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陜西BEAM-XL光刻機光源波長405微米

來源: 發(fā)布時間:2025-07-20

微流體芯片制造的core工具!Polos光刻機可加工80 μm直徑的開環(huán)諧振器和2 μm叉指電極,適用于傳感器與執(zhí)行器開發(fā)。結(jié)合雙光子聚合技術(shù)(如Nanoscribe的2PP工藝),用戶可擴展至3D微納結(jié)構(gòu)打印,為微型機器人及光學(xué)超材料提供多維度解決方案37。其與Lab14集團的協(xié)同合作,進一步推動工業(yè)級光學(xué)封裝技術(shù)創(chuàng)新3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。多材料兼容:金屬 / 聚合物 / 陶瓷同步加工,微流控芯片集成傳感器一步成型。陜西BEAM-XL光刻機光源波長405微米

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德國Polos-BESM系列光刻機采用無掩模激光直寫技術(shù),突破傳統(tǒng)光刻對物理掩膜的依賴,支持用戶通過軟件直接輸入任意圖案進行快速曝光。其亞微米分辨率(most小線寬0.8 μm)和405 nm紫外光源,可在5英寸晶圓上實現(xiàn)高精度微納結(jié)構(gòu)加工18。系統(tǒng)體積緊湊,only占桌面空間,搭配閉環(huán)自動對焦(1秒完成)和半自動多層對準功能,大幅提升實驗室原型開發(fā)效率,適用于微流體芯片設(shè)計、電子元件制造等領(lǐng)域。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進行納米級圖案化,無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下,將該技術(shù)帶到了桌面上,進一步提升了其優(yōu)勢。黑龍江光刻機微流體領(lǐng)域:支持 1-100μm 微通道定制,助力organ芯片血管網(wǎng)絡(luò)precise建模。

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無掩模激光光刻技術(shù)為研究實驗室提供了一種多功能的納米/微米光刻工具,可用于創(chuàng)建亞微米級特征,并促進電路和器件的快速原型設(shè)計。經(jīng)濟高效的桌面配置使研究人員和行業(yè)從業(yè)者無需復(fù)雜的基礎(chǔ)設(shè)施和設(shè)備即可使用光刻技術(shù)。應(yīng)用范圍擴展至微機電系統(tǒng) (MEM)、生物醫(yī)學(xué)設(shè)備和微電子器件的設(shè)計和制造,例如以下領(lǐng)域:醫(yī)療(包括微流體)、半導(dǎo)體、電子、生物技術(shù)和生命科學(xué)、先進材料研究。全球無掩模光刻系統(tǒng)市場規(guī)模預(yù)計在 2022 年達到 3.3606 億美元,預(yù)計到 2028 年將增長至 5.0143 億美元,復(fù)合年增長率為 6.90%。由于對 5G、AIoT、物聯(lián)網(wǎng)以及半導(dǎo)體電路性能和能耗優(yōu)化的需求不斷增長,預(yù)計未來幾十年光刻市場將持續(xù)增長。

某材料實驗室利用 Polos 光刻機的亞微米級圖案化能力,在鋁合金表面制備出仿荷葉結(jié)構(gòu)的超疏水涂層。其激光直寫技術(shù)在 20μm 間距的微柱陣列上疊加 500nm 的納米脊,使材料表面接觸角達 165°,滾動角小于 3°。該涂層在海水環(huán)境中浸泡 30 天后,防腐蝕性能較未處理表面提升 10 倍。其靈活的圖案編輯功能還支持在同一樣品上實現(xiàn)超疏水與超親水區(qū)域的任意組合,被用于微流控芯片的液滴定向輸運,液滴驅(qū)動電壓降低至傳統(tǒng)方法的 1/3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。亞微米級精度:0.8 μmmost小線寬,支持高精度微流體芯片與MEMS器件制造。

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SPS POLOS μ以緊湊的桌面設(shè)計降低實驗室設(shè)備投入,光束引擎通過壓電驅(qū)動實現(xiàn)高速掃描(單次寫入400 μm區(qū)域)。支持AZ5214E等光刻膠的高效曝光,成功制備3 μm間距微圖案陣列和叉指電容器,助力納米材料與柔性電子器件的快速驗證。其無掩模特性進一步減少材料浪費,為中小型實驗室提供經(jīng)濟解決方案62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。德國工藝:精密制造基因,10 年以上使用壽命,維護成本低,設(shè)備殘值率達 60%。黑龍江光刻機

光刻膠broad兼容:支持AZ5214E、SU-8等材料,優(yōu)化參數(shù)降低側(cè)壁粗糙度。陜西BEAM-XL光刻機光源波長405微米

單細胞分選需要復(fù)雜的流體動力學(xué)控制結(jié)構(gòu),傳統(tǒng)光刻難以實現(xiàn)多尺度結(jié)構(gòu)集成。Polos 光刻機的分層曝光功能,在同一片芯片上制備出 5μm 窄縫的細胞捕獲區(qū)與 50μm 寬的廢液通道,通道高度誤差控制在 ±2% 以內(nèi)。某細胞生物學(xué)實驗室利用該芯片,將單細胞分選通量提升至 1000 個 / 秒,分選純度達 98%,較傳統(tǒng)流式細胞儀體積縮小 90%。該技術(shù)已應(yīng)用于循環(huán)tumor細胞檢測,使稀有細胞捕獲效率提升 3 倍,相關(guān)設(shè)備進入臨床驗證階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。陜西BEAM-XL光刻機光源波長405微米