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福建AM0太陽(yáng)光譜模擬濾光片

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-02-01

正因?yàn)槿绱?,?lái)自太陽(yáng)圓盤一側(cè)的光會(huì)因多普勒效應(yīng)而紅移,而另一側(cè)的光會(huì)藍(lán)移。我們可以觀察和理解這些位移,因?yàn)樘?yáng)譜線波長(zhǎng)相對(duì)于大氣氧線的位移——地球大氣吸收產(chǎn)生的氧線相對(duì)于望遠(yuǎn)鏡是靜止的。從太陽(yáng)圓盤邊緣到邊緣的比較大多普勒頻移只有~8pm,因此HF-8989-3的儀器分辨率(~1pm),對(duì)于測(cè)試時(shí)必要的。同時(shí),LightMachinery光譜儀的快速采集速率也非常有利于這類測(cè)量。與其建立一個(gè)復(fù)雜的成像系統(tǒng)來(lái)顯示耦合到光譜儀光纖中的太陽(yáng)圓盤部分,不如簡(jiǎn)單地設(shè)置SpectraLoK軟件,在望遠(yuǎn)鏡從一個(gè)分支掃描到另一個(gè)分支時(shí),每100毫秒記錄一次新的光譜。由于其尺寸很小——小于1平方毫米,因此可以有效地開(kāi)發(fā)具有更復(fù)雜材料的太陽(yáng)能電池。福建AM0太陽(yáng)光譜模擬濾光片

厚度為0.1~2μm的薄層金屬氧化物或硫化物,如氧化銅、氧化鉻等,具有很高的太陽(yáng)輻射吸收比和長(zhǎng)波輻射透射比。6層構(gòu)成的膜層的緩沖膜、過(guò)渡膜、吸收膜的主要成分是氧化鉻等氧化物,能夠吸收波長(zhǎng)范圍為0.20~3.0μm的太陽(yáng)輻射能量并轉(zhuǎn)化為熱能。本申請(qǐng)實(shí)現(xiàn)了用于選擇性吸收太陽(yáng)光譜的膜層的吸收率高、發(fā)射率低以及附著力好,其中的工作原理是:在2500nm波長(zhǎng)以下的太陽(yáng)光反射光譜,反射率越低,吸收率越高,相反的,在2500nm波長(zhǎng)以上的太陽(yáng)光反射光譜,反射率越高,發(fā)射率越低;對(duì)基材表面作預(yù)處理,增加吸熱體表面粗超度,能有效增強(qiáng)附著力,根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)要求測(cè)試,結(jié)果為1級(jí)。新疆AM1.5太陽(yáng)光譜模擬AM0撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮化鉻,反應(yīng)生成的氮化鉻沉積。

4)反應(yīng)性濺鍍制備過(guò)渡膜:在第四真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣與氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻,反應(yīng)生成的氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻沉積在步驟3)制得的緩沖膜的外表面上形成過(guò)渡膜;步驟4)中,靶材為鉻靶,功率為15kw,電壓為510v,真空度為8.0e-6torr,鍍膜速度為6mm/s,氬氣流量為90sccm,氮?dú)饬髁繛?0sccm,氧氣流量為50sccm,制得的過(guò)渡膜的厚度為70nm;5)反應(yīng)性濺鍍制備吸收膜:在第五真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻,反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在步驟4)制得的過(guò)渡膜的外表面上形成吸收膜;

經(jīng)檢測(cè),本申請(qǐng)制備的膜層的吸收率為93%~97%,比現(xiàn)有技術(shù)中膜層的吸收率提高了3%~9%;本申請(qǐng)制備的膜層的發(fā)射率為3%~5%,比現(xiàn)有技術(shù)中膜層的發(fā)射率降低了3%~12%;膜層的附著力根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)要求測(cè)試,結(jié)果為1級(jí);本申請(qǐng)制備的膜層的光熱轉(zhuǎn)換的效率為77%~82%,比現(xiàn)有技術(shù)中膜層的光熱轉(zhuǎn)換的效率提高了6%~10%;經(jīng)國(guó)家節(jié)能產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心檢測(cè),該六層膜的膜層具有優(yōu)異的性能,**優(yōu)于國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)要求,太陽(yáng)吸收比α(am1.5)達(dá)0.94,半球發(fā)射比εh(80℃)*為0.038。撞擊出來(lái)的銅離子沉積在步驟1)制得的強(qiáng)化膜的外表面上形成低發(fā)射率膜。

在本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例中,步驟6)中,靶材為硅靶,氬氣流量為50~500sccm,氧氣流量為50~200sccm,制得的抗反射膜的厚度為60~200nm。在本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例中,步驟1)中,吸熱體的基材為不銹鋼片、鋁板或銅板。本申請(qǐng)中,sccm為體積流量單位,意義為標(biāo)況毫升/分鐘。本申請(qǐng)?zhí)峁┑哪幽軌蜻x擇性吸收太陽(yáng)光譜,其中的原理是:太陽(yáng)輻射到地球上的絕大部分能量,來(lái)源于0.20~3.0μm波長(zhǎng)范圍的紫外線、可見(jiàn)光和紅外線,這個(gè)波長(zhǎng)范圍內(nèi)的能量占地球外太陽(yáng)輻射總能量的98.07%;而熱輻射的波長(zhǎng)范圍主要集中在2.5~30μm。光譜選擇性吸收涂層是應(yīng)用在吸熱體上的,它就是利用太陽(yáng)輻射的波長(zhǎng)范圍(主要集中在0.20~3.0μm)與熱輻射的波長(zhǎng)范圍不相同這一特性,可以增強(qiáng)吸熱體對(duì)太陽(yáng)輻射吸收的同時(shí),減少吸熱體向環(huán)境的熱輻射損失。選擇性涂層材料的比較大特點(diǎn)在于,它們對(duì)不同光譜區(qū)的輻射具有不同的熱輻射性質(zhì)。在平板型太陽(yáng)能集熱器的生產(chǎn)中,往往要在吸熱體(吸熱板)的基材的外表面鍍一層薄膜,以提高對(duì)太陽(yáng)熱能的吸。湖南高級(jí)太陽(yáng)光譜模擬AM0

如何提高吸熱體的基材的外表面上的薄膜對(duì)太陽(yáng)熱能的吸收,提高光熱轉(zhuǎn)換的效率。福建AM0太陽(yáng)光譜模擬濾光片

步驟5)中,靶材為鉻靶,功率為11kw,電壓為500v,真空度為8.0e-6torr,鍍膜速度為6mm/s,氬氣流量為110sccm,氧氣流量為90sccm,制得的吸收膜的厚度為80nm;6)反應(yīng)性濺鍍制備抗反射膜:在第六真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來(lái)的硅離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成二氧化硅,反應(yīng)生成的二氧化硅沉積在步驟5)制得的吸收膜的外表面上形成抗反射膜,完成后在吸熱體的基材的外表面上制得包括6層的膜層;步驟6)中,靶材為硅靶,功率為6kw,電壓為560v,真空度為8.0e-6torr,鍍膜速度為6mm/s,氬氣流量為220sccm,氧氣流量為30sccm,制得的抗反射膜的厚度為120nm。福建AM0太陽(yáng)光譜模擬濾光片

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