致晟光電的熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)系列 ——RTTLIT P10 實時瞬態(tài)鎖相熱分析系統(tǒng),搭載非制冷型熱紅外成像探測器,采用鎖相熱成像(Lock-In Thermography)技術(shù),通過調(diào)制電信號大幅提升特征分辨率與檢測靈敏度,具備高靈敏度、高性價比的突出優(yōu)勢。該系統(tǒng)鎖相靈敏度可達 0.001℃,顯微分辨率可達 5μm,分析速度快且檢測精度高,重點應用于電路板失效分析領(lǐng)域,可多用于適配 PCB、PCBA、大尺寸主板、分立元器件、MLCC 等產(chǎn)品的維修檢測場景。 熱紅外顯微鏡通過納秒級瞬態(tài)熱捕捉,揭示高速芯片開關(guān)過程的瞬態(tài)熱失效機理。半導體熱紅外顯微鏡技術(shù)參數(shù)
熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI) 圖像分析是通過探測物體自身發(fā)出的紅外輻射,將其轉(zhuǎn)化為可視化圖像,進而分析物體表面溫度分布等信息的技術(shù)。其原理是溫度高于零度的物體都會向外發(fā)射紅外光,熱紅外顯微鏡通過吸收這些紅外光,利用光電轉(zhuǎn)換將其變?yōu)闇囟葓D像。物體內(nèi)電荷擾動會產(chǎn)生遠場輻射和近場輻射,近場輻射以倏逝波形式存在,強度隨遠離物體表面急劇衰退,通過掃描探針技術(shù)可散射近場倏逝波,從而獲取物體近場信息,實現(xiàn)超分辨紅外成像。廠家熱紅外顯微鏡方案熱紅外顯微鏡在電子產(chǎn)品研發(fā)階段,輔助優(yōu)化熱管理方案 。
致晟光電——熱紅外顯微鏡在信號調(diào)制技術(shù)上的優(yōu)化升級,以多頻率調(diào)制為突破點,構(gòu)建了更精細的微觀熱信號解析體系。其通過精密算法控制電信號的頻率切換與幅度調(diào)節(jié),使不同深度、不同材質(zhì)的樣品區(qū)域產(chǎn)生差異化熱響應 —— 高頻信號可捕捉表層微米級熱點,低頻信號則能穿透材料識別內(nèi)部隱性感熱缺陷,形成多維度熱特征圖譜。
這種動態(tài)調(diào)制方式,不僅將特征分辨率提升至納米級,更通過頻率匹配過濾環(huán)境噪聲與背景干擾,使檢測靈敏度較傳統(tǒng)單頻調(diào)制提高 3-5 倍,即使是 0.1mK 的微小溫度波動也能被捕捉。
熱紅外是紅外光譜中波長介于 3–18 微米的譜段,其能量主要來自物體自身的熱輻射,而非對外界光源的反射。該波段可細分為中紅外(3–8?μm)、長波紅外(8–15?μm)和超遠紅外(15–18?μm),其熱感應本質(zhì)源于分子熱振動產(chǎn)生的電磁波輻射,輻射強度與物體溫度正相關(guān)。在應用上,熱紅外利用大氣窗口(3–5?μm、8–14?μm)實現(xiàn)高精度的地表遙感監(jiān)測,并廣泛應用于熱成像、氣體探測等領(lǐng)域。現(xiàn)代設備如 TIRS-2 和 O-PTIR 等,已將熱紅外技術(shù)的空間分辨率提升至納米級水平。
熱紅外顯微鏡能透過硅片或封裝材料,對半導體芯片內(nèi)部熱缺陷進行非接觸式檢測。
選擇紅熱外顯微鏡(Thermal EMMI)品牌選擇方面,濱松等國際品牌技術(shù)成熟,但設備及維護成本高昂;國產(chǎn)廠商如致晟光電等,則在性價比和本地化服務上具備優(yōu)勢,例如其 RTTLIT 系統(tǒng)兼顧高精度檢測與多模態(tài)分析。預算規(guī)劃上,需求(>500 萬元)可優(yōu)先考慮進口設備,中端(200-500 萬元)和基礎需求(<200 萬元)場景下,國產(chǎn)設備是更經(jīng)濟的選擇。此外,設備的可升級性、售后響應速度同樣重要,建議通過樣品實測驗證設備的定位精度、靈敏度及軟件功能,并關(guān)注量子點探測器、AI 集成等前沿技術(shù)趨勢,從而選定契合自身需求的比較好設備方案。定位芯片內(nèi)部微短路、漏電、焊點虛接等導致的熱異常點。自銷熱紅外顯微鏡備件
國產(chǎn)熱紅外顯微鏡憑借自主研發(fā)軟件,具備時域重構(gòu)等功能,提升檢測效率。半導體熱紅外顯微鏡技術(shù)參數(shù)
致晟光電推出的多功能顯微系統(tǒng),創(chuàng)新實現(xiàn)熱紅外與微光顯微鏡的集成設計,搭配靈活可選的制冷/非制冷模式,可根據(jù)您的實際需求定制專屬配置方案。這套設備的優(yōu)勢在于一體化集成能力:只需一套系統(tǒng),即可同時搭載可見光顯微鏡、熱紅外顯微鏡及InGaAs微光顯微鏡三大功能模塊。這種設計省去了多設備切換的繁瑣,更通過硬件協(xié)同優(yōu)化提升了整體性能,讓您在同一平臺上輕松完成多波段觀測任務。相比單獨購置多套設備,該集成系統(tǒng)能大幅降低采購與維護成本,在保證檢測精度的同時,為實驗室節(jié)省空間與預算,真正實現(xiàn)性能與性價比的雙重提升。半導體熱紅外顯微鏡技術(shù)參數(shù)