某人工智能芯片公司利用 Polos 光刻機開發(fā)了基于阻變存儲器（RRAM）的存算一體架構(gòu)。其激光直寫技術(shù)在 10nm 厚度的 HfO?介質(zhì)層上實現(xiàn)了 5nm 的電極邊緣控制，器件的電導(dǎo)均勻性提升至 95%，計算能效比達 10TOPS/W，較傳統(tǒng) GPU 提升兩個數(shù)量級。基于該技術(shù)的邊緣 AI 芯片，在圖像識別任務(wù)中能耗降低 80%，推理速度提升 3 倍，已應(yīng)用于智能攝像頭和無人機避障系統(tǒng)，相關(guān)芯片出貨量突破百萬片。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。Polos-BESM XL：大尺寸加工空間，保留緊湊設(shè)計，科研級精度實現(xiàn)復(fù)雜結(jié)構(gòu)一次性成型。上海德國POLOS光刻機

某材料科學(xué)研究中心在探索新型納米復(fù)合材料的性能時，需要在材料表面構(gòu)建特殊的納米圖案。德國 Polos 光刻機成為實現(xiàn)這一目標的得力工具。研究人員利用其無掩模激光光刻技術(shù)，在不同的納米材料表面制作出各種周期性和非周期性的圖案結(jié)構(gòu)。經(jīng)過測試發(fā)現(xiàn)，帶有特定圖案的納米復(fù)合材料，其電學(xué)、光學(xué)和力學(xué)性能發(fā)生了remarkable改變。例如，一種原本光學(xué)性能普通的納米材料，在經(jīng)過 Polos 光刻機處理后，對特定波長光的吸收率提高了 30%，為開發(fā)新型光電器件和光學(xué)傳感器提供了新的材料選擇和設(shè)計思路 。黑龍江德國POLOS桌面無掩模光刻機光源波長405微米Polos-μPrinter 入選《半導(dǎo)體技術(shù)》年度創(chuàng)新產(chǎn)品，推動無掩模光刻技術(shù)普及。

微流體芯片制造的core工具！Polos光刻機可加工80 μm直徑的開環(huán)諧振器和2 μm叉指電極，適用于傳感器與執(zhí)行器開發(fā)。結(jié)合雙光子聚合技術(shù)（如Nanoscribe的2PP工藝），用戶可擴展至3D微納結(jié)構(gòu)打印，為微型機器人及光學(xué)超材料提供多維度解決方案37。其與Lab14集團的協(xié)同合作，進一步推動工業(yè)級光學(xué)封裝技術(shù)創(chuàng)新3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。

Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設(shè)計，寫入?yún)^(qū)域達155×155 mm，平臺雙向重復(fù)性精度0.1 μm，滿足工業(yè)級需求。其搭載20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭，支持實時觀測與多層對準。配套的BEAM Xplorer軟件簡化了復(fù)雜圖案設(shè)計流程，內(nèi)置高性能筆記本電腦實現(xiàn)快速數(shù)據(jù)處理，成為微機電系統(tǒng)（MEMS）和光子晶體研究的理想工具。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進一步提升了其優(yōu)勢。未來技術(shù)儲備：持續(xù)研發(fā)光束整形與多材料兼容工藝，lead微納制造前沿。

Polos-BESM在電子器件原型開發(fā)中展現(xiàn)高效性。例如，其軟件支持GDS文件直接導(dǎo)入，多層曝光疊加功能簡化了射頻器件（如IDC電容器）的制造流程。研究團隊利用同類設(shè)備成功制備了高頻電路元件，驗證了其在5G通信和物聯(lián)網(wǎng)硬件中的潛力。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進一步提升了其優(yōu)勢。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進一步提升了其優(yōu)勢。德國工藝：精密制造基因，10 年以上使用壽命，維護成本低，設(shè)備殘值率達 60%。重慶BEAM-XL光刻機光源波長405微米

成本效益：單次曝光成本低于傳統(tǒng)光刻 1/3，小批量研發(fā)更經(jīng)濟。上海德國POLOS光刻機

某材料實驗室利用 Polos 光刻機的亞微米級圖案化能力，在鋁合金表面制備出仿荷葉結(jié)構(gòu)的超疏水涂層。其激光直寫技術(shù)在 20μm 間距的微柱陣列上疊加 500nm 的納米脊，使材料表面接觸角達 165°，滾動角小于 3°。該涂層在海水環(huán)境中浸泡 30 天后，防腐蝕性能較未處理表面提升 10 倍。其靈活的圖案編輯功能還支持在同一樣品上實現(xiàn)超疏水與超親水區(qū)域的任意組合，被用于微流控芯片的液滴定向輸運，液滴驅(qū)動電壓降低至傳統(tǒng)方法的 1/3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。上海德國POLOS光刻機