實驗測試在上海硅酸鹽研究所自行研制的激光脈沖法高溫熱擴散率測定儀上進行，測試時樣品表面加SiC吸收涂層。 YAP晶體屬于什么結(jié)構(gòu)？Tm:YAP晶體熒光譜及熒光壽命的溫度依賴特性多少？(1)渡族金屬離子。渡族金屬離子，如鉻(Cr3)、鈦(Ti3)、鎳(Ni3)、鈷(Co2)等。在這類活化離子中，不完全電子殼層是**外層的電子殼層，沒有外層電子的屏蔽作用，因此活化離子的能級和發(fā)光特性明顯受到基質(zhì)晶場的影響。(2)錒系金屬離子。由于錒系元素具有放射性，難以制備，只有鈾(U3)可以作為摻雜的活性離子獲得激光作用。1.22米激光器的研究進展稀土金屬是位于元素周期表ⅢB族中鈧、釔、鑭系17種元素的總稱，頭一個稀土元素發(fā)現(xiàn)距今已有227年。上海激光二極管抽運TmYAP晶體批發(fā)廠家

比較了3at%Tm:YAP晶體在H2退火前后的激光性能。H2退火后3at% tm3360yap晶體的斜率效率比未退火時高40%。如圖4-23所示，可以看出H2退火減少了雜質(zhì)離子(Fe3等。)和晶體中的缺陷，提高晶體的激光性能。具體原因需要進一步分析。Tm3離子在790nm附近的吸收與商用二極管匹配良好，量子效率接近200%。摻Tm3激光器可用作Ho3激光器和中紅外參量振蕩器的泵浦源。摻tm3激光器是近年來2m激光器的重點研究方向之一，以摻Tm3激光晶體為工作物質(zhì)的LDPSSL是目前摻Tm3激光器的主要發(fā)展方向之一。上海激光二極管抽運TmYAP晶體批發(fā)廠家Tm:YAP晶體具有良好的力學(xué)和熱力學(xué)性能。

不同濃度Tm:YAP與純YAP的XRD譜，根據(jù)衍射數(shù)據(jù)算得不同濃度Tm:YAP晶體的晶胞參數(shù)示，其晶格常數(shù)a、b、c及晶胞體積分別略小于純YAP相應(yīng)值，并且基本上隨Tm3+摻雜濃度增大而進一步減小，但總得說來，基質(zhì)晶體結(jié)構(gòu)的畸變較小。這主要是因為Tm3+與Y3+同屬于鑭系的三價稀土離子，Tm3+的半徑0.88 ?略小于Y3+的半徑（0.9 ?），因此Tm3+的摻入使晶胞參數(shù)略微減小而不會改變YAP基質(zhì)晶體的結(jié)構(gòu)。2m激光的發(fā)射波長范圍一般為1.87-2.16米，主要以Tm3和Ho3作為活性離子。2m固體激光器由于其在水中的吸收系數(shù)高、大氣傳輸性好、對人眼安全等優(yōu)點，在醫(yī)學(xué)領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用，主要體現(xiàn)在以下幾個方面：醫(yī)用手術(shù)刀。

用直拉法成功地生長了濃度分別為1at%、3at%、4at%、5at%和15at%的Tm:YAP晶體，這些晶體均具有較高的光學(xué)質(zhì)量，無宏觀缺陷。用XRD和ICP分析了晶體結(jié)構(gòu)和偏析特征，用激光脈沖法測試了TM3360YAP晶體的熱導(dǎo)率。結(jié)果表明，隨著摻雜濃度的增加，TM3360YAP晶體的熱導(dǎo)率***降低。測試和分析了不同濃度的Tm:YAP晶體的吸收和熒光特性及其溫度依賴性。高濃度摻雜晶體表現(xiàn)出熒光猝滅現(xiàn)象。不同濃度的偏振熒光光譜顯示，在1934 nm，濃度為5%時，在E//a方向的比較大發(fā)射截面為4.510-21cm2，發(fā)射峰寬而平。TmYAP晶體的H6和H4能級的吸收帶峰值為795nm。

半導(dǎo)體中的稀土稀土金屬，稀有金屬和稀散金屬共同組成了“三稀金屬”，而三稀金屬被應(yīng)用在工業(yè)領(lǐng)域的各個方面，尤其是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。比如第二代半導(dǎo)體材料砷化鎵，碲化銦，第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵等，此外稀土金屬還在拋光、靶材、激光燈方面，以其優(yōu)異的物理和化學(xué)屬性發(fā)揮著巨大作用。稀土常被用作拋光材料，氧化鈰是拋光粉較常用的材料，其中高鈰拋光粉主要用于石英、光學(xué)鏡頭等硬質(zhì)玻璃長時間循環(huán)拋光；中鈰拋光粉用于中等精度的光學(xué)鏡頭及液晶顯示器等工件的拋光；低鈰拋光粉主要用于平板、顯像管玻璃等拋光。TmYAP晶體2mm波段激光輸出效率高于TmYAG。上海激光二極管抽運TmYAP晶體批發(fā)廠家

TmYAP 的 H4 和 F4 能級的自淬滅機制可在上能級產(chǎn)生雙光子。上海激光二極管抽運TmYAP晶體批發(fā)廠家

共摻Tm3和Ho3固態(tài)激光器。Ho3的5I7能級與Tm3的3F4能級相匹配，很容易實現(xiàn)它們之間的有效能量傳遞。利用ho3 敏化，高能脈沖激光可以實現(xiàn)2m焦耳以上的輸出。但是，Tm3和Ho3之間容易發(fā)生上轉(zhuǎn)換發(fā)光和反向能量轉(zhuǎn)移，影響上能級粒子的聚集，降低激光效率。例如，HO:LULIF4激光器的比較高單脈沖能量可達1J，而其比較高斜率效率*為16.5%。因此，開發(fā)Tm3和Ho3共摻固體激光器的關(guān)鍵是找到合適的激光基質(zhì)來提高Tm3和Ho3之間的能量轉(zhuǎn)移效率，從而提高激光輸出效率。上海激光二極管抽運TmYAP晶體批發(fā)廠家