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上打光太陽光譜模擬AM1.5

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-02-10

在本申請的一個(gè)實(shí)施例中,步驟2)中,靶材為銅靶,氬氣流量為50~500sccm,制得的低發(fā)射率膜的厚度為180~220nm。在本申請的一個(gè)實(shí)施例中,步驟3)中,靶材為鉻靶,氬氣流量為50~300sccm,氮?dú)饬髁繛?0~100sccm,制得的緩沖膜的厚度為30~150nm。在本申請的一個(gè)實(shí)施例中,步驟4)中,靶材為鉻靶,氬氣流量為50~500sccm,氮?dú)饬髁繛?0~200sccm,氧氣流量為10~200sccm,制得的過渡膜的厚度為30~100nm。在本申請的一個(gè)實(shí)施例中,步驟5)中,靶材為鉻靶,氬氣流量為50~300sccm,氧氣流量為10~200sccm,制得的吸收膜的厚度為30~120nm。膜層包括6層,從下到上依次為氧化鉻材質(zhì)的強(qiáng)化膜。上打光太陽光譜模擬AM1.5

推薦的,步驟3)中,靶材為鉻靶,氬氣流量為50~300sccm,氮?dú)饬髁繛?0~100sccm,制得的緩沖膜的厚度為30~150nm。推薦的,步驟4)中,靶材為鉻靶,氬氣流量為50~500sccm,氮?dú)饬髁繛?0~200sccm,氧氣流量為10~200sccm,制得的過渡膜的厚度為30~100nm。推薦的,步驟5)中,靶材為鉻靶,氬氣流量為50~300sccm,氧氣流量為10~200sccm,制得的吸收膜的厚度為30~120nm。推薦的,步驟6)中,靶材為硅靶,氬氣流量為50~500sccm,氧氣流量為50~200sccm,制得的抗反射膜的厚度為60~200nm。推薦的,步驟1)中,吸熱體的基材為不銹鋼片、鋁板或銅板。福建太陽光譜模擬銷售基于本發(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的模塊、單元中的任意多個(gè)、或其中任意多個(gè)的至少部分功能可以在一個(gè)模塊中實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的模塊、單元中的任意一個(gè)或多個(gè)可以被拆分成多個(gè)模塊來實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的模塊、單元中的任意一個(gè)或多個(gè)可以至少被部分地實(shí)現(xiàn)為硬件電路,例如現(xiàn)場可編程門陣列(fpga)、可編程邏輯陣列(pla)、片上系統(tǒng)、基板上的系統(tǒng)、封裝上的系統(tǒng)、**集成電路(asic),或可以通過對電路進(jìn)行集成或封裝的任何其他的合理方式的硬件或固件來實(shí)現(xiàn),或以軟件、硬件以及固件三種實(shí)現(xiàn)方式中任意一種或以其中任意幾種的適當(dāng)組合來實(shí)現(xiàn)?;蛘?,根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的模塊、單元中的一個(gè)或多個(gè)可以至少被部分地實(shí)現(xiàn)為計(jì)算機(jī)程序模塊,當(dāng)該計(jì)算機(jī)程序模塊被運(yùn)行時(shí),可以執(zhí)行相應(yīng)的功能。

可選地,根據(jù)尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間,計(jì)算地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像中每個(gè)像素對應(yīng)的地理經(jīng)度和地理緯度,包括:以地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像中的一預(yù)設(shè)點(diǎn)建立直角坐標(biāo)系,根據(jù)遙感圖像尺寸,得到每個(gè)像素點(diǎn)在直角坐標(biāo)系中的坐標(biāo)(x,y);獲取每個(gè)像素點(diǎn)對應(yīng)的地理坐標(biāo)(by-1,lx-1);根據(jù)計(jì)算坐標(biāo)為(x,y)的像素點(diǎn)對應(yīng)的地理經(jīng)度l(x);根據(jù)計(jì)算坐標(biāo)為(x,y)的像素點(diǎn)對應(yīng)的地理緯度b(y);其中,(b0,l0)為坐標(biāo)值(0,0)為的像素點(diǎn)對應(yīng)的地理坐標(biāo),x×y為尺寸。可選地,根據(jù)拍攝日期,計(jì)算拍攝日期對應(yīng)的太陽赤緯角和大氣層上界垂直入射時(shí)的太陽輻射強(qiáng)度,包括:根據(jù)計(jì)算太陽赤緯角;根據(jù)計(jì)算太陽輻射強(qiáng)度;其中,d表示計(jì)算拍攝日期在一年中所處的天數(shù),δ(d)為太陽赤緯角,e(d)為太陽輻射強(qiáng)度。因?yàn)椴煌镔|(zhì)被離子擊出的濺擊產(chǎn)額不同,因此不容易控制化合物的成份組成與性質(zhì)。

4)反應(yīng)性濺鍍制備過渡膜:在第四真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣與氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻,反應(yīng)生成的氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻沉積在步驟3)制得的緩沖膜的外表面上形成過渡膜;步驟4)中,靶材為鉻靶,功率為15kw,電壓為510v,真空度為8.0e-6torr,鍍膜速度為6mm/s,氬氣流量為90sccm,氮?dú)饬髁繛?0sccm,氧氣流量為50sccm,制得的過渡膜的厚度為70nm;5)反應(yīng)性濺鍍制備吸收膜:在第五真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻,反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在步驟4)制得的過渡膜的外表面上形成吸收膜;撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻。西藏代理太陽光譜模擬

**優(yōu)于國家標(biāo)準(zhǔn)要求,太陽吸收比α(am1.5)達(dá)0.94,半球發(fā)射比εh(80℃)*為0.038。上打光太陽光譜模擬AM1.5

表明了所能達(dá)到的效率上限。雖然所用的材料花費(fèi)很大,但用于制造這種電池的技術(shù)很有前途。通過降低成本和回收利用這些生長基底,未來類似的產(chǎn)品可能將被推向市場。背景技術(shù):在平板型太陽能集熱器的生產(chǎn)中,往往要在吸熱體(吸熱板)的基材的外表面鍍一層薄膜,以提高對太陽熱能的吸收,以往使用的化學(xué)鍍膜,對環(huán)境污染大,而且對太陽熱能的吸收不好。由于在濺鍍化合物薄膜時(shí),若直接以化合物當(dāng)作靶材,則所濺鍍出來的薄膜會(huì)與靶材成份有所差別,且因?yàn)椴煌镔|(zhì)被離子擊出的濺擊產(chǎn)額不同,因此不容易控制化合物的成份組成與性上打光太陽光譜模擬AM1.5

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