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金山區(qū)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體器件設(shè)備圖片

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-04-06

國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法德國(guó)、法國(guó)、意大利、荷蘭、比利時(shí)等歐洲國(guó)家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國(guó)家,大都采用國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法。這種命名方法由四個(gè)基本部分組成,各部分的符號(hào)及意義如下:***部分:用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6~1.0eV 如鍺、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化鎵、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如銻化銦、E-器件使用復(fù)合材料及光電池使用的材料B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅。金山區(qū)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體器件設(shè)備圖片

除了作為放大、振蕩、開(kāi)關(guān)用的 一般晶體管外,還有一些特殊用途的晶體管,如光晶體管、磁敏晶體管,場(chǎng)效應(yīng)傳感器等。這些器件既能把一些 環(huán)境因素的信息轉(zhuǎn)換為電信號(hào),又有一般晶體管的放大作用得到較大的輸出信號(hào)。此外,還有一些特殊器件,如單結(jié)晶體管可用于產(chǎn)生鋸齒波,可控硅可用于各種大電流的控制電路,電荷耦合器件可用作攝橡器件或信息存 儲(chǔ)器件等。在通信和雷達(dá)等***裝備中,主要靠高靈敏度、低噪聲的半導(dǎo)體接收器件接收微弱信號(hào)。隨著微波 通信技術(shù)的迅速發(fā)展,微波半導(dǎo)件低噪聲器件發(fā)展很快,工作頻率不斷提高,而噪聲系數(shù)不斷下降。微波半導(dǎo)體 器件由于性能優(yōu)異、體積小、重量輕和功耗低等特性,在防空反導(dǎo)、電子戰(zhàn)等系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用 。奉賢區(qū)質(zhì)量半導(dǎo)體器件設(shè)備圖片美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記順序號(hào)。多位數(shù)字-該器件在美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記的順序號(hào)。

晶體管又可以分為雙極型晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管兩 類。根據(jù)用途的不同,晶體管可分為功率晶體管微波晶體管和低噪聲晶體管。除了作為放大、振蕩、開(kāi)關(guān)用的 一般晶體管外,還有一些特殊用途的晶體管,如光晶體管、磁敏晶體管,場(chǎng)效應(yīng)傳感器等。這些器件既能把一些 環(huán)境因素的信息轉(zhuǎn)換為電信號(hào),又有一般晶體管的放大作用得到較大的輸出信號(hào)。此外,還有一些特殊器件,如單結(jié)晶體管可用于產(chǎn)生鋸齒波,可控硅可用于各種大電流的控制電路,電荷耦合器件可用作攝橡器件或信息存 儲(chǔ)器件等。在通信和雷達(dá)等***裝備中,主要靠高靈敏度

日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件,由五至七部分組成。通常只用到**個(gè)部分,其各部分的符號(hào)意義如下:***部分:用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。0-光電(即光敏)二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個(gè)pn結(jié)的其他器件、3-具有四個(gè)有效電極或具有三個(gè)pn結(jié)的其他器件、┄┄依此類推。第二部分:日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)標(biāo)志。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)登記的半導(dǎo)體分立器件。第三部分:用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管JANTXV-超特級(jí)、JANS-宇航級(jí)、(無(wú))-非用品。

第三部分:用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的類型。P-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開(kāi)關(guān)管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc3MHz,Pc<1W)、D-低頻大功率管(f1W)、A-高頻大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半導(dǎo)體晶閘管(可控整流器)、Y-體效應(yīng)器件、B-雪崩管、J-階躍恢復(fù)管、CS-場(chǎng)效應(yīng)管、BT-半導(dǎo)體特殊器件、FH-復(fù)合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分:用數(shù)字表示序號(hào)用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-同一型號(hào)器件的不同檔別。長(zhǎng)寧區(qū)家居半導(dǎo)體器件設(shè)備維修

B-變?nèi)荻O管、C-低頻小功率三極管、D-低頻大功率三極管、E-隧道二極管。金山區(qū)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體器件設(shè)備圖片

兩個(gè)結(jié)之間的一薄層半導(dǎo)體材料稱為基區(qū)。接在發(fā)射結(jié)一端和集電結(jié)一端的兩個(gè)電極分別稱為發(fā)射極和集電極。接在基區(qū)上的電極稱為基極。在應(yīng)用時(shí),發(fā)射結(jié)處于正向偏置,集電極處于反向偏置。通過(guò)發(fā)射結(jié)的電流使大量的少數(shù)載流子注入到基區(qū)里,這些少數(shù)載流子靠擴(kuò)散遷移到集電結(jié)而形成集電極電流,只有極少量的少數(shù)載流子在基區(qū)內(nèi)復(fù)合而形成基極電流。集電極電流與基極電流之比稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)。在共發(fā)射極電路中,微小的基極電流變化可以控制很大的集電極電流變化,這就是雙極型晶體管的電流放大效應(yīng)。雙極型晶體管可分為NPN型和PNP型兩類。金山區(qū)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體器件設(shè)備圖片

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