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LM5175PWPR穩(wěn)壓IC

來(lái)源： 發(fā)布時(shí)間：2023-05-17

TI穩(wěn)壓IC-火棒? 包裹

熱棒封裝翻轉(zhuǎn)硅芯片，并將其直接放置在引線框架上，以比較大限度地減少由運(yùn)行開(kāi)關(guān)電流的引腳上的鍵合線引起的寄生電感。圖16顯示了HotRod軟件包的結(jié)構(gòu)和優(yōu)點(diǎn)。
隨著功率回路電感的改善，熱棒式封裝也有助于降低功率路徑中的電阻，從而提高效率，同時(shí)使較小的解決方案尺寸成為可能。
HotRod封裝中設(shè)備的另一個(gè)好處是，它們有助于并行輸入路徑引腳，即DC/DC轉(zhuǎn)換器輸入電容的布局安排。通過(guò)優(yōu)化DC/DC轉(zhuǎn)換器的引腳，使輸入電容器的布局具有對(duì)稱(chēng)性，輸入功率回路產(chǎn)生的反向磁場(chǎng)位于對(duì)稱(chēng)回路內(nèi)，從而將對(duì)附近系統(tǒng)的發(fā)射降至比較低。平行輸入路徑進(jìn)一步將高頻EMI降至比較低，尤其是在**嚴(yán)格的FM頻段，如下圖17所示。

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低靜態(tài)電流（IQ）-穩(wěn)壓IC趨勢(shì)知識(shí)
在不影響電池操作系統(tǒng)的系統(tǒng)性能的情況下延長(zhǎng)電池和保質(zhì)期，在空載或輕載條件下實(shí)現(xiàn)高效率需要電源解決方案在保持**電源電流的同時(shí)嚴(yán)格調(diào)節(jié)輸出。
憑借TI的**智商技術(shù)和產(chǎn)品組合，您可以比較大限度地延長(zhǎng)電池運(yùn)行時(shí)間，并在下一次設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)低功耗。
低待機(jī)功率
?使用**泄漏組件和新型控制拓?fù)溲娱L(zhǎng)電池運(yùn)行時(shí)間
快速響應(yīng)時(shí)間
?通過(guò)快速喚醒電路和自適應(yīng)偏置增強(qiáng)系統(tǒng)功能，以提高動(dòng)態(tài)響應(yīng)時(shí)間，同時(shí)保持**靜態(tài)功耗
小外形尺寸
?應(yīng)用程序支持模具和封裝尺寸，無(wú)需通過(guò)TI的**電路技術(shù)，降低靜態(tài)功耗。
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穩(wěn)壓IC-電源發(fā)展趨勢(shì)

功率密度功率更大，布板空間更小。

TI的高功率密度器件產(chǎn)品系列的設(shè)計(jì)亮點(diǎn)在于采用了SWIFT?降壓穩(wěn)壓器系列，在緊湊的熱增強(qiáng)型封裝中提供高性能功能集和高輸出電流功能。高密度開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器是為FPGA和處理器等高電流數(shù)字負(fù)載供電的理想選擇。使用我們的處理器連接工具，查找可優(yōu)化FPGA或處理器的合適產(chǎn)品。低EMI降低開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的EMI可能是許多電源設(shè)計(jì)人員面臨的一項(xiàng)主要挑戰(zhàn)。采用內(nèi)置EMI消減技術(shù)的器件不僅能縮短設(shè)計(jì)時(shí)間，還有助于符合CISPR255類(lèi)等嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。


德州儀器（TI）提供完整的電源解決方案-穩(wěn)壓IC擁有全系列高性能產(chǎn)品。這些產(chǎn)品從標(biāo)準(zhǔn)線性穩(wěn)壓器到高效DC/DC轉(zhuǎn)換器和電池管理，都是為滿足您的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)而定制的。此外，TI使用的支持工具（如WEBENCH®電路設(shè)計(jì)和選擇模擬）簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)服務(wù)、選擇的評(píng)估模塊（EVM）、應(yīng)用說(shuō)明、的技術(shù)文檔等。此外，TI商店有30000多種產(chǎn)品庫(kù)存，是您購(gòu)買(mǎi)IC和評(píng)估工具的一站式商店。本選擇指南包括設(shè)計(jì)因素、特色產(chǎn)品、公文包的圖形表示、參數(shù)表和設(shè)備索引，以幫助您快速查找單個(gè)設(shè)備。有關(guān)HiRel和***版本電源管理穩(wěn)壓IC產(chǎn)品的信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)TECH-TREK官網(wǎng)，有關(guān)automotivequalified的穩(wěn)壓IC信息電源管理穩(wěn)壓IC產(chǎn)品，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)TECH-TREK官網(wǎng)特克電子十年IC代理，海量現(xiàn)貨，經(jīng)營(yíng)德州儀器穩(wěn)壓IC，專(zhuān)業(yè)顧問(wèn)為您服務(wù)！

穩(wěn)壓IC專(zhuān)題

由于DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率路徑中存在寄生電感，高轉(zhuǎn)換率還會(huì)導(dǎo)致高頻開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴，從而進(jìn)一步增加振鈴頻率及以上的發(fā)射。 電源穩(wěn)壓IC，就選特克就夠了，原廠現(xiàn)貨！期待您的光臨！TL1464IPT穩(wěn)壓IC
下頁(yè)的圖7顯示了切換節(jié)點(diǎn)上的轉(zhuǎn)換速率和相關(guān)振鈴如何影響排放。限制開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換引起的EMI發(fā)射的傳統(tǒng)方法是通過(guò)在開(kāi)關(guān)設(shè)備的柵極驅(qū)動(dòng)路徑中添加有意的電阻來(lái)降低它們的速度。這會(huì)導(dǎo)致轉(zhuǎn)換速度變慢，導(dǎo)致更快的發(fā)射衰減，并在振鈴頻率下減少8到10 dB的發(fā)射。然而，這種開(kāi)關(guān)邊緣的減速會(huì)導(dǎo)致開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的峰值電流效率降低2%-3%。

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功率MOSFET概述：

TI基于穩(wěn)壓IC的電源管理創(chuàng)新NexFET?技術(shù)，與穩(wěn)壓IC完美結(jié)合將垂直電流與橫向功率MOSFET相結(jié)合。它提供了一個(gè)低導(dǎo)通電阻，需要極低的柵極電荷和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝外形，這是以前現(xiàn)有硅平臺(tái)無(wú)法實(shí)現(xiàn)的組合。

NexFET技術(shù)為N溝道和P溝道提供高性能功率MOSFET器件。設(shè)計(jì)師能夠?qū)崿F(xiàn)90%的供電高輸出電流和低占空比，從輕負(fù)載到全負(fù)載的效率，**了離散設(shè)計(jì)的突破。
功率MOSFET，穩(wěn)壓IC主要包括：N溝道MOSFET晶體管和 P溝道MOSFET晶體管。 LM5175PWPR穩(wěn)壓IC

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