二極管的特性：動態(tài)電阻二極管特性曲線靜態(tài)工作點附近電壓的變化與相應電流的變化量之比。電壓溫度系數(shù)電壓溫度系數(shù)指溫度每升高一攝氏度時的穩(wěn)定電壓的相對變化量。工作頻率工作頻率是二極管工作的上限頻率。因二極管與PN結一樣，其結電容由勢壘電容組成。所以工作頻率的值主要取決于PN結結電容的大小。若是超過此值。則單向導電性將受影響。工作頻率是二極管工作的上限頻率。因二極管與PN結一樣，其結電容由勢壘電容組成。所以工作頻率的值主要取決于PN結結電容的大小。若是超過此值。則單向導電性將受影響。二極管由N區(qū)引出的電極是負極，又叫陰極。中山發(fā)光二極管型號

二極管電路分析思路說明對電路中VD1和VD2作用分析的思路主要說明下列幾點：（1）從電路中可以看出，VD1、VD2、VD3和VD4、VD5、VD6兩組二極管的電路結構一樣，這兩組二極管在這一電路中所起的作用是相同的，所以只要分析其中一組二極管電路工作原理即可。（2）集成電路A1的①腳通過電阻R1與三極管VT1基極相連，顯然R1是信號傳輸電阻，將①腳上輸出信號通過R1加到VT1基極，由于在集成電路A1的①腳與三極管VT1基極之間沒有隔直電容，根據(jù)這一電路結構可以判斷：集成電路A1的①腳是輸出信號引腳，而且輸出直流和交流的復合信號。確定集成電路A1的①腳是信號輸出引腳的目的是為了判斷二極管VD1在電路中的具體作用。湖州普通二極管二極管工作的上限頻率。因二極管與PN結一樣，其結電容由勢壘電容組成。

半導體二極管的非線性電流-電壓特性，可以根據(jù)選擇不同的半導體材料和摻雜不同的雜質從而形成雜質半導體來改變。特性改變后的二極管在使用上除了用做開關的方式之外，還有很多其他的功能，如：用來調節(jié)電壓（齊納二極管），限制高電壓從而保護電路（雪崩二極管），無線電調諧（變容二極管），產(chǎn)生射頻振蕩（隧道二極管、耿氏二極管、IMPATT二極管）以及產(chǎn)生光（發(fā)光二極管）。半導體二極管中，有利用P型和N型兩種半導體接合面的PN結效應，也有利用金屬與半導體接合產(chǎn)生的肖特基效應達到整流作用的類型。若是PN結型的二極管，在P型側就是陽極，N型側則是陰極。

正向偏壓（Forward Bias）二極管的陽極側施加正電壓，陰極側施加負電壓，這樣就稱為正向偏置，所加電壓為順向偏壓。如此N型半導體被注入電子，P型半導體被注入電洞。這樣一來，讓多數(shù)載流子過剩，空乏層縮小、消滅，正負載流子在PN接合部附近結合并消滅。整體來看，電子從陰極流向陽極（電流則是由陽極流向陰極）。在這個區(qū)域，電流隨著偏壓的增加也急遽地增加。伴隨著電子與電洞的再結合，兩者所帶有的能量轉變?yōu)闊幔ê凸猓┑男问奖环懦?。能讓正向電流通過的必要電壓被稱為開啟電壓，特定正向電流下二極管兩端的電壓稱為正向壓降。二極管在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極管。

固態(tài)二極管1874年，德國物理學家卡爾·布勞恩發(fā)現(xiàn)了晶體的“單向傳導”的能力，并在1899年將晶體整流器申請了。氧化亞銅和硒整流器則是在1930年代為了供電應用而發(fā)明的。印度人賈格迪什·錢德拉·博斯在1894年成為了個使用晶體檢測無線電波的科學家。他也在厘米和毫米級別對微波進行了研究。1903年，格林里夫·惠特勒·皮卡德（Greenleaf Whittier Pickard）發(fā)明了硅晶檢波器，并在1906年11月20日注冊了。也正是因為格林里夫，使得晶體檢波器發(fā)展成了可實用于無線電報的裝置。其他實驗者嘗試了多種其他物質，其中普遍使用的是礦物方鉛礦（硫化鉛），因它價格便宜且容易獲取。在這些早期的晶體收音機集的晶體檢波器包括一個可調節(jié)導線的點接觸設備（即所謂的“貓須”）?？梢酝ㄟ^手動調節(jié)晶體表面上的導線，以獲得的信號。二極管可以想象成電路中的單向閥。深圳檢波二極管作用

二極管當給陽極和陰極加上反向電壓時，二極管截止。中山發(fā)光二極管型號

反向偏壓（Reverse Bias）在陽極側施加相對陰極負的電壓，就是反向偏置，所加電壓為逆向偏壓。這種情況下，因為N型區(qū)域被注入電洞，P型區(qū)域被注入電子，兩個區(qū)域內的主要載流子都變?yōu)椴蛔悖虼私Y合部位的空乏層變得更寬，內部的靜電場也更強，擴散電位也跟著變大。這個擴散電位與外部施加的電壓互相抵銷，讓反向的電流更難以通過。實際的元件雖然處于反向偏壓狀態(tài)，也會有微小的反向電流（飽和電流、漏電流、漂移電流）通過。當反向偏壓持續(xù)增加時，還會發(fā)生隧道擊穿或雪崩擊穿或崩潰，發(fā)生急遽的電流增加。開始產(chǎn)生這種擊穿現(xiàn)象的（反向）電壓被稱為擊穿電壓。超過擊穿電壓以后反向電流急遽增加的區(qū)域被稱為擊穿區(qū)（崩潰區(qū)）。在擊穿區(qū)內，電流在較大的范圍內變化而二極管反向壓降變化較小。穩(wěn)壓二極管就利用這個區(qū)域的動作特性而制成，可以作為電壓源使用。中山發(fā)光二極管型號

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