三極管的發(fā)明晶體三極管出現(xiàn)之前是真空電子三極管在電子電路中以放大、開(kāi)關(guān)功能控制電流。真空電子管存在笨重、耗能、反應(yīng)慢等缺點(diǎn)。二戰(zhàn)時(shí)，上急切需要一種穩(wěn)定可靠、快速靈敏的電信號(hào)放大元件，研究成果在二戰(zhàn)結(jié)束后獲得。早期，由于鍺晶體較易獲得，主要研制應(yīng)用的是鍺晶體三極管。硅晶體出現(xiàn)后，由于硅管生產(chǎn)工藝很高效，鍺管逐漸被淘汰。經(jīng)半個(gè)世紀(jì)的發(fā)展，三極管種類繁多，形貌各異。小功率三極管一般為塑料包封；大功率三極管一般為金屬鐵殼包封。三級(jí)管硅晶體三極管和鍺晶體三極管都有PNP型和NPN型兩種類型。貼片三極管接線圖

三極管由于集電結(jié)是反向偏置電壓，空間電荷區(qū)的內(nèi)電場(chǎng)被進(jìn)一步加強(qiáng)(PN結(jié)變寬)，這樣反而對(duì)基區(qū)擴(kuò)散到集電結(jié)邊境的載流子電子有很強(qiáng)的吸引力(電子帶負(fù)電，同性相斥異性相吸)，使它們很快漂移過(guò)集電結(jié)(電場(chǎng)的吸引或排斥作用引起的載流子移動(dòng)叫做漂移)，從而形成集電極電流Icn(方向與電子漂移方向相反)。很明顯，Icn=Ien-Ibn，因?yàn)榘偃f(wàn)大軍一小部分在基區(qū)，剩下的大部分在集電區(qū)。在多數(shù)載流子電子進(jìn)入到集電區(qū)后，集電區(qū)(N型)的少數(shù)載流子空穴與基區(qū)(P型)的少數(shù)載流子電子也會(huì)產(chǎn)生漂移運(yùn)動(dòng)，形成了電流Icbo，而另有一些會(huì)跨過(guò)基區(qū)到達(dá)發(fā)射區(qū)從而形成Iceo。中山特快恢復(fù)三極管參數(shù)BJT、JFET、MOS管，半導(dǎo)體三極管里較基礎(chǔ)、較重要的三劍客。

三極管將電阻Rc換成一個(gè)燈泡，那么當(dāng)基極電流為0時(shí)，集電極電流為0，燈泡滅。如果基極電流比較大時(shí)(大于流過(guò)燈泡的電流除以三極管的放大倍數(shù)β)，三極管就飽和，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合，燈泡就亮了。由于控制電流只需要比燈泡電流的β分之一大一點(diǎn)就行了，所以就可以用一個(gè)小電流來(lái)控制一個(gè)大電流的通斷。如果基極電流從0慢慢增加，那么燈泡的亮度也會(huì)隨著增加(在三極管未飽和之前)。但是在實(shí)際使用中要注意，在開(kāi)關(guān)電路中，飽和狀態(tài)若在深度飽和時(shí)會(huì)影響其開(kāi)關(guān)速度，飽和電路在基極電流乘放大倍數(shù)等于或稍大于集電極電流時(shí)是淺度飽和，遠(yuǎn)大于集電極電流時(shí)是深度飽和。因此我們只需要控制其工作在淺度飽和工作狀態(tài)就可以提高其轉(zhuǎn)換速度。

三極管的工作原理：是輸出信號(hào)范圍的要求，如果沒(méi)有加偏置，那么只有對(duì)那些增加的信號(hào)放大，而對(duì)減小的信號(hào)無(wú)效(因?yàn)闆](méi)有偏置時(shí)集電極電流為0，不能再減小了)。而加上偏置，事先讓集電極有一定的電流，當(dāng)輸入的基極電流變小時(shí)，集電極電流就可以減小;當(dāng)輸入的基極電流增大時(shí)，集電極電流就增大。這樣減小的信號(hào)和增大的信號(hào)都可以被放大了。因?yàn)榘l(fā)射區(qū)多子濃度高，使大量電子從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成發(fā)射極電流 ；因?yàn)榛鶇^(qū)薄且多子濃度低，使極少數(shù)擴(kuò)散到基區(qū)的電子與空穴復(fù)合，復(fù)合運(yùn)動(dòng)形成基極電流 ；因?yàn)榧妳^(qū)面積大，在外電場(chǎng)作用下大部分?jǐn)U散到基區(qū)的電子漂移到集電區(qū)，漂移運(yùn)動(dòng)形成集電極電流 。三極管的工作狀態(tài)有四個(gè)，放大、截止、飽和、倒置。

發(fā)射結(jié)加正偏時(shí)，從發(fā)射區(qū)將有大量的電子向基區(qū)擴(kuò)散，形成的電流為IEN。與PN結(jié)中的情況相同。從基區(qū)向發(fā)射區(qū)也有空穴的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，但其數(shù)量小，形成的電流為IEP。這是因?yàn)榘l(fā)射區(qū)的摻雜濃度遠(yuǎn)大于基區(qū)的摻雜濃度。 進(jìn)入基區(qū)的電子流因基區(qū)的空穴濃度低，被復(fù)合的機(jī)會(huì)較少。又因基區(qū)很薄，在集電結(jié)反偏電壓的作用下，電子在基區(qū)停留的時(shí)間很短，很快就運(yùn)動(dòng)到了集電結(jié)的邊上，進(jìn)入集電結(jié)的結(jié)電場(chǎng)區(qū)域，被集電極所收集，形成集電極電流ICN。在基區(qū)被復(fù)合的電子形成的電流是 IBN。 另外，因集電結(jié)反偏，使集電結(jié)區(qū)的少子形成漂移電流ICBO。晶體三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個(gè)相距很近的PN結(jié)。深圳高頻三極管

三極管發(fā)射結(jié)的電壓小于PN結(jié)的導(dǎo)通電壓，基極電流為零。貼片三極管接線圖

三極管基極有電流流動(dòng)時(shí)；由于B極和E極之間有正向電壓，所以電子從發(fā)射極向基極移動(dòng)，又因?yàn)镃極和E極間施加了反向電壓，因此，從發(fā)射極向基極移動(dòng)的電子，在高電壓的作用下，通過(guò)基極進(jìn)入集電極。于是，在基極所加的正電壓的作用下，發(fā)射極的大量電子被輸送到集電極，產(chǎn)生很大的集電極電流?；鶚O無(wú)電流流動(dòng)時(shí)；在B極和E極之間不能施加電壓的狀態(tài)時(shí)，由于C極和E極間施加了反向電壓，所以集電極的電子受電源正電壓吸引而在C極和E極之間產(chǎn)生空間電荷區(qū)，阻礙了從發(fā)射極向集電極的電子流動(dòng)，因而就沒(méi)有集電極電流產(chǎn)生。貼片三極管接線圖

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