在晶圓切割的邊緣檢測精度提升上，中清航科創(chuàng)新采用雙攝像頭立體視覺技術(shù)。通過兩個高分辨率工業(yè)相機(jī)從不同角度采集晶圓邊緣圖像，經(jīng)三維重建算法精確計算邊緣位置，即使晶圓存在微小翹曲，也能確保切割路徑的精確定位，邊緣檢測誤差控制在 1μm 以內(nèi)，大幅提升切割良率。為適應(yīng)半導(dǎo)體工廠的能源管理需求，中清航科的切割設(shè)備配備能源監(jiān)控與分析系統(tǒng)。實時監(jiān)測設(shè)備的電壓、電流、功率等能源參數(shù)，生成能耗分析報表，識別能源浪費(fèi)點(diǎn)并提供優(yōu)化建議。同時支持峰谷用電策略，可根據(jù)工廠電價時段自動調(diào)整運(yùn)行計劃，降低能源支出。切割粉塵在線監(jiān)測中清航科傳感器精度達(dá)0.01μm顆粒物檢測。揚(yáng)州晶圓切割藍(lán)膜

大規(guī)模量產(chǎn)場景中，晶圓切割的穩(wěn)定性與一致性至關(guān)重要。中清航科推出的全自動切割生產(chǎn)線，集成自動上下料、在線檢測與 NG 品分揀功能，單臺設(shè)備每小時可處理 30 片 12 英寸晶圓，且通過工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)平臺實現(xiàn)多設(shè)備協(xié)同管控，設(shè)備綜合效率（OEE）提升至 90% 以上，明顯降低人工干預(yù)帶來的質(zhì)量波動。隨著芯片集成度不斷提高，晶圓厚度逐漸向超薄化發(fā)展，目前主流晶圓厚度已降至 50-100μm，切割過程中極易產(chǎn)生變形與破損。中清航科創(chuàng)新采用低溫輔助切割技術(shù)，通過局部深冷處理增強(qiáng)晶圓材料剛性，配合特制真空吸附平臺，確保超薄晶圓切割后的翹曲度小于 20μm，為先進(jìn)封裝工藝提供可靠的晶圓預(yù)處理保障。舟山芯片晶圓切割劃片廠中清航科切割冷卻系統(tǒng)專利設(shè)計，溫差梯度控制在0.3℃/mm。

隨著半導(dǎo)體市場需求的快速變化，產(chǎn)品迭代周期不斷縮短，這對晶圓切割的快速響應(yīng)能力提出更高要求。中清航科建立了快速工藝開發(fā)團(tuán)隊，承諾在收到客戶新樣品后 72 小時內(nèi)完成切割工藝驗證，并提供工藝報告與樣品測試數(shù)據(jù)，幫助客戶加速新產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)程，搶占市場先機(jī)。晶圓切割設(shè)備的操作安全性至關(guān)重要，中清航科嚴(yán)格遵循 SEMI S2 安全標(biāo)準(zhǔn)，在設(shè)備設(shè)計中融入多重安全保護(hù)機(jī)制。包括激光安全聯(lián)鎖、急停按鈕、防護(hù)門檢測、過載保護(hù)等，同時配備安全警示系統(tǒng)，實時顯示設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)與潛在風(fēng)險，確保操作人員的人身安全與設(shè)備的安全運(yùn)行。

中清航科創(chuàng)新性推出“激光預(yù)劃+機(jī)械精切”復(fù)合方案：先以激光在晶圓表面形成引導(dǎo)槽，再用超薄刀片完成切割。此工藝結(jié)合激光精度與刀切效率，解決化合物半導(dǎo)體（如GaAs、SiC）的脆性開裂問題，加工成本較純激光方案降低35%。大尺寸晶圓切割面臨翹曲變形、應(yīng)力集中等痛點(diǎn)。中清航科全自動切割機(jī)配備多軸聯(lián)動補(bǔ)償系統(tǒng)，通過實時監(jiān)測晶圓形變動態(tài)調(diào)整切割參數(shù)。搭配吸附托盤，將12英寸晶圓平整度誤差控制在±2μm內(nèi)，支持3D NAND多層堆疊結(jié)構(gòu)加工。采用中清航科激光隱形切割技術(shù)，晶圓分片效率提升40%以上。

中清航科的晶圓切割設(shè)備通過了多項國際認(rèn)證，包括 CE、FCC、UL 等，符合全球主要半導(dǎo)體市場的準(zhǔn)入標(biāo)準(zhǔn)。設(shè)備設(shè)計嚴(yán)格遵循國際安全規(guī)范與電磁兼容性要求，可直接出口至歐美、日韓等地區(qū)，為客戶拓展國際市場提供設(shè)備保障。在晶圓切割的刀具校準(zhǔn)方面，中清航科創(chuàng)新采用激光對刀技術(shù)。通過高精度激光束掃描刀具輪廓，自動測量刀具直徑、刃口角度等參數(shù)，并與標(biāo)準(zhǔn)值對比，自動計算補(bǔ)償值，整個校準(zhǔn)過程只需 3 分鐘，較傳統(tǒng)機(jī)械對刀方式提升效率 80%，且校準(zhǔn)精度更高。第三代半導(dǎo)體切割中清航科提供全套解決方案，良率95%+。湖州藍(lán)寶石晶圓切割刀片

切割粉塵回收模塊中清航科集成，重金屬污染減排90%以上。揚(yáng)州晶圓切割藍(lán)膜

為提升芯片產(chǎn)出量，中清航科通過刀片動態(tài)平衡控制+激光輔助定位，將切割道寬度從50μm壓縮至15μm。導(dǎo)槽設(shè)計減少材料浪費(fèi)，使12英寸晶圓有效芯片數(shù)增加18%，明顯降低單顆芯片制造成本。切割產(chǎn)生的亞微米級粉塵是電路短路的元兇。中清航科集成靜電吸附除塵裝置，在切割點(diǎn)10mm范圍內(nèi)形成負(fù)壓場，配合離子風(fēng)刀清理殘留顆粒，潔凈度達(dá)Class 1標(biāo)準(zhǔn)（>0.3μm顆粒<1個/立方英尺）。中清航科設(shè)備內(nèi)置AOI（自動光學(xué)檢測）模塊，采用多光譜成像技術(shù)實時識別崩邊、微裂紋等缺陷。AI算法在0.5秒內(nèi)完成芯片級判定，不良品自動標(biāo)記，避免后續(xù)封裝資源浪費(fèi)，每年可為客戶節(jié)省品質(zhì)成本超百萬。揚(yáng)州晶圓切割藍(lán)膜