強(qiáng)型120A增強(qiáng)型150A增強(qiáng)型200A增強(qiáng)型300A增強(qiáng)型400A型號(hào)LSR-H3Z50D3LSR-H3Z50D2LSR-H3Z50A3LSR-H3P50D1H3Z70D3H3Z70D2H3Z70A3H3P70D1H3Z90D3H3Z90D2H3Z90A3H3P90D1H3100ZFH3Z120D3H3Z120D2H3Z120A3H3P120D1H3120ZFH3Z150D3H3Z150D2H3P150D1H3150ZEH3Z200D3H3Z200D2H3P200D1H3200ZEH3Z300D3H3Z300D2H3P300D1H3300ZDH3Z400D3H3Z400D2H3P400D1H3400Z㈤技術(shù)參數(shù)輸入?yún)?shù)輸入電壓范圍D3：3-36Vdc，D2：18-30Vdc，A3：90-430Vac，D1：4-8Vdc輸入電流5mA-15mA反接保護(hù)有LED指示有輸出參數(shù)額定工作電壓4：48~480Vac，3：36-430Vac，2：24-265Vac，1：12-135Vac輸出通態(tài)壓降＜2Vac斷態(tài)峰值截止電壓Vp4：≥1100Vpk，3：≥900Vpk，2：≥600Vpk，1：≥400Vpk浪涌電流（電網(wǎng)一周）800%最小負(fù)載電流100mA輸出漏電流16A及以下＜2mA，16A以上＜12mA靜態(tài)電壓上升率dVs/dt100V/μs（普通型）、200V/μs（增強(qiáng)型）換向電壓上升率dVc/dt10V/μs（普通型）、200V/μs（增強(qiáng)型）開(kāi)啟比較大響應(yīng)時(shí)間10ms關(guān)斷比較大延時(shí)10ms其它參數(shù)介質(zhì)耐壓（輸入、輸出及外殼間）≥2000Vac絕緣電阻（輸入、輸出及外殼間）＞1000MΩ。正高電氣我們完善的售后服務(wù)，讓客戶(hù)買(mǎi)的放心，用的安心。鞍山電磁吸盤(pán)三相整流調(diào)壓模塊

    當(dāng)正向電壓超過(guò)其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會(huì)誤導(dǎo)通，引發(fā)電路故障；當(dāng)外加反向電壓超過(guò)其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí)，晶閘管就會(huì)立即損壞。因此，必須研究過(guò)電壓的產(chǎn)生原因及過(guò)電壓的方法。過(guò)電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲(chǔ)能發(fā)生了激烈的變化，使得系統(tǒng)來(lái)不及轉(zhuǎn)換，或者系統(tǒng)中原來(lái)積聚的電磁能量來(lái)不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來(lái)沖擊引起的過(guò)電壓和開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉引起的沖擊電壓兩種類(lèi)型。由雷擊或高壓斷路器動(dòng)作等產(chǎn)生的過(guò)電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰，對(duì)晶閘管是很危險(xiǎn)的。由開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉引起的沖擊電壓又分為如下幾類(lèi)：（1）交流電源接通、斷開(kāi)產(chǎn)生的過(guò)電壓例如，交流開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉、交流側(cè)熔斷器的熔斷等引起的過(guò)電壓，這些過(guò)電壓由于變壓器繞組的分布電容、漏抗造成的諧振回路、電容分壓等使過(guò)電壓數(shù)值為正常值的2至10多倍。一般地，開(kāi)閉速度越快過(guò)電壓越高，在空載情況下斷開(kāi)回路將會(huì)有更高的過(guò)電壓。。2）直流側(cè)產(chǎn)生的過(guò)電壓如切斷回路的電感較大或者切斷時(shí)的電流值較大，都會(huì)產(chǎn)生比較大的過(guò)電壓。這種情況常出現(xiàn)于切除負(fù)載、正在導(dǎo)通的晶閘管開(kāi)路或是快速熔斷器熔體燒斷等原因引起電流突變等場(chǎng)合。。聊城晶閘管模塊供應(yīng)商正高電氣公司自成立以來(lái)，一直專(zhuān)注于對(duì)產(chǎn)品的精耕細(xì)作。

晶閘管模塊的工作條件：

1.當(dāng)晶閘管模塊承受正向陽(yáng)極電壓時(shí)，只有在門(mén)級(jí)承受正向電壓時(shí)，晶閘管才打開(kāi)。此時(shí)，晶閘管處于正導(dǎo)通狀態(tài)，這就是晶閘管的晶閘管特性，即可控特性。

2.晶閘管模塊開(kāi)著時(shí)，只要有一定的正極電壓，不管門(mén)級(jí)電壓是多少，晶閘管都繼續(xù)工作，即晶閘管接通后，門(mén)級(jí)就失去了功能。門(mén)級(jí)只會(huì)起到觸發(fā)的作用。

3.當(dāng)主電路電壓（或電流）降至接近零時(shí)，當(dāng)主電路電壓（或電流）降為零時(shí)，晶閘管模塊被關(guān)閉。

4.當(dāng)晶閘管模塊承受反向陽(yáng)極電壓時(shí)，無(wú)論門(mén)級(jí)承受何種電壓，晶閘管都處于反向閉鎖狀態(tài)。在中頻爐中整流側(cè)關(guān)斷時(shí)間采用KP-60微秒以?xún)?nèi)，逆變側(cè)關(guān)短時(shí)間采用KK-30微秒以?xún)?nèi)。

    3）換相沖擊電壓包括換相過(guò)電壓和換相振蕩過(guò)電壓。換相過(guò)電壓是由于晶閘管的電流降為0時(shí)器件內(nèi)部各結(jié)層殘存載流子復(fù)合所產(chǎn)生的，所以又叫載流子積蓄效應(yīng)引起的過(guò)電壓。換相過(guò)電壓之后，出現(xiàn)換相振蕩過(guò)電壓，它是由于電感、電容形成共振產(chǎn)生的振蕩電壓，其值和換相結(jié)束后的反向電壓有關(guān)。反向電壓越高，換相振蕩過(guò)電壓也越大。針對(duì)形成過(guò)電壓的不同原因，可以采取不同的方法，如減少過(guò)電壓源，并使過(guò)電壓幅值衰減；過(guò)電壓能量上升的速率，延緩已產(chǎn)生能量的消散速度，增加其消散的途徑；采用電子線(xiàn)路進(jìn)行保護(hù)等。最常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散，常稱(chēng)之為吸收回路或緩沖電路。（4）阻容吸收回路通常過(guò)電壓均具有較高的頻率，因此常用電容作為吸收元件，為防止振蕩，常加阻尼電阻，構(gòu)成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在電路的交流側(cè)、直流側(cè)，或并接在晶閘管的陽(yáng)極和陰極之間。吸收電路比較好選用無(wú)感電容，接線(xiàn)應(yīng)盡量短。。5）由硒堆及壓敏電阻等非線(xiàn)性元件組成吸收回路上述阻容吸收回路的時(shí)間常數(shù)RC是固定的，有時(shí)對(duì)時(shí)間短、峰值高、能量大的過(guò)電壓來(lái)不及放電，過(guò)電壓的效果較差。因此，一般在變流裝置的進(jìn)出線(xiàn)端還并有硒堆或壓敏電阻等非線(xiàn)性元件。正高電氣愿與各界朋友攜手共進(jìn)，共創(chuàng)未來(lái)！

    1晶閘管模塊被廣泛應(yīng)用于工業(yè)行業(yè)中，對(duì)于一些專(zhuān)業(yè)的電力技術(shù)人員，都知道晶閘管模塊的來(lái)歷及各種分類(lèi)。不過(guò)現(xiàn)在從事這一行的人越來(lái)越多，有的采購(gòu)人員對(duì)這方面還不是很了解。有的客戶(hù)也經(jīng)常問(wèn)起我們晶閘管模塊的來(lái)歷?，F(xiàn)在晶閘管廠(chǎng)家昆二晶就為大家分享一下：2晶閘管模塊誕生后，其結(jié)構(gòu)的改進(jìn)和工藝的，為新器件的不斷出現(xiàn)提供了條件。1964年，雙向晶閘管在GE公司開(kāi)發(fā)成功，應(yīng)用于調(diào)光和馬達(dá)控制；1965年，小功率光觸發(fā)晶閘管出現(xiàn)，為其后出現(xiàn)的光耦合器打下了基礎(chǔ)；60年代后期，大功率逆變晶閘管問(wèn)世，成為當(dāng)時(shí)逆變電路的基本元件；1974年，逆導(dǎo)晶閘管和非對(duì)稱(chēng)晶閘管研制完成。3普通晶閘管廣泛應(yīng)用于交直流調(diào)速、調(diào)光、調(diào)溫等低頻(400Hz以下)領(lǐng)域，運(yùn)用由它所構(gòu)成的電路對(duì)電網(wǎng)進(jìn)行控制和變換是一種簡(jiǎn)便而經(jīng)濟(jì)的辦法。不過(guò)，這種裝置的運(yùn)行會(huì)產(chǎn)生波形畸變和降低功率因數(shù)、影響電網(wǎng)的質(zhì)量。目前水平為12kV/1kA和6500V/4000A。4雙向晶閘管可視為一對(duì)反并聯(lián)的普通晶閘管的集成，常用于交流調(diào)壓和調(diào)功電路中。正、負(fù)脈沖都可觸發(fā)導(dǎo)通，因而其控制電路比較簡(jiǎn)單。其缺點(diǎn)是換向能力差、觸發(fā)靈敏度低、關(guān)斷時(shí)間較長(zhǎng)，其水平已超過(guò)2000V/500A。正高電氣有著優(yōu)質(zhì)的服務(wù)質(zhì)量和極高的信用等級(jí)。行吊單相整流調(diào)壓模塊報(bào)價(jià)

正高電氣秉承團(tuán)結(jié)、奮進(jìn)、創(chuàng)新、務(wù)實(shí)的精神，誠(chéng)實(shí)守信，厚德載物。鞍山電磁吸盤(pán)三相整流調(diào)壓模塊

    硒堆的特點(diǎn)是其動(dòng)作電壓和溫度有關(guān)，溫度越低耐壓越高；另外是硒堆具有自恢復(fù)特性，能多次使用，當(dāng)過(guò)電壓動(dòng)作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋，又重新恢復(fù)其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線(xiàn)性電阻，其結(jié)構(gòu)為兩個(gè)電極，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個(gè)粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài)，只有很小的漏電流，其值小于100μA。當(dāng)加上電壓時(shí)，引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加，泄漏了能量，了過(guò)電壓，從而使晶閘管得到保護(hù)。浪涌過(guò)后，粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài)。壓敏電阻的特性主要由下面幾個(gè)參數(shù)來(lái)表示。標(biāo)稱(chēng)電壓：指壓敏電阻流過(guò)1mA直流電流時(shí)，其兩端的電壓值。通流容量：是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形沖擊電流，每隔5分鐘沖擊1次，共沖擊10次，標(biāo)稱(chēng)電壓變化在-10[[[%]]]以?xún)?nèi)的比較大沖擊電流值來(lái)表示。因?yàn)檎５膲好綦娮枇＝鐚又挥幸欢ù笮〉姆烹娙萘亢头烹姶螖?shù)，標(biāo)稱(chēng)電壓值不僅會(huì)隨著放電次數(shù)增多而下降，而且也隨著放電電流幅值的增大而下降，當(dāng)大到某一電流時(shí)，標(biāo)稱(chēng)電壓下降到0，壓敏電阻出現(xiàn)穿孔，甚至炸裂；因此必須限定通流容量。鞍山電磁吸盤(pán)三相整流調(diào)壓模塊

淄博正高電氣有限公司坐落于交通便利、經(jīng)濟(jì)發(fā)達(dá)、文化底蘊(yùn)深厚的淄博市臨淄區(qū)，是專(zhuān)業(yè)從事電力電子產(chǎn)品、及其相關(guān)產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售及服務(wù)為一體的高科技企業(yè)。主要生產(chǎn)各類(lèi)規(guī)格型號(hào)的晶閘管智能模塊、晶閘管模塊、可控硅模塊、電力調(diào)整器、固態(tài)繼電器模塊、橋臂模塊、整流橋模塊、各類(lèi)控制柜和配套模塊使用的觸發(fā)板、控制板等產(chǎn)品，并可根據(jù)用戶(hù)需求進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì)加工。近年來(lái)，本公司堅(jiān)持以人為本，始終立足于科技的前沿，狠抓產(chǎn)品質(zhì)量，產(chǎn)品銷(xiāo)往全國(guó)各地，深受用戶(hù)的好評(píng)。 淄博正高電氣有限公司伴隨著發(fā)展的腳步，在社會(huì)各界及客戶(hù)的大力支持下，生機(jī)勃發(fā)，春意盎然。面向未來(lái)，前程似錦，豪情滿(mǎn)懷。今后，我們將進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品品質(zhì)，堅(jiān)持科技創(chuàng)新，一切為用戶(hù)著想，以前列的服務(wù)為社會(huì)奉獻(xiàn)高、精、尖的產(chǎn)品，不斷改進(jìn)、不斷提高是我們不變的追求，用戶(hù)滿(mǎn)意是我們追求的方向。正高電氣全體員工恭候各界朋友前來(lái)我公司參觀(guān)指導(dǎo)，恰談業(yè)務(wù)！