極電流的變化而變化，并且基極電流很小的變化可以引起集電極電流很大的變化，這就是三極管的放大作用。電流控制：NP...

反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢(shì)壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時(shí)，破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢(shì)壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊...

三極管的功能應(yīng)用：1、三極管放大電路，三極管是一種電流放大器件，可制成交流或直流信號(hào)放大器，由基極輸入一個(gè)很小的電流從而控制集電極輸出很大的電流。三極管基極（b）電流較小，且遠(yuǎn)小于另兩個(gè)引腳的電流；發(fā)射極（e）電流較大（等于集電極電流和基極電流之和）；集電極（...

場(chǎng)效應(yīng)晶體管：截止區(qū)：當(dāng) UGS 小于開(kāi)啟電壓 UGSTH時(shí)，MOS 不導(dǎo)通?？勺冸娮鑵^(qū)：UDS 很小，I_DID 隨UDS 增大而增大。恒流區(qū)：UDS 變化，I_DID 變化很小。擊穿區(qū)：UDS 達(dá)到一定值時(shí)，MOS 被擊穿，I_DID 突然增大，如果沒(méi)有限...

二極管概述，二極管，（英語(yǔ)：Diode），電子元件當(dāng)中，一種具有兩個(gè)電極的裝置，只允許電流由單一方向流過(guò)，許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。晶體二極管的主要是PN結(jié)，關(guān)于PN結(jié)首先要了解三個(gè)概念。本征半導(dǎo)體：指不含任何摻雜元素的半導(dǎo)體，如純硅晶片或純鍺晶片。P型半...

晶體管的分類 晶體管的種類很多，按照不同的標(biāo)準(zhǔn)可分為多種類型：按導(dǎo)電方式分有npn型晶體管和 pnp型晶體管；按結(jié)構(gòu)形式分有雙極性管（bjt）和三極型晶體管等；按工作電流分有小功率管（小于1a）、大功率管（1~10a）等； 按照用途來(lái)分則有普通型和特種型之分：...

三極管飽和情況，像圖1因?yàn)槭艿诫娮鑂c的限制(Rc是固定值，那么較大電流為U/Rc，其中U為電源電壓)，集電極電流是不能無(wú)限增加下去的。當(dāng)基極電流的增大，不能使集電極電流繼續(xù)增大時(shí)，三極管就進(jìn)入了飽和狀態(tài)。一般判斷三極管是否飽和的準(zhǔn)則是：Ib*β〉Ic。進(jìn)入飽...

VMOS場(chǎng)效應(yīng)管，VMOS場(chǎng)效應(yīng)管（VMOSFET）簡(jiǎn)稱VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效、功率開(kāi)關(guān)器件。它不只繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）、驅(qū)動(dòng)電流?。ㄗ笥?.1μA左右），還具有耐...

MOS管三個(gè)極分別是什么及判定方法：mos管的三個(gè)極分別是：G（柵極），D（漏極）s（源及），要求柵極和源及之間電壓大于某一特定值，漏極和源及才能導(dǎo)通。判斷柵極G，MOS驅(qū)動(dòng)器主要起波形整形和加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)的作用：假如MOS管的G信號(hào)波形不夠陡峭，在點(diǎn)評(píng)切換階段會(huì)造...

開(kāi)關(guān)三極管，在開(kāi)關(guān)電路中，用來(lái)控制電路的開(kāi)啟和關(guān)閉，由加在開(kāi)關(guān)管基極上 脈沖信號(hào)來(lái)控制“短路”和“開(kāi)通”，是一個(gè)無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)。具有壽命長(zhǎng)、安全可靠、沒(méi)有機(jī)械磨損、開(kāi)關(guān)速度快、體積小等特點(diǎn)。開(kāi)關(guān)三極管可以用很小的電流，控制打電流的通斷，有較普遍的應(yīng)用。小功率開(kāi)...

對(duì)于PNP型三極管，分析方法類似，不同的地方就是電流方向跟NPN的剛好相反，因此發(fā)射極上面那個(gè)箭頭方向也反了過(guò)來(lái)。電阻R1基極偏置用,電阻R2有限流作用,也是三極管集電極的負(fù)載電阻。發(fā)光二極管D指示作用,三極管T開(kāi)關(guān)作用,電池E供電。三極管可以看成是2個(gè)PN結(jié)...

晶體二極管分類如下：1、點(diǎn)接觸型二極管，點(diǎn)接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過(guò)電流法而形成的。因此，其PN結(jié)的靜電容量小，適用于高頻電路。但是，與面結(jié)型相比較，點(diǎn)接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大電流和整流。因?yàn)闃?gòu)造...

高穩(wěn)定場(chǎng)效應(yīng)管的制造工藝堪稱嚴(yán)苛，從源材料的選擇開(kāi)始，就嚴(yán)格把控材料純度，確保晶體結(jié)構(gòu)完美無(wú)缺陷。這一系列嚴(yán)格的工藝措施，極大地降低了參數(shù)漂移的可能性，使其在各類復(fù)雜環(huán)境下都能始終保持穩(wěn)定的性能。在精密測(cè)量?jī)x器中，例如原子力顯微鏡，它需要探測(cè)原子級(jí)別的微小結(jié)構(gòu)...

基本結(jié)構(gòu)三極管的內(nèi)部構(gòu)造非常簡(jiǎn)單，主要由三部分構(gòu)成：基區(qū)：由pn型材料組成、起導(dǎo)電作用的部分稱為本征層；集電極和發(fā)射極：分別由n型和p型的兩種半導(dǎo)體制成、起開(kāi)關(guān)作用的部分稱為功能層或柵欄層；溝道和耗盡區(qū)：兩個(gè)相鄰的pn結(jié)之間有一條很窄的過(guò)渡區(qū)域叫做溝道。功能特...

肖特基二極管，肖特基二極管也被稱為熱載流子二極管，英文名稱為Schottky Barrier Diode，它是一種具有低正向壓降和非常快速的開(kāi)關(guān)動(dòng)作的半導(dǎo)體二極管。當(dāng)電流流過(guò)肖特基二極管時(shí)，肖特基二極管端子上有一個(gè)小的電壓降。普通二極管的電壓壓降在0.6V-1...

相信大家在安裝設(shè)備時(shí)都需要使用到三級(jí)管，現(xiàn)在市面上的三極管型號(hào)及分類非常的多樣化，這里小編要為大家分享的是三級(jí)管作用是什么以及三級(jí)管產(chǎn)品的分類有哪些，想要了解的朋友不妨和小編一起來(lái)看看吧！三級(jí)管產(chǎn)品的分類有哪些？1、按照材質(zhì)分可分為：硅管和鍺管。2、按照結(jié)構(gòu)分...

二極管的反向性，外加反向電壓不超過(guò)一定范圍時(shí)，通過(guò)二極管的電流是少數(shù)載流子漂移運(yùn)動(dòng)所形成反向電流。由于反向電流很小，二極管處于截止?fàn)顟B(tài)。這個(gè)反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流，二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。擊穿，外加反向電壓超過(guò)某一數(shù)值時(shí)，反向電流會(huì)突然...