還原氧化石墨烯（RGO）在邊緣處和面內(nèi)缺陷處具有豐富的分子結(jié)合位點(diǎn)，使其成為一種很有希望的電化學(xué)傳感器材料。結(jié)合原位還原技術(shù)，有很多研究使用諸如噴涂、旋涂等基于溶液的技術(shù)手段，利用氧化石墨烯（GO）在不同基底上制造出具備石墨烯相關(guān)性質(zhì)的器件，以期在一些場(chǎng)合替代CVD制備的石墨烯。結(jié)構(gòu)決定性質(zhì)。氧化石墨烯（GO）的能級(jí)結(jié)構(gòu)由sp3雜化和sp2雜化的相對(duì)比例決定[6]，調(diào)節(jié)含氧基團(tuán)相對(duì)含量可以實(shí)現(xiàn)氧化石墨烯（GO）從絕緣體到半導(dǎo)體再到半金屬性質(zhì)的轉(zhuǎn)換氧化石墨烯（GO）的比表面積很大，厚度小。哪些氧化石墨研發(fā)

氧化石墨烯表面含有-OH和-COOH等豐富的官能團(tuán)，在水中可發(fā)生去質(zhì)子化等反應(yīng)帶有負(fù)電荷，由于靜電作用將金屬陽(yáng)離子吸附至表面；相反的，如果水中pH等環(huán)境因素發(fā)生變化，氧化石墨烯表面也可攜帶正電荷，則與金屬離子產(chǎn)生靜電斥力，二者之間的吸附作用**減弱。而靜電作用的強(qiáng)弱與氧化石墨烯表面官能團(tuán)產(chǎn)生的負(fù)電荷相關(guān)，其受環(huán)境pH值的影響較明顯。Wang44等人的研究證明，在pH＞pHpzc時(shí)（pHpzc=3.8），GO表面的官能團(tuán)可發(fā)生去質(zhì)子化反應(yīng)而帶負(fù)電，可有效吸附鈾離子U(VI)，其吸附量可達(dá)到1330mg/g。生產(chǎn)氧化石墨技術(shù)GO的摻量對(duì)于水泥復(fù)合材料的提升效果也有差異。

太赫茲技術(shù)可用于醫(yī)學(xué)診斷與成像、反恐安全檢查、通信雷達(dá)、射電天文等領(lǐng)域，將對(duì)技術(shù)創(chuàng)新、國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展以及**等領(lǐng)域產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。作為極具發(fā)展?jié)摿Φ男录夹g(shù)，2004年，美國(guó)**將THz科技評(píng)為“改變未來(lái)世界的**技術(shù)”之一，而日本于2005年1月8日更是將THz技術(shù)列為“國(guó)家支柱**重點(diǎn)戰(zhàn)略目標(biāo)”**，舉全國(guó)之力進(jìn)行研發(fā)。傳統(tǒng)的寬帶THz波可以通過(guò)光整流、光電導(dǎo)天線、激光氣體等離子體等方法產(chǎn)生，窄帶THz波可以通過(guò)太赫茲激光器、光學(xué)混頻、加速電子、光參量轉(zhuǎn)換等方法產(chǎn)生。

氧化石墨烯/還原氧化石墨烯在光電傳感領(lǐng)域的應(yīng)用，其基本依據(jù)是本章前面部分所涉及到的各種光學(xué)性質(zhì)。氧化石墨烯因含氧官能團(tuán)的存在具備了豐富的光學(xué)特性，在還原為還原氧化石墨烯的過(guò)程中，不同的還原程度又具備了不同的性質(zhì)，從結(jié)構(gòu)方面而言，是其SP2碳域與SP3碳域相互分割、相互影響、相互轉(zhuǎn)化帶來(lái)了如此豐富的特性。也正是這些官能團(tuán)的存在，使得氧化石墨烯可以方便的采用各種基于溶液的方法適應(yīng)多種場(chǎng)合的需要，克服了CVD和機(jī)械剝離石墨烯在轉(zhuǎn)移和大面積應(yīng)用時(shí)存在的缺點(diǎn)，也正是這些官能團(tuán)的存在，使其便于實(shí)現(xiàn)功能化修飾，為其在不同場(chǎng)景的應(yīng)用提供了一個(gè)廣闊的平臺(tái)。掃描隧道顯微鏡照片表明，在氧化石墨中氧原子排列為矩形。

光學(xué)材料的某些非線性性質(zhì)是實(shí)現(xiàn)高性能集成光子器件的關(guān)鍵。光子芯片的許多重要功能，如全光開(kāi)關(guān)，信號(hào)再生，超快通信都離不開(kāi)它。找尋一種具有超高三階非線性，并且易于加工各種功能性微納結(jié)構(gòu)的材料是眾多的光學(xué)科研工作者的夢(mèng)想，也是成功研制超高性能全光芯片的必由之路。超快泵浦探針光譜表明，重度功能化的具有較大SP3區(qū)域的GO材料在高激發(fā)強(qiáng)度下可以出現(xiàn)飽和吸收、雙光子吸收和多光子吸收[6][50][51][52]，這種效應(yīng)歸因于在SP3結(jié)構(gòu)域的光子中存在較大的帶隙。相反，在具有較小帶隙的SP2域中的*出現(xiàn)單光子吸收。石墨烯在飛秒脈沖激發(fā)下具有飽和吸收[52]，而氧化石墨烯在低能量下為飽和吸收，高能量下則具有反飽和吸收[51]。因此，通過(guò)控制GO氧化/還原的程度，實(shí)現(xiàn)SP2域到SP3域的比例調(diào)控，可以調(diào)整GO的非線性光學(xué)性質(zhì)，這對(duì)于高次諧波的產(chǎn)生與應(yīng)用是非常重要的。氧化石墨的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)取決于合成它的方法。常規(guī)氧化石墨生產(chǎn)企業(yè)

氧化石墨烯（GO）的光學(xué)性質(zhì)與石墨烯有著很大差別。哪些氧化石墨研發(fā)

GO作為新型的二維結(jié)構(gòu)的納米材料，具有疏水性中間片層與親水性邊緣結(jié)構(gòu)，特殊的結(jié)構(gòu)決定其優(yōu)異的***特性。GO的***活性主要有以下幾種機(jī)制：（1）機(jī)械破壞，包括物理穿刺或者切割；（2）氧化應(yīng)激引發(fā)的細(xì)菌/膜物質(zhì)破壞；（3）包覆導(dǎo)致的跨膜運(yùn)輸阻滯和（或）細(xì)菌生長(zhǎng)阻遏；（4）磷脂分子抽提理論。GO作用于細(xì)菌膜表面的殺菌機(jī)制中，主要是GO與起始分子反應(yīng)（MolecularInitiatingEvents，MIEs）[51]的作用（圖7.3），包括GO表面活性引發(fā)的磷脂過(guò)氧化，GO片層結(jié)構(gòu)對(duì)細(xì)菌膜的嵌入、包裹以及磷脂分子的提取，GO表面催化引發(fā)的活性自由基等。另外，GO的尺寸在上述不同的***機(jī)制中對(duì)***的影響也是不同的，機(jī)械破壞和磷脂分子抽提理論表明尺寸越大的GO，能表現(xiàn)出更好的***能力，而氧化應(yīng)激理論則認(rèn)為GO尺寸越小，其***效果越好。哪些氧化石墨研發(fā)