固態(tài)二極管1874年，德國物理學家卡爾·布勞恩發(fā)現(xiàn)了晶體的“單向傳導”的能力，并在1899年將晶體整流器申請了。氧化亞銅和硒整流器則是在1930年代為了供電應用而發(fā)明的。印度人賈格迪什·錢德拉·博斯在1894年成為了個使用晶體檢測無線電波的科學家。他也在厘米和毫米級別對微波進行了研究。1903年，格林里夫·惠特勒·皮卡德（Greenleaf Whittier Pickard）發(fā)明了硅晶檢波器，并在1906年11月20日注冊了。也正是因為格林里夫，使得晶體檢波器發(fā)展成了可實用于無線電報的裝置。其他實驗者嘗試了多種其他物質(zhì)，其中普遍使用的是礦物方鉛礦（硫化鉛），因它價格便宜且容易獲取。在這些早期的晶體收音機集的晶體檢波器包括一個可調(diào)節(jié)導線的點接觸設備（即所謂的“貓須”）?？梢酝ㄟ^手動調(diào)節(jié)晶體表面上的導線，以獲得的信號。二極管它具有單向?qū)щ娦阅埽?即給二極管陽極加上正向電壓時，二極管導通。發(fā)光二極管供應

光電二極管的工作模式可以分為以下兩種:零偏壓下的光電壓模式和反偏壓下的光電導模式。光電壓模式具有較好的精密度和線性度的特點，光導模式能提供較高的速度，適合于檢測高速光脈沖，但是線性度不佳。在有外加反向偏壓的情況下，光電二極管即使在沒有光照射下也有少量的電流流過，這個電流稱為暗電流。光電壓模式下沒有暗電流，噪聲主要是并聯(lián)電阻產(chǎn)生的熱噪聲。光電導模式下，噪聲除了熱噪聲外，還有散粒噪聲。光電二極管通常在光電壓模式和光電導模式中選擇較好的設計，而不是二者同時優(yōu)化使用。臺州旋轉二極管現(xiàn)貨二極管可以想象成電路中的單向閥。

穩(wěn)壓二極管在汽車電路上的應用：在汽車電路中由于各個電器總成或元件的工作電流比較大，使汽車電源系統(tǒng)的電壓會出現(xiàn)波動，因此，在一些需要精確電壓值的地方經(jīng)常利用穩(wěn)壓管來獲取所需電壓。下圖是利用穩(wěn)壓管為汽車儀表提供穩(wěn)定電源的電路，圖中的穩(wěn)壓管與電阻串聯(lián)而與儀表并聯(lián)。當電源電壓發(fā)生變化時，也只是引起不同大小的電流流過電阻和穩(wěn)壓管，改變電阻上的電壓，而穩(wěn)壓管始終維持一定的電壓，從而起到穩(wěn)壓的作用。）穩(wěn)壓二極管的檢測穩(wěn)壓二極管的極性和性能好壞的測量與普通二極管的測量方法相似，不同之處在于：當使用指針式萬用表的R×1kΩ擋測量二極管時，測得其反向電阻是很大的，此時，將萬用表轉換到R×10kΩ擋，如果出現(xiàn)萬用表指針向右偏轉較大角度，即反向電阻值減小很多，則該二極管為穩(wěn)壓二極管；如果反向電阻基本不變，說明該二極管是普通二極管，而不是穩(wěn)壓二極管。

二極管種類：PIN二極管（P-intrinsic-N Diode）PN之間一層高電阻的半導體層，使少數(shù)載子的積蓄效果增加，逆回復時間也較長。利用順向偏壓時高頻率訊號較容易通過的性質(zhì)，用于天線的頻帶切換以及高頻率開關。耿效應二極管應用于低功率微波振蕩器。交流二極管（DIAC）、突波保護二極管、雙向觸發(fā)二極管當施加超過規(guī)定電壓（Break Over電壓，VBO）的電壓會開始導通使得端子之間的電壓降低的雙方向元件。用于電路的突波保護上。另，雖被稱為二極管，實際的構造、動作原理都應歸類為閘流管/可控硅整流器的復雜分類中。二極管P型半導體是在本征半導體摻入少量三價元素雜質(zhì)，如硼等。

平面型二極管：在半導體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴散P型雜質(zhì)，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上光選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因此，不需要為調(diào)整PN結面積的藥品腐蝕作用。由于半導體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN結合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩(wěn)定性好和壽命長的類型。較初，對于被使用的半導體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號很少，而作小電流開關用的型號則很多。二極管由紅外輻射效率高的材料（常用砷化鎵GaAs）制成PN結。珠海肖特基二極管命名

二極管的導通和截止，則相當于開關的接通與斷開。發(fā)光二極管供應

面接觸式二極管：面接觸式PN結二極管是由一塊半導體晶體制成的。不同的摻雜工藝可以使同一個半導體（如本征硅）的一端成為一個包含負極性載流子（電子）的區(qū)域，稱作N型半導體；另一端成為一個包含正極性載流子（空穴）的區(qū)域，稱作P型半導體。兩種材料在一起時，電子會從N型一側流向P型一側。這一區(qū)域電子和電洞相互抵銷，造成中間區(qū)域載流子不足，形成“空乏層”。在空乏層內(nèi)部存在“內(nèi)電場”：N型側帶正電，P型側帶負電。兩塊區(qū)域的交界處為PN結，晶體允許電子（外部來看）從N型半導體一端，流向P型半導體一端，但是不能反向流動。發(fā)光二極管供應

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