YbYAG晶體主要特點：簡單的電子結(jié)構(gòu)排除了激發(fā)態(tài)吸收和各種有害的猝滅過程。940 nm寬吸收帶2F5/2鐿能級的壽命。低量子缺陷?？筛鶕?jù)要求提供定制。YbYAG晶體主要應用：材料加工，微加工，焊接，切割。高功率薄盤激光器。YbYAG晶體技術(shù)特性：吸收峰波長942nm。峰值吸收截面7，7×10-21厘米2。峰值吸收帶寬18nm。激光波長1030nm。壽命2F5/2鐿能級950μs。發(fā)射截面@1030nm 2，1×10-20厘米2。折射率@632，8nm 1，83。晶體結(jié)構(gòu)立方體。由于晶體中含有Yb2+，使晶格發(fā)生畸變，不但使晶格缺陷大量增加，而且也對Yb3+的能級結(jié)構(gòu)造成不利影響。導致了370nm和625nm處存在吸收波段和Re-F色心的形成。YbYAG晶體低溫下的選擇激發(fā)熒光光譜進一步表明了Yb3+離子強的電子-聲子耦合作用的存在。重慶國產(chǎn)YbYAG晶體制造
對YbYAG晶體感興趣的可以來看看下文的一些相關(guān)知識的介紹，激光二極管抽運低溫YbYAG再生放大器，對YbYAG晶體熒光譜線的分析，討論了其低溫條件下的增益特性.利用激光二極管作為抽運源，采用背向端面抽運方式，使用摻雜原子數(shù)分數(shù)為8%的片狀YbYAG晶體，搭建了一臺低溫條件下工作的再生放大器。通過小能量信號光注入，在-90℃的低溫下，可以得到重復頻率10Hz，脈寬10ns，能量10.3mJ的激光脈沖輸出，放大倍數(shù)達107倍。希望以上的介紹能夠?qū)δ阌袔椭?。湖北品質(zhì)YbYAG晶體定制YbYAG晶體應用領(lǐng)域：先進制造。
YbYAG晶體的優(yōu)勢：1、高斜率效率。2、高光學質(zhì)量。3、熱導率高，機械強度高。4、無激發(fā)態(tài)吸收和上轉(zhuǎn)換。5、單位泵浦功率產(chǎn)生的熱負荷比NdYAG晶體低。6、二極管泵浦吸收帶寬約8nm@940nm，適合常用的高功率InGaAs激光二極管（波長940nm或970nm)泵浦。在YbYAG晶體中發(fā)現(xiàn)濃度猝滅現(xiàn)象，對猝滅機制進行了分析研究。指出退火前晶體的熒光濃度猝滅現(xiàn)象主要由Yb2＋、色心和由此產(chǎn)生的晶格畸變所致。高摻雜濃度時痕量稀土雜質(zhì)離子的存在也將導致濃度猝滅．確定了YbYAG晶體中Yb3+的理想摻雜濃度。
YbYAG晶體的熱學性質(zhì)及其對激光性能的影響，對于中頻感應加熱提拉法(Czochralski Method)生長的高摻雜濃度(原子數(shù)分數(shù)0.30)YbYAG晶體，經(jīng)退火后采用差示掃描量熱計法測量了晶體的比熱容，通過激光脈沖法測量了不同摻雜濃度(原子數(shù)分數(shù)0.05～0.30YbYAG晶體的熱擴散率和熱導率。實驗表明，隨著Yb3+離子濃度增加，YbYAG晶體在300 K溫度下的導熱性能有明顯的降低。原子數(shù)分數(shù)為0.30的YbYAG晶體的激光實驗表明，高摻雜濃度YbYAG晶體熱導率的降低導致了激光閾值的增加。bYAG晶體光纖和晶體細棒實現(xiàn)了平均功率大于70W的高效超快激光輸出。
YbYAG晶體的可見熒光及其機理研究，在半導體InGaAs激光激發(fā)YbYAG晶體的熒光中，有一組位于460~494 nm的可見熒光，分析了這些可見熒光產(chǎn)生的原因，指出它不同于紅外熒光的發(fā)光機理，是一種離子對的合作吸收和發(fā)射.兩個離子耦合成的離子對產(chǎn)生的可見熒光，其強度隨激發(fā)功率的平方變化，提高晶體中離子對的密度，可見熒光可以得到增強。YbYAG晶體比NdYAG晶體更適用于產(chǎn)生和放大具有Hz量級重復頻率的高脈沖能量激光。作為特殊的激光工作物質(zhì)，不僅具有YAG基質(zhì)材料所具有的優(yōu)良的物理性質(zhì)和穩(wěn)定的化學性能，而且具有很好的激光工作性能。YbYAG晶體的熔點達1970℃，為一致熔融化合物。湖北品質(zhì)YbYAG晶體定制
YbYAG晶體具有量子效率高，無激發(fā)態(tài)吸收和上轉(zhuǎn)換。重慶國產(chǎn)YbYAG晶體制造
一種YbYAG激光晶體的生長方法，所用的裝置為感應加熱提拉式單晶爐，其步驟包括按照YbYAG比例稱量原料并混合均勻，置于銥坩堝中，裝爐。單晶爐緩慢抽真空、充氣和升溫。下籽晶生長晶體。晶體生長完畢緩慢降溫至室溫，出爐。其特征在于所述單晶爐緩慢抽真空、充氣和升溫的具體過程包括單晶爐緩慢抽真空至8×10-3MP，充入純氮氣，至0.12MP壓力后開始升溫，至1500℃時觀察爐內(nèi)的壓力，根據(jù)爐內(nèi)的壓力再充入1～5％的氧氣，然后再升溫熔料。這里的關(guān)鍵是采用兩步充氣的方法，是基于銥坩堝在1500℃以下的高溫段會與氧氣起強烈的反應，而超過這一溫度反應則會在一定程度上。這樣充氣過程生長的晶體出爐后無色。重慶國產(chǎn)YbYAG晶體制造