可控硅模塊的分類可控硅模塊從X芯片上看，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類，從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX）、普通整流管模塊（MDC）、普通晶閘管、整流管混合模塊（MFC）、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC）、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機(jī)專用模塊MTG\MDG）、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）、單相（三相）整流橋模塊（MDQ）、單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）以及肖特基模塊等。淄博正高電氣有限公司以高品質(zhì)，高質(zhì)量的產(chǎn)品，滿足廣大新老用戶的需求。臨沂雙向可控硅模塊生產(chǎn)廠家

可控硅模塊的出現(xiàn)已經(jīng)歷史悠久，它的出現(xiàn)也幫助人們解決了很多難題，憑借它的優(yōu)勢(shì)，使可控硅模塊在電氣行業(yè)中非常的受歡迎，下面正高來(lái)詳細(xì)的說下可控硅模塊。

可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊（semiconductormodule）。剛開始是在1970年出現(xiàn)在電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。

可控硅模塊的優(yōu)點(diǎn)體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化，價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn)，因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧，并因此得到長(zhǎng)足發(fā)展。 臨沂雙向可控硅模塊生產(chǎn)廠家淄博正高電氣有限公司周邊生態(tài)環(huán)境狀況好。

可控硅模塊散熱條件的好壞直接關(guān)系到商品的運(yùn)用壽數(shù)和短時(shí)過載才華，溫度越低模塊的輸出電流越大，所以在運(yùn)用中有必要裝備散熱器和風(fēng)機(jī)，主張選用帶有過熱維護(hù)功用的商品，有水冷散熱條件的優(yōu)先挑選水冷散熱。咱們經(jīng)過嚴(yán)肅測(cè)算，斷定了不一樣類型的商品所大概裝備的散熱器類型，推薦選用廠家配套的散熱器和風(fēng)機(jī)，用戶自備時(shí)按以下準(zhǔn)則挑選：

1、軸流風(fēng)機(jī)的風(fēng)速應(yīng)大于6m/s ；

2、有必要能確保模塊正常作業(yè)時(shí)散熱底板溫度不大于80℃；

3、模塊負(fù)載較輕時(shí)，可減小散熱器的大小或選用天然冷卻；

4、選用天然辦法冷卻時(shí)散熱器周圍的空氣能結(jié)束對(duì)流并恰當(dāng)增大散熱器面積；

5、悉數(shù)緊固模塊的螺釘有必要擰緊，壓線端子聯(lián)接強(qiáng)健，以削減次生熱量的發(fā)生，模塊底板和散熱器之間有必要要涂敷一層導(dǎo)熱硅脂或墊上一片底板大小的導(dǎo)熱墊，以抵達(dá)良好散熱作用。

可控硅模塊在應(yīng)用電路中的作用體現(xiàn)在：

可控整流器：如二極管整流器，交流整流器整流為直流，在交流電壓不變的情況下，可有效控制直流輸出電壓，實(shí)現(xiàn)交流/直流的轉(zhuǎn)換。

無(wú)觸點(diǎn)電源靜態(tài)開關(guān)（固態(tài)開關(guān)）：晶閘管模塊作為電源開關(guān)元件，可在開關(guān)頻率較高的場(chǎng)合替代接觸器和繼電器。

因此，可控硅模塊普遍應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電子產(chǎn)品中，如可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)等。晶閘管模塊廣泛應(yīng)用于家用電器的工業(yè)控制領(lǐng)域，如調(diào)光燈、調(diào)速風(fēng)扇、空調(diào)、熱水器、電視、冰箱、洗衣機(jī)、照相機(jī)、音響組合、語(yǔ)音控制電路、定時(shí)控制器、感應(yīng)燈、圣誕燈控制器、自動(dòng)門電路、玩具裝置等。電動(dòng)工具產(chǎn)品、無(wú)線電遙控電路、攝像機(jī)等領(lǐng)域都大量的使用了可控硅模塊。 不斷開發(fā)新的產(chǎn)品，并建立了完善的服務(wù)體系。

雙向可控硅晶閘管使用中，應(yīng)特別注意以下事項(xiàng)：

1.靈敏度

雙向可控硅是一個(gè)三端元件，但我們不再稱其兩極為陰陽(yáng)極，而是稱作T1和T2極，G為控制極，其控制極上所加電壓無(wú)論為正向觸發(fā)脈沖或負(fù)向觸發(fā)脈沖均可使控制極導(dǎo)通，但是觸發(fā)靈敏度互不相同，即保證雙向可控硅能進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的較小門極電流IGT是有區(qū)別的。

2.可控硅過載的保護(hù)

可控硅元件優(yōu)點(diǎn)很多，但是它過載能力差，短時(shí)間的過流，過壓都會(huì)造成元件損壞，因此為保證元件正常工作，需有條件：

（1）外加電壓下允許超過正向轉(zhuǎn)折電壓，否則控制極將不起作用；

（2）可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的1.5~2倍來(lái)??；

（3）為保證控制極可靠觸發(fā)，加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值，除此以外，還必須采取保護(hù)措施，一般對(duì)過流的保護(hù)措施是在電路中串入快速熔斷器，其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流側(cè)或直流側(cè)，當(dāng)在交流側(cè)時(shí)額定電流取大些，一般多采用前者，過電壓保護(hù)常發(fā)生在存在電感的電路上，或交流側(cè)出現(xiàn)干擾的浪涌電壓或交流側(cè)的暫態(tài)過程產(chǎn)生的過壓。由于，過電壓的尖峰高，作用時(shí)間短，常采用電阻和電容吸收電路加以。

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接下來(lái)需要檢測(cè)的是控制極與陰極之間的PN結(jié)是否損壞。我們可以用萬(wàn)用表的R×1k或R×10k擋測(cè)陽(yáng)極與控制極之間的電阻，正反向測(cè)量阻值均應(yīng)幾百千歐以上，若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋，測(cè)控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右，如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或?yàn)闊o(wú)窮大，表明控制極與陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞。反向阻值應(yīng)很大，但不能為無(wú)窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。

  如果想要判斷可控硅是否已經(jīng)被擊穿損壞，工程師可以使用萬(wàn)用表選電阻R×1擋，然后將黑表筆接陽(yáng)極，紅表筆仍接陰極，此時(shí)萬(wàn)用表指針應(yīng)不動(dòng)。紅表筆接陰極不動(dòng)，黑表筆在不脫開陽(yáng)極的同時(shí)用表筆尖去瞬間短接控制極，此時(shí)萬(wàn)用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽(yáng)極接黑表筆，陰極接紅表筆時(shí)，萬(wàn)用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說明該單向可控硅已擊穿損壞。 臨沂雙向可控硅模塊生產(chǎn)廠家

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