場效應管場效晶體管（場效應晶體管、場效應管)是一種用電場效應來控制電流的電子器件。場效應晶體管是一種三極管，包括源極、柵極和漏極。場效應晶體管通過向柵極施加電壓來控制電流，這反過來會改變漏極和源極之間的電導率。場效應晶體管因其只需要一種載流子起作用，故又稱為單極型晶體管。場效應晶體管(MOSFET) 的結構和工作原理而制成的傳感器。即，場效應晶體管以電子或空穴中的一種作為載流子?，F已有許多不同類型的場效應晶體管。場效應晶體管通常在低頻時顯示非常高的輸入阻抗。場效應管的抗輻射能力強。寧波P溝增強型場效應管型號

場效應管的檢測方法:（1）準備工作測量之前，先把人體對地短路后，才能摸觸MOSFET的管腳。比較好在手腕上接一條導線與大地連通，使人體與大地保持等電位。再把管腳分開，然后拆掉導線。（2）判定電極將萬用表撥于R×100檔，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無窮大，證明此腳就是柵極G。交換表筆重測量，S-D之間的電阻值應為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑表筆接的為D極，紅表筆接的是S極。日本生產的3SK系列產品，S極與管殼接通，據此很容易確定S極。（3）檢查放大能力（跨導）將G極懸空，黑表筆接D極，紅表筆接S極，然后用手指觸摸G極，表針應有較大的偏轉。雙柵MOS場效應管有兩個柵極G1、G2。為區(qū)分之，可用手分別觸摸G1、G2極，其中表針向左側偏轉幅度較大的為G2極。臺州非絕緣型場效應管作用場效應管可以用作可變電阻。

場效應管MOSFET運用：MOSFET普遍使用在模擬電路與數字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢在于：首先驅動場效應管應用電路電路比較簡單。MOSFET需要的驅動電流比 BJT則小得多，而且通?？梢灾苯佑蒀MOS或者集電極開路TTL驅動電路驅動；其次MOSFET的開關速度比較迅速，能夠以較高的速度工作，因為沒有電荷存儲效應；另外MOSFET沒有二次擊穿失效機理，它在溫度越高時往往耐力越強，而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低，還可以在較寬的溫度范圍內提供較好的性 能。MOSFET已經得到了大量應用，在消費電子、工業(yè)產品、機電設備、智能手機以及其他便攜式數碼電子產品中隨處可見。

場效應管的測試判定估測場效應管的放大能力:　將萬用表撥到R×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當于給場效應管加上1.5V的電源電壓。這時表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G，將人體的感應電壓作為輸入信號加到柵極上。由于管子的放大作用，UDS和ID都將發(fā)生變化，也相當于D-S極間電阻發(fā)生變化，可觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極時表針擺動很小，說明管子的放大能力較弱；若表針不動，說明管子已經損壞。在場效應晶體管中，當以線性模式工作時，電子可以沿任意方向流過溝道。

場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型：結型場效應管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區(qū)域寬等優(yōu)點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。場效應晶體管的柵極在允許條件下，比較好接入保護二極管。臺州非絕緣型場效應管作用

場效應管當柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強型。寧波P溝增強型場效應管型號

場效應管大功率如何使用：為了防止場效應管柵極感應擊穿,要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地;管腳在焊接時,先焊源極;在連入電路之前,管的全部引線端保持互相短接狀態(tài),焊接完后才把短接材料去掉;從元器件架上取下管時,應以適當的方式確保人體接地如采用接地環(huán)等。在安裝場效應管時,注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件;為了防管件振動,有必要將管殼體緊固起來;管腳引線在彎曲時,應當大于根部尺寸5毫米處進行,以防止彎斷管腳和引起漏氣等.寧波P溝增強型場效應管型號

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