當(dāng)您外出旅行攜帶行李通過(guò)安檢時(shí)，當(dāng)患者就診做CT造影時(shí)，您或許不知道閃爍晶體正在為人們的安全和健康作出貢獻(xiàn)。事實(shí)上，閃爍晶體作為高級(jí)射線探測(cè)裝備關(guān)鍵部件的關(guān)鍵材料。隨著高重頻輻射成像技術(shù)的發(fā)展和時(shí)間飛行技術(shù)在核醫(yī)學(xué)成像領(lǐng)域的應(yīng)用，超快閃爍晶體的重要性愈加凸顯，已經(jīng)成為閃爍晶體研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)方向。閃爍晶體是單晶態(tài)的閃爍體材料，是應(yīng)用較廣的一類閃爍體材料，在高能物理、核物理、天體物理、安全檢查、醫(yī)學(xué)成像、工業(yè)探傷、環(huán)境監(jiān)控以及資源、能源勘探等諸多與國(guó)計(jì)民生息息相關(guān)領(lǐng)域，具有非常廣的應(yīng)用。例如，在地鐵站和機(jī)場(chǎng)等場(chǎng)所使用的行包安檢機(jī)，就是利用閃爍晶體探測(cè)穿透行包的X射線，從而實(shí)現(xiàn)不開箱查驗(yàn)管制刀具等違禁物品。CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫。山西進(jìn)口CeYAG晶體作用

一種藍(lán)光半導(dǎo)體激光器激發(fā)CeYAG晶體的激光照明系統(tǒng)，包括藍(lán)光半導(dǎo)體激光器，光學(xué)耦合透鏡組，光纖，CeYAG晶體模塊，光學(xué)透鏡組，上述元件依次排列于同一光路上.其中N個(gè)(N≥1)藍(lán)光半導(dǎo)體激光器經(jīng)過(guò)光學(xué)耦合透鏡組的準(zhǔn)直和聚焦，耦合進(jìn)光纖，多根光纖可以進(jìn)行捆綁合束，也可以進(jìn)行熔融拉錐合束，從光纖出來(lái)的藍(lán)光半導(dǎo)體激光激發(fā)具有高激光損傷閾值的CeYAG晶體模塊，產(chǎn)生490～700nm波段的熒光(即受激發(fā)熒光)，并通過(guò)對(duì)CeYAG晶體模塊的光學(xué)設(shè)計(jì)達(dá)到對(duì)透射的藍(lán)色激光和受激發(fā)熒光的勻化，光學(xué)透鏡組對(duì)CeYAG晶體模塊勻化后的光線進(jìn)行配光曲線的調(diào)節(jié)，從而產(chǎn)生用于照明領(lǐng)域的均勻白光。廣東雙折射CeYAG晶體型號(hào)CeYAG晶體和透明陶瓷的光學(xué)和閃爍性能，采用溫梯法制備。

什么是閃爍晶體？對(duì)于閃爍晶體你了解得多嗎？它應(yīng)用在哪些方面呢？在醫(yī)學(xué)上，閃爍晶體是核醫(yī)學(xué)影像設(shè)備比如X光、CT等檢查設(shè)備的關(guān)鍵部件。同時(shí)，在行李安檢、集裝箱檢查、大型工業(yè)設(shè)備無(wú)損探傷、石油測(cè)井、放射性探測(cè)、環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域，閃爍晶體都發(fā)揮著不可替代的作用。既然說(shuō)閃爍晶體是典型的光電轉(zhuǎn)換材料，那么測(cè)試閃爍晶體的發(fā)射光譜就必不可少了。此類材料主要用X射線做激發(fā)，用可見波段響應(yīng)的探測(cè)器進(jìn)行探測(cè)采集。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭?/p>

CeYAG晶體的一些相關(guān)知識(shí)你知道多少呢？和小編一起來(lái)看看吧，采用真空坩堝下降法生長(zhǎng)了白色發(fā)光二極管（LED）用CeYAG晶體，該生長(zhǎng)方法所得晶體的Ce3+摻雜濃度較高，相對(duì)色溫（3751K）低于傳統(tǒng)方法所生長(zhǎng)的CeYAG晶體，其激發(fā)峰是位于460 nm左右的寬峰，與藍(lán)光LED的發(fā)射波長(zhǎng)相匹配，有望代替黃色熒光粉用于白光LED。隨驅(qū)動(dòng)電流增加，白光LED的發(fā)光效率逐漸降低，相對(duì)色溫幾乎不變。在100mA時(shí)，白光LED顯色指數(shù)達(dá)到較大值。CeYAG晶體可以用在LED照明上嗎？Ce：YAG晶體的硬度能達(dá)到多少？高光輸出快速衰減無(wú)機(jī)閃爍晶體的興起。CeYAG晶體，屬于無(wú)機(jī)閃爍體。

發(fā)光中心分布在晶體中分布不均勻?qū)?huì)導(dǎo)致探測(cè)元件閃爍性能的差異，在一定程度上降低了閃爍探測(cè)器的整機(jī)性能。研究表明，Ce:YAG晶體的閃爍性能對(duì)Ce3+離子濃度有較強(qiáng)的依賴關(guān)系。下列圖表分別表示了Ce:YAG閃爍晶體的光輸出和衰減常數(shù)(快成分與慢成分)隨Ce離子的濃度的變化關(guān)系。從表1-12中可以看出隨著濃度的增加（0.012%-0.21%），Ce:YAG晶體的光輸出增大（1000－1420phe/Mev），當(dāng)濃度繼續(xù)增加到1.08%時(shí)，其光輸出又減小為1270phe/Mev。 結(jié)果表明溫梯法生長(zhǎng)的Ce: YAG 晶體在高能射線和中子探測(cè)方面具有較大的應(yīng)用價(jià)值。Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能，而且具有良好的光脈沖分辨射線和粒子的能力。湖南進(jìn)口CeYAG晶體制造

CeYAG閃爍晶體具有快衰減時(shí)間。山西進(jìn)口CeYAG晶體作用

閃爍晶體的本質(zhì)是一種能量轉(zhuǎn)換器，所以能量轉(zhuǎn)換效率()是表征所有閃爍晶體0基本的參數(shù)，是指閃爍晶體輻射的光子能量(Ep)與閃爍晶體吸收的總能量(er)之比。閃爍晶體發(fā)射光子的平均能量是發(fā)射的閃爍光子數(shù)。光輸出(LR)是反映閃爍體晶體，能量轉(zhuǎn)換效率的重要的物理參數(shù)，是指閃爍體吸收并消耗1mV射線能量后發(fā)出的可見/紫外光子數(shù)。即閃爍過(guò)程中產(chǎn)生的閃爍光子數(shù)與閃爍晶體中光線或粒子損失的能量之比。除了熔點(diǎn)溫度高（1970oC）外， Ce:YAG晶體中存在的主要缺點(diǎn)是Ce離子在晶體中的分布不均勻，主要是由于Ce3+(0.118nm)和Y3+(0.106nm)離子的半徑相差較大，其分凝系數(shù)較小（~ 0.1）造成的。山西進(jìn)口CeYAG晶體作用

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