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奉賢區(qū)選擇晶閘管設計

來源: 發(fā)布時間:2025-07-19

晶閘管特性單向晶聞管的結構與符號為了能夠直觀地認識晶閘管的工作特性,大家先看這塊示教板(圖3)。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來,通過開關S接在直流電源上。注意陽極A是接電源的正極,陰極K接電源的負極,控制極G通過按鈕開關SB接在1.5V直流電源的正極(這里使用的是KP1型晶閘管,若采用KP5型,應接在3V直流電源的正極)。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接,也就是說,給晶閘管陽極和控制極所加的都是正向電壓。合上電源開關S,小燈泡不亮,說明晶閘管沒有導通;再按一下按鈕開關SB,給控制極輸入一個觸發(fā)電壓,小燈泡亮了,說明晶閘管導通了。這個演示實驗給了我們什么啟發(fā)呢在電工技術中,常把交流電的半個周期定為180°,稱為電角度。奉賢區(qū)選擇晶閘管設計

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雙向可控硅的相位控制與單向可控硅很類似,但因雙向可控硅能雙向導通,在正負半周均能觸發(fā),可作為全波功率控制之用.因此雙向可控硅除具有單向可控硅的優(yōu)點,更方便交流功率控制。右圖(a)為雙向可控硅相位控制電路à電子技術中,常把交流電的半個周期定為180°,稱為電角度。這樣,在交流電的正、負半周,從規(guī)定時刻(通常為零值),開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角αz晶閘管導通期間所對應的電角度叫導通角0。在右圖(a)中,適當調(diào)整觸發(fā)電路的RC時間常數(shù)即可改變它的控制角。右圖(b)(c)分別是控制角為30°和導通:角150°時的UAi-z及負載的電壓波形。一般雙向可控硅所能控制的負載遠比單向可控硅小,大體上而言約在600 V,40 A以下。 [2]上海哪里晶閘管聯(lián)系人過零觸發(fā)-一般是調(diào)功,即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發(fā),必須是過零點才觸發(fā),導通可控硅。

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至于型號后綴字母的觸發(fā)電流,各個廠家的**含義如下:PHILIPS公司:D=5mA,E=10mA,C=15mA,F(xiàn)=25mA,G=50mA,R=200uA或5mA,型號沒有后綴字母之觸發(fā)電流,通常為25-35mA;PHILIPS公司的觸發(fā)電流**字母沒有統(tǒng)一的定義,以產(chǎn)品的封裝不同而不同。意法ST公司:TW=5mA,SW=10mA,CW=35mA,BW=50mA,C=25mA,B=50mA,H=15mA,T=15mA,注意:以上觸發(fā)電流均有一個上下起始誤差范圍,產(chǎn)品PDF文件中均有詳細說明一般分為最小值/典型值/最大值,而非“=”一個參數(shù)值。

應用類型雙向可控硅的特性曲線圖4示出了雙向可控硅的特性曲線。由圖可見,雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個象限內(nèi)的曲線組合成的。***象限的曲線說明當加到主電極上的電壓使Tc對T1的極性為正時,我們稱為正向電壓,并用符號U21表示。當這個電壓逐漸增加到等于轉折電壓UBO時,圖3(b)左邊的可控硅就觸發(fā)導通,這時的通態(tài)電流為I21,方向是從T2流向Tl。從圖中可以看到,觸發(fā)電流越大,轉折電壓就越低,這種情形和普通可控硅的觸發(fā)導通規(guī)律是一致的, 當加到主電極上的電壓使Tl對T2的極性為正時,叫做反向電壓,并用符號U12表示。當這個電壓達到轉折電壓值時,圖3(b)觸發(fā)導通,這時的電流為I12,其方向是從T1到T2。這時雙向可控硅的特性曲線,如圖4中第三象限所示。大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中;高頻熔煉爐等。

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·電流的確定: 由于雙向可控硅通常用在交流電路中,因此不用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小,因而一般家電中選用可控硅的電流值為實際工作電流值的2~3倍。 同時, 可控硅承受斷態(tài)重復峰值電壓VD R M 和反向重復峰值電壓 V R R M 時的峰值電流應小于器件規(guī)定的IDRM 和 IRRM。 [1]·通態(tài)(峰值)電壓 VT M 的選擇: 它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降。為減少可控硅的熱損耗,應盡可能選擇VT M 小的可控硅。 [1]大;塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。嘉定區(qū)質量晶閘管費用

這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單,沒有反向耐壓問題,因此特別適合做交流無觸點開關使用。奉賢區(qū)選擇晶閘管設計

主要廠家品牌:ST,NXP/PHILIPS,NEC,ON/MOTOROLA,RENESAS/MITSUBISHI,LITTELFUSE/TECCOR,TOSHIBA,JX ,SANREX,SANKEN ,SEMIKRON ,EUPEC,IR,JBL等。IT(AV)--通態(tài)平均電流VRRM--反向重復峰值電壓IDRM--斷態(tài)重復峰值電流ITSM--通態(tài)一個周波不重復浪涌電流VTM--通態(tài)峰值電壓IGT--門極觸發(fā)電流VGT--門極觸發(fā)電壓IH--維持電流dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率di/dt--通態(tài)電流臨界上升率Rthjc--結殼熱阻ⅥSO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結溫VDRM--斷態(tài)重復峰值電壓IRRM--反向重復峰值電流IF(AV)--正向平均電流PGM--門極峰值功率PG----門極平均功率奉賢區(qū)選擇晶閘管設計

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