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甘肅AM1.5太陽(yáng)光譜模擬公司

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-01-19

在本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例中,步驟2)中,靶材為銅靶,氬氣流量為50~500sccm,制得的低發(fā)射率膜的厚度為180~220nm。在本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例中,步驟3)中,靶材為鉻靶,氬氣流量為50~300sccm,氮?dú)饬髁繛?0~100sccm,制得的緩沖膜的厚度為30~150nm。在本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例中,步驟4)中,靶材為鉻靶,氬氣流量為50~500sccm,氮?dú)饬髁繛?0~200sccm,氧氣流量為10~200sccm,制得的過(guò)渡膜的厚度為30~100nm。在本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例中,步驟5)中,靶材為鉻靶,氬氣流量為50~300sccm,氧氣流量為10~200sccm,制得的吸收膜的厚度為30~120nm。反應(yīng)生成的氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻沉積在步驟3)制得的緩沖膜的外表面上形成過(guò)渡膜。甘肅AM1.5太陽(yáng)光譜模擬公司

可選地,根據(jù)拍攝時(shí)刻和地理經(jīng)度,計(jì)算拍攝時(shí)刻的太陽(yáng)時(shí)角,包括:根據(jù)ω(x,t)=(12-t)×15°-l(x)計(jì)算太陽(yáng)時(shí)角,其中,t為拍攝時(shí)刻,ω(x,t)為坐標(biāo)為(x,y)的像素點(diǎn)在t時(shí)刻對(duì)應(yīng)的太陽(yáng)時(shí)角??蛇x地,根據(jù)太陽(yáng)赤緯角、太陽(yáng)時(shí)角和地理緯度,計(jì)算拍攝時(shí)刻的太陽(yáng)高度角,包括:根據(jù)α(x,y,d,t)=arcsin[sinb(y)×sinδ(d)+cosb(y)×cosδ(d)×cosω(x,t)],計(jì)算太陽(yáng)高度角α(x,y,d,t)。可選地,根據(jù)太陽(yáng)高度角和拍攝位置高程,計(jì)算相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量,包括:根據(jù)其中,z表示地理位置(l(x),b(y))處的海拔高度,r(α,z)為相對(duì)大氣光學(xué)質(zhì)量。上海代理太陽(yáng)光譜模擬AM1.5膜層的附著力根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)要求測(cè)試,結(jié)果為1級(jí);本申請(qǐng)制備的膜層的光熱轉(zhuǎn)換的效率為77%~82%。

5)反應(yīng)性濺鍍制備吸收膜:在第五真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻,反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在步驟4)制得的過(guò)渡膜的外表面上形成吸收膜;6)反應(yīng)性濺鍍制備抗反射膜:在第六真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來(lái)的硅離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成二氧化硅,反應(yīng)生成的二氧化硅沉積在步驟5)制得的吸收膜的外表面上形成抗反射膜,完成后在吸熱體的基材的外表面上制得包括6層的膜層。在本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例中,步驟1)中,靶材為鉻靶,氬氣流量為50~200sccm,氧氣流量為10~200sccm,制得的強(qiáng)化膜的厚度為30~120nm。

示意性示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的操作s2計(jì)算過(guò)程流程圖,如圖2所示,該操作例如可以包括s21~s28。s21,根據(jù)地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間,計(jì)算地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像中每個(gè)像素對(duì)應(yīng)的地理經(jīng)度和地理緯度。在本實(shí)施例可行方式中,獲取一幅大小為x×y的地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像,選取圖像中一點(diǎn)為原點(diǎn)建立直角坐標(biāo)系,例如,可以在左上角建立直角坐標(biāo)系,圖像左上角向右為x軸正方向,圖像左上角向下為y軸正方向,還可以選取圖像的中心點(diǎn)為原點(diǎn)建立坐標(biāo)系,向右為x軸正方向,向上為y軸正方向,具體建立坐標(biāo)系的方式本發(fā)明不做限制。這樣,可以得到圖像總每一像素點(diǎn)的坐標(biāo)值(x,y),像素點(diǎn)的灰度值可用g(x,y)表示。每一像素點(diǎn)對(duì)應(yīng)的地理坐標(biāo)為(by-1,lx-1),該地理坐標(biāo)表示該像素點(diǎn)**的地球上的位置在地里坐標(biāo)系中用經(jīng)度和緯度表示地面點(diǎn)位置的球面坐標(biāo)。基于本發(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例。

膠態(tài)量子點(diǎn)具有兩大優(yōu)勢(shì)。首先是更廉價(jià),因?yàn)樗鼈兘档土嗣客唠娏Ξa(chǎn)生的成本,但更主要的優(yōu)勢(shì)在于,只需簡(jiǎn)單改變量子點(diǎn)的大小,就能改變吸收光譜。大小容易改變且可調(diào)諧是等離子材料的屬性:通過(guò)改變等離子粒子的大小,研究人員就能將這兩種重要納米粒子的吸收和散射光譜重疊起來(lái)。   薩金特研究小組通過(guò)將金納米殼直接嵌入量子點(diǎn)吸收膜提高了太陽(yáng)能電池的效率,他們下一步將尋找利用更廉價(jià)的金屬來(lái)達(dá)成相同的目標(biāo)。美國(guó)加州大學(xué)納米系統(tǒng)研究所所長(zhǎng)保羅·維斯認(rèn)為,該項(xiàng)研究的重要性在于展示了通過(guò)調(diào)節(jié)納米粒子特性以提高太陽(yáng)能電池效率的潛力。撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣與氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻。江西銷售太陽(yáng)光譜模擬低價(jià)

反應(yīng)性濺鍍制備強(qiáng)化膜:在***真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材。甘肅AM1.5太陽(yáng)光譜模擬公司

用于比較光譜儀分辨能力的兩條氧氣譜線用箭頭標(biāo)識(shí)(實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)以紅色顯示,并與文獻(xiàn)中的參考光譜進(jìn)行了比較。右側(cè)顯示629.216nm處氧線的放大視圖,以及紅色He-Ne激光器(632.816nm處的單頻源)的光譜的插圖。03測(cè)量太陽(yáng)自轉(zhuǎn)引起的多普勒頻移由于太陽(yáng)吸收線和大氣氧線在太陽(yáng)光譜的某些區(qū)域非常接近,這種接近可以通過(guò)測(cè)量太陽(yáng)吸收線相對(duì)于固定氧線的多普勒頻移來(lái)確定太陽(yáng)的旋轉(zhuǎn)速度,從而確定地球和太陽(yáng)之間的當(dāng)前距離。進(jìn)行這項(xiàng)實(shí)驗(yàn)所需的***設(shè)備是高頻光譜儀和太陽(yáng)望遠(yuǎn)鏡。當(dāng)太陽(yáng)相對(duì)于地球自轉(zhuǎn)時(shí),太陽(yáng)圓盤的一個(gè)分支朝著地球移動(dòng),而另一個(gè)分支后退。甘肅AM1.5太陽(yáng)光譜模擬公司

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