功率場效應(yīng)晶體管也分為結(jié)型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型（MetalOxideSemiconductorFET）,簡稱功率MOSFET。

功率MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理

功率MOSFET的種類：按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當(dāng)柵極電壓為零時(shí)漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道，增強(qiáng)型；對(duì)于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時(shí)才存在導(dǎo)電溝道，功率MOSFET主要是N溝道增強(qiáng)型。

功率MOSFET的結(jié)構(gòu)

功率MOSFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和電氣符號(hào)；其導(dǎo)通時(shí)只有一種極性的載流子（多子）參與導(dǎo)電，是單極型晶體管。導(dǎo)電機(jī)理與小功率MOS管相同，但結(jié)構(gòu)上有較大區(qū)別，小功率MOS管是橫向?qū)щ娖骷?，功率MOSFET大都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，又稱為VMOSFET（VerticalMOSFET），**提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。 TO-263（D2PAK） 多引腳表面貼裝，擴(kuò)大散熱面積，用于中高壓大電流場景（如工業(yè)設(shè)備）。紹興功率器件MOS產(chǎn)品選型歡迎選購

電力電子器件正沿著大功率化、高頻化、集成化的方向發(fā)展。80年代晶閘管的電流容量已達(dá)6000安，阻斷電壓高達(dá)6500伏。但這類器件工作頻率較低。提高其工作頻率，取決于器件關(guān)斷期間如何加快基區(qū)少數(shù)載流的復(fù)合速度和經(jīng)門極抽取更多的載流子。降低少子壽命雖能有效地縮短關(guān)斷電流的過程，卻導(dǎo)致器件導(dǎo)通期正向壓降的增加。因此必須兼顧轉(zhuǎn)換速度和器件通態(tài)功率損耗的要求。80年代這類器件的比較高工作頻率在 10千赫以下。雙極型大功率晶體管可以在100千赫頻率下工作，其控制電流容量已達(dá)數(shù)百安，阻斷電壓1千多伏,但維持通態(tài)比其他功率可控器件需要更大的基極驅(qū)動(dòng)電流。由于存在熱激發(fā)二次擊穿現(xiàn)象，限制抗浪涌能力。進(jìn)一步提高其工作頻率仍然受到基區(qū)和集電區(qū)少子儲(chǔ)存效應(yīng)的影響。70年代中期發(fā)展起來的單極型MOS功率場效應(yīng)晶體管， 由于不受少子儲(chǔ)存效應(yīng)的限制，能夠在兆赫以上的頻率下工作。這種器件的導(dǎo)通電流具有負(fù)溫度特性，不易出現(xiàn)熱激發(fā)二次擊穿現(xiàn)象；需要擴(kuò)大電流容量時(shí)，器件并聯(lián)簡單，具有線性輸出特性和較小驅(qū)動(dòng)功率；在制造工藝上便于大規(guī)模集成。但通態(tài)壓降較大，制造時(shí)對(duì)材料和器件工藝的一致性要求較高。到80 年代中、后期電流容量*達(dá)數(shù)十安，阻斷電壓近千伏。領(lǐng)域功率器件MOS產(chǎn)品選型產(chǎn)品介紹隨著科技的不斷進(jìn)步，功率半導(dǎo)體器件也在持續(xù)演進(jìn)。

無錫商甲半導(dǎo)體有限公司有下列封裝產(chǎn)品

TO-220與TO-220FTO-220與TO-220F這兩種封裝的MOS管在外觀上相似，可以相互替代。然而，TO-220背部配備了散熱片，因此其散熱效果相較于TO-220F更為出色。同時(shí)，由于成本因素，TO-220的價(jià)格也相對(duì)較高。這兩種封裝的產(chǎn)品都適用于中壓大電流場合，其電流范圍在120A以下，同時(shí)也可用于高壓大電流場合，但電流需控制在20A以內(nèi)。

TO-251封裝TO-251封裝的產(chǎn)品旨在降低生產(chǎn)成本并減小產(chǎn)品尺寸，特別適用于中壓大電流環(huán)境，電流范圍控制在60A以下，同時(shí)也可用于高壓環(huán)境，但需確保電流在7N以下。

功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè),包括計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的筆記本、PC、服務(wù)器、顯示器以及各種外設(shè);網(wǎng)絡(luò)通信領(lǐng)域的手機(jī)、電話以及其它各種終端和局端設(shè)備;消費(fèi)電子領(lǐng)域的傳統(tǒng)黑白家電和各種數(shù)碼產(chǎn)品;工業(yè)控制類中的工業(yè)PC、各類儀器儀表和各類控制設(shè)備等。

電力電子器件工作時(shí)，會(huì)因功率損耗引起器件發(fā)熱、升溫。器件溫度過高將縮短壽命，甚至燒毀，這是限制電力電子器件電流、電壓容量的主要原因。為此，必須考慮器件的冷卻問題。常用冷卻方式有自冷式、風(fēng)冷式、液冷式(包括油冷式、水冷式)和蒸發(fā)冷卻式等。 由于MOSFET是電壓控制器件，具有很高的輸入阻抗，因此其驅(qū)動(dòng)功率很小，對(duì)驅(qū)動(dòng)電路要求較低.

無錫商甲半導(dǎo)體提供專業(yè)選型

功率MOS管的關(guān)鍵參數(shù)

***比較大額定值

***比較大額定值是功率MOS管不應(yīng)超過的允許限制，即使是一瞬間也不行。這些值包括漏源電壓、柵極電壓、漏極電流等。了解這些額定值對(duì)于確保功率MOS管在正常工作范圍內(nèi)運(yùn)行至關(guān)重要。超過這些值可能會(huì)導(dǎo)致器件損壞，降低系統(tǒng)的可靠性。

漏源擊穿電壓（V(BR)DSS）

漏源擊穿電壓是漏極和源極之間的擊穿電壓，決定了器件能夠承受的最大電壓。選擇較高的擊穿電壓可以提高器件的安全性，但會(huì)增加導(dǎo)通電阻。漏源擊穿電壓的選擇需要在安全性和效率之間進(jìn)行權(quán)衡。較高的擊穿電壓可以提供更高的安全性，但會(huì)增加功率損耗。

柵極閾值電壓（VGS(TH)）

柵極閾值電壓是使功率MOS管開啟且漏極電流開始流動(dòng)時(shí)柵極和源極之間的電壓。選擇合適的閾值電壓可以確保器件在不同的工作電壓下正常工作。柵極閾值電壓的選擇直接影響功率MOS管的開關(guān)特性。較低的閾值電壓可以使器件在低電壓下快速開啟，但可能會(huì)增加噪聲和功耗。

漏源導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）

漏源導(dǎo)通電阻是漏極電流流動(dòng)時(shí)漏極和源極之間的電阻。低導(dǎo)通電阻可以減小功率損耗，提高效率。漏源導(dǎo)通電阻是影響功率MOS管能效的關(guān)鍵參數(shù)。 功率器件是電力電子領(lǐng)域的重要組件，處理高壓大電流，廣泛應(yīng)用于新能源、汽車電子和工業(yè)控制。代理功率器件MOS產(chǎn)品選型推薦型號(hào)

功率器件屬于分立器件，單獨(dú)封裝且功能不可拆分（如IGBT單管）；紹興功率器件MOS產(chǎn)品選型歡迎選購

無錫商家半導(dǎo)體

TO-3P/247TO247是一種常見的小外形封裝，屬于表面貼封裝類型，其中的“247”是封裝標(biāo)準(zhǔn)的編號(hào)。值得注意的是，TO-247封裝與TO-3P封裝都采用3引腳輸出，且內(nèi)部的裸芯片（即電路圖）可以完全相同，因此它們的功能和性能也基本一致，只是在散熱和穩(wěn)定性方面可能略有差異。

TO247通常是非絕緣封裝，這種封裝的管子常用于大功率的POWFR中。作為開關(guān)管使用時(shí)，它能夠承受較大的耐壓和電流，因此是中高壓大電流MOS管常用的封裝形式。該產(chǎn)品特點(diǎn)包括耐壓高、抗擊穿能力強(qiáng)等，特別適用于中壓大電流場合（電流10A以上，耐壓值在100V以下），以及120A以上、耐壓值200V以上的更高要求場合。 紹興功率器件MOS產(chǎn)品選型歡迎選購

無錫商甲半導(dǎo)體有限公司為一家功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司，專業(yè)從事各類MOSFET、IGBT產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售?？偛课挥诮K省無錫市經(jīng)開區(qū)，是無錫市太湖人才計(jì)劃重點(diǎn)引進(jìn)項(xiàng)目。公司目前已經(jīng)與國內(nèi)的8英寸、12英寸晶圓代工廠緊密合作，多平臺(tái)產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，產(chǎn)品在開關(guān)特性、導(dǎo)通特性、魯棒性、EMI等方面表現(xiàn)很好，得到多家客戶的好評(píng)。

公司定位新型Fabless模式，在設(shè)計(jì)生產(chǎn)高性能產(chǎn)品基礎(chǔ)上，提供個(gè)性化參數(shù)調(diào)控，量身定制，多方位為客戶解決特殊方案的匹配難題。公司產(chǎn)品齊全，可廣泛應(yīng)用于工控、光伏、儲(chǔ)能、家電、照明、5G通信、醫(yī)療、汽車等各行業(yè)多個(gè)領(lǐng)域，公司在功率器件主要業(yè)務(wù)領(lǐng)域已形成可觀的競爭態(tài)勢和市場地位。公司秉承：“致力于功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)與營銷，參與和傳承功率半導(dǎo)體的發(fā)展”的愿景，堅(jiān)持“質(zhì)量至上、創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)”的發(fā)展策略，遵循“問題解決+產(chǎn)品交付+售后服務(wù)”的營銷法則，努力將公司建設(shè)成一個(gè)具有國際競爭力的功率半導(dǎo)體器件供應(yīng)商。