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光刻膠要有極好的穩(wěn)定性和一致性，如果質量稍微出點問題，損失將會是巨大的。去年2月，某半導體代工企業(yè)因為光刻膠的原因導致晶圓污染，報廢十萬片晶圓，直接導致5.5億美元的賬面損失。除了以上原因外，另一個重要原因是，經過幾十年的發(fā)展，光刻膠已經是一個相當成熟且固化的產業(yè)。2010年光刻膠的**出現井噴，2013年之后，相關專利的申請已經開始銳減。市場較小，技術壁壘又高，這意味著對于企業(yè)來說，發(fā)展光刻膠性價比不高，即便研發(fā)成功一款光刻膠，也要面臨較長的認證周期，需要與下游企業(yè)建立合作關系。如今，全世界能夠生產光刻機的國家只有四個，中國成為了其中的一員。湖北半導體光刻光刻技術是集成電路制造中利用光學- ...

常用的光刻膠主要是兩種，正性光刻膠（positive photoresist）被曝光的部分會被顯影劑去除，負性光刻膠(negative photoresist)未被曝光的部分會被顯影劑去除。正性光刻膠主要應用于腐蝕和刻蝕工藝，而負膠工藝主要應用于剝離工藝（lift-off）。光刻是微納加工當中不可或缺的工藝，主要是起到圖形化轉移的作用。常規(guī)的光刻分為有掩膜光刻和無掩膜光刻。無掩膜光刻主要是電子束曝光和激光直寫光，有掩膜光刻主要是接觸式曝光、非接觸式曝光和stepper光刻。對于有掩膜光刻，首先需要設計光刻版，常用的設計軟件有CAD、L-edit等軟件。光刻技術成為一種精密的微細加工技術。天津M...

光刻膠是光刻工藝的中心材料：光刻膠又稱光致抗蝕劑，它是指由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成分構成的對光敏感的混合液體。在紫外光、電子束、離子束、X 射線等輻射的作用下，其感光樹脂的溶解度及親和性由于光固化反應而發(fā)生變化，經適當溶劑處理，溶去可溶部分可獲得所需圖像。生產光刻膠的原料包括光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產酸劑）、光刻膠樹脂、單體及其他助劑等。光刻膠作為光刻曝光的中心材料，其分辨率是光刻膠實現器件的關鍵尺寸（如器件線寬）的衡量值，光刻膠分辨率越高形成的圖形關鍵尺寸越小。對比度是指光刻膠從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過渡的陡度，對比度越高，形成圖形的側壁越陡峭，圖形完成度更好。接觸式光刻機的掩模版包括...