據(jù)在不同溫度下固結(jié)的氧化鋁陶瓷的密度，在900℃時(60.3%)，1100℃(81.9%)和1300℃(97.4%)，對應(yīng)于陶瓷燒結(jié)的初始、中間和**終階段。也就是說，無論在燒結(jié)的初始階段、中間階段或**終階段，施加振蕩壓力，它都有助于加速致密化。此外，施加振蕩壓力的溫度越高，越有利于致密化。在燒結(jié)的中間和***階段使用振蕩壓力也可以促進(jìn)陶瓷的凝固。在所有三個階段中，暴露于振蕩壓力下的樣品的密度遠(yuǎn)高于通過一步躍點(diǎn)或高壓燒結(jié)的樣品的密度。通過HP獲得的樣品顯示出比HOP燒結(jié)樣品更多孔的結(jié)構(gòu)和更大的晶粒尺寸(1.75±0.27μm)。反過來，在HOP-ALL組的樣品中發(fā)現(xiàn)**小的晶粒尺寸(1.41±0.32μm)。因此，HOP-900、HOP-1100和HOP-1300試樣的粒度介于HP-ALL和HOP-ALL之間。振蕩壓力對晶粒生長的影響可能來自晶界能量的降低或曲率半徑的增加，或兩者兼而有之。OPS燒結(jié)樣品的硬度高于HP燒結(jié)樣品的硬度；HOP1300的硬度高于HOP-1100和HOP-900。HOP-ALL組ce分支的硬度值比較高(20.98±0.25GPa)。霍爾-佩奇效應(yīng)描述了陶瓷材料的硬度取決于晶粒尺寸和孔隙率。2025華南國際先進(jìn)陶瓷展誠邀您參展觀展！冷燒結(jié)技術(shù)：先進(jìn)陶瓷材料低溫?zé)Y(jié)的新方案！9月份來華南國際先進(jìn)陶瓷，探討燒結(jié)技術(shù)新方向！3月10日-12日中國上海市國際先進(jìn)陶瓷與粉末冶金展覽會

氧化鋁陶瓷因其優(yōu)良的力學(xué)性能、電性能、化學(xué)穩(wěn)定性，是目前應(yīng)用***的一種陶瓷材料。但是其具有脆性較大、斷裂韌性較差的特點(diǎn)，斷裂韌性一般為2.5~4.5MPa·m1/2，嚴(yán)重限制了其在更***領(lǐng)域的應(yīng)用，由此，提升氧化鋁陶瓷的斷裂韌性成為行業(yè)內(nèi)的研究重點(diǎn)之一。而氧化鋯增韌氧化鋁（zirconia toughened alumina，ZTA）陶瓷結(jié)合了氧化鋁的**度和硬度與氧化鋯的韌性，成為備受關(guān)注的先進(jìn)陶瓷材料。目前，提高氧化鋁陶瓷斷裂韌性有許多途徑，主要可以分成以下三種：1）在氧化鋁陶瓷的基體中引入第二相，使其填充到氧化鋁的晶界處，從而有利于阻斷裂紋的傳播，進(jìn)而提高陶瓷的斷裂韌性。2）加入Al2O3籽晶，能促使晶粒的異向生長，異向生長會形成片狀以及柱狀的晶粒，這種晶粒類似于晶須，從而對陶瓷有裂紋偏移、晶粒拔出、連接增韌的作用。3）通過粉體的合成過程或陶瓷的制備過程中形成缺陷分布，從而改善氧化鋁陶瓷的斷裂韌性。從整體上來看，應(yīng)用價值比較高的方式為氧化鋯增韌，將氧化鋯(ZrO2)引入到Al2O3陶瓷中,可制得氧化鋯增韌氧化鋁陶瓷(ZTA)。2025華南國際先進(jìn)陶瓷展誠邀您參展觀展，就在9月10-12日，深圳會展中心（福田）2號館！2025年9月10日至12日上海市國際先進(jìn)陶瓷展國產(chǎn)替代浪潮起，高新MLCC產(chǎn)能加速釋放！來9月華南國際先進(jìn)陶瓷展，了解陶瓷電容器行業(yè)新導(dǎo)向！

MLCC（Multi-layer Ceramic Capacitors）是片式多層陶瓷電容器英文縮寫。是由印好電極（內(nèi)電極）的陶瓷介質(zhì)膜片以錯位的方式疊合起來，經(jīng)過一次性高溫?zé)Y(jié)形成陶瓷芯片，再在芯片的兩端封上金屬層（外電極），從而形成一個類似獨(dú)石的結(jié)構(gòu)體，故也叫獨(dú)石電容器。可以看到，內(nèi)部電極通過一層層疊起來，來增大電容兩極板的面積，從而增大電容量。陶瓷介質(zhì)即為內(nèi)部填充介質(zhì)，不同的介質(zhì)做成的電容器的特性不同，有容量大的，有溫度特性好的，有頻率特性好的等等，這也是為什么陶瓷電容有這么多種類的原因。2025華南國際先進(jìn)陶瓷展，誠邀您參展觀展，就在9月10-12日，深圳福田會展中心！

根據(jù)文獻(xiàn)資料，冷燒結(jié)（CSP）過程通常包括溶劑添加、單向壓力施加以及溫度升高等關(guān)鍵步驟，具體操作流程如下：首先，在陶瓷粉末中摻入適量的溶劑，這樣做的目的是為了確保粉末顆粒表面能夠均勻地被溶劑覆蓋，從而促進(jìn)液相與固相之間的緊密結(jié)合。接著，將預(yù)濕的陶瓷粉末倒入室溫或預(yù)熱的模具中，并利用液壓機(jī)或機(jī)械裝置施加單向壓力。當(dāng)壓力達(dá)到預(yù)設(shè)的最大值時，通過模具頂部和底部的熱壓板或環(huán)繞模具的電加熱裝置提供熱量（低于400℃），進(jìn)而形成結(jié)構(gòu)較為致密的燒結(jié)陶瓷體。部分研究表明，通過冷燒結(jié)得到的陶瓷材料，其晶粒生長可能不完全，晶界處可能含有非晶態(tài)物質(zhì)。因此，為了進(jìn)一步提升樣品的致密度，并獲得更優(yōu)的結(jié)構(gòu)與性能，需要對燒結(jié)后的樣品進(jìn)行進(jìn)一步的處理。從這些步驟中可以看出，CSP技術(shù)采用的是開放式系統(tǒng)，允許溶劑通過模具的縫隙揮發(fā)。與需要特殊密封反應(yīng)容器（例如高壓熱壓，HHP）或昂貴電極（例如火花燒結(jié)，F(xiàn)S）的其他低溫?zé)Y(jié)技術(shù)相比，CSP技術(shù)因其設(shè)備簡單而顯得更加便捷和實(shí)用。2025華南國際先進(jìn)陶瓷展誠邀您參展觀展！共繪產(chǎn)業(yè)藍(lán)圖，智啟未來新篇！就在9月10-12日，深圳福田會展中心，華南國際先進(jìn)陶瓷展！

半導(dǎo)體晶圓芯片的制程主要涵蓋三段：（前段）晶片制造，（中段）芯片制造，（后段）封裝測試。（前段）晶片制造這一過程主要包括：拉單晶、磨外圓、切片、倒角、研磨拋光、清洗、檢測；（中段）晶圓芯片制造主要包括：氧化、擴(kuò)散等熱處理、薄膜沉積（CVD,PVD）、光刻、刻蝕、離子注入、金屬化、研磨拋光、測試；（后段）封裝測試主要涉及晶圓芯片切割、引線鍵合、塑封、測試等。整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈包括IC設(shè)計(jì)、IC制造、IC封裝測試幾大部分。涉及的關(guān)鍵工藝制程和設(shè)備包括：光刻、刻蝕、離子注入、薄膜沉積、化學(xué)機(jī)械拋光、高溫?zé)崽幚怼⒎庋b、測試等。2025華南國際先進(jìn)陶瓷展將于9月10-12日在深圳會展中心（福田）2號館盛大開幕！群英薈萃！9月華南國際先進(jìn)陶瓷展邀您赴會，共探行業(yè)新機(jī)遇！2024年3月6日先進(jìn)陶瓷產(chǎn)業(yè)博覽會

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提到如何提高球磨機(jī)的產(chǎn)量，人們首先考慮的就是研磨體級配。其實(shí)，還有一個比較容易控制但常被人們忽略的工藝參數(shù)就是料球比，它對產(chǎn)量的影響可達(dá)5%~10%。料球比是指球磨機(jī)內(nèi)物料與研磨體的質(zhì)量之比。料球比實(shí)際上也就是各倉的料層厚度，它與磨內(nèi)的物料流速密切相關(guān)。傳統(tǒng)觀念認(rèn)為一倉應(yīng)露“半球”，二倉料面與球面相等，三倉研磨體上應(yīng)有10~20mm料層。 影響球磨機(jī)內(nèi)料球比的三個零件：它們分別是隔倉板、揚(yáng)料板與卸料錐。物料在球磨機(jī)內(nèi)通過雙層隔倉板的過程是：物料首先通過隔倉板篦孔進(jìn)入卸料倉，被隨磨機(jī)旋轉(zhuǎn)的揚(yáng)料板帶到一定高度后在重力作用下沿?fù)P料板面滑到卸料錐，再沿卸料錐斜面進(jìn)入下一倉。上述3個零件中的任何一個的變化都會影響磨內(nèi)的料球比。2025華南國際先進(jìn)陶瓷展，9月10-12日，深圳福田會展中心！ 3月10日-12日中國上海市國際先進(jìn)陶瓷與粉末冶金展覽會