在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時(shí)代，電子設(shè)備的性能與可靠性至關(guān)重要。從微小的芯片到復(fù)雜的電路板，任何一個(gè)環(huán)節(jié)出現(xiàn)故障都可能導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)的崩潰。在這樣的背景下，蘇州致晟光電科技有限公司自主研發(fā)的實(shí)時(shí)瞬態(tài)鎖相熱分析系統(tǒng)（RTTLIT）應(yīng)運(yùn)而生，猶如一顆璀璨的明星，為電子行業(yè)的失效分析領(lǐng)域帶來了全新的解決方案。

致晟光電成立于 2024 年，總部位于江蘇蘇州，公司秉持著 “需求為本、科技創(chuàng)新” 的理念，專注于電子產(chǎn)品失效分析儀器設(shè)備的研發(fā)與制造。 高靈敏度鎖相熱成像技術(shù)能夠檢測(cè)到極微小的熱信號(hào)，可檢測(cè)低至uA級(jí)漏電流或微短路缺陷。Thermo鎖相紅外熱成像系統(tǒng)用途

鎖相熱成像系統(tǒng)的電激勵(lì)方式在電子產(chǎn)業(yè)的 LED 芯片檢測(cè)中扮演著不可或缺的角色，為 LED 產(chǎn)品的質(zhì)量提升提供了重要支持。LED 芯片是 pn 結(jié)，pn 結(jié)的質(zhì)量直接決定了 LED 的發(fā)光效率、壽命和可靠性。如果 pn 結(jié)存在缺陷，如晶格失配、雜質(zhì)污染等，會(huì)導(dǎo)致芯片的電光轉(zhuǎn)換效率下降，發(fā)熱增加，嚴(yán)重影響 LED 的性能。通過對(duì) LED 芯片施加電激勵(lì)，使芯片處于工作狀態(tài)，缺陷處的電流分布和熱分布會(huì)出現(xiàn)異常，導(dǎo)致局部溫度升高。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠精確檢測(cè)到這些溫度差異，并通過圖像處理技術(shù)，清晰顯示出 pn 結(jié)缺陷的位置和形態(tài)。

制造商可以根據(jù)檢測(cè)結(jié)果，篩選出良好的 LED 芯片，剔除不合格產(chǎn)品，從而提升 LED 燈具、顯示屏等產(chǎn)品的質(zhì)量和使用壽命。例如，在 LED 顯示屏的生產(chǎn)過程中，利用該系統(tǒng)對(duì) LED 芯片進(jìn)行檢測(cè)，可使產(chǎn)品的不良率降低 30% 以上，推動(dòng)了電子產(chǎn)業(yè)中 LED 領(lǐng)域的發(fā)展。 非破壞性分析鎖相紅外熱成像系統(tǒng)與光學(xué)顯微鏡對(duì)比利用鎖相放大器或相關(guān)算法，將熱像序列中每個(gè)像素的溫度信號(hào)與激勵(lì)參考信號(hào)進(jìn)行相關(guān)運(yùn)算得到振幅與相位。

在光伏行業(yè)，鎖相熱成像系統(tǒng)成為了太陽能電池板質(zhì)量檢測(cè)的得力助手。太陽能電池板的質(zhì)量直接影響其發(fā)電效率和使用壽命，而電池片隱裂、焊接不良等問題是影響質(zhì)量的常見隱患。鎖相熱成像系統(tǒng)通過對(duì)電池板施加特定的熱激勵(lì)，能夠敏銳地捕捉到因這些缺陷產(chǎn)生的溫度響應(yīng)差異，尤其是通過分析溫度響應(yīng)的相位差異，能夠定位到細(xì)微的缺陷。這一技術(shù)的應(yīng)用，幫助制造商及時(shí)發(fā)現(xiàn)生產(chǎn)過程中的問題，有效提高了產(chǎn)品的合格率，為提升太陽能組件的發(fā)電效率提供了堅(jiān)實(shí)保障，推動(dòng)了光伏產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。

先進(jìn)的封裝應(yīng)用、復(fù)雜的互連方案和更高性能的功率器件的快速增長給故障定位和分析帶來了前所未有的挑戰(zhàn)。有缺陷或性能不佳的半導(dǎo)體器件通常表現(xiàn)出局部功率損耗的異常分布，導(dǎo)致局部溫度升高。RTTLIT系統(tǒng)利用鎖相紅外熱成像進(jìn)行半導(dǎo)體器件故障定位，可以準(zhǔn)確有效地定位這些目標(biāo)區(qū)域。LIT是一種動(dòng)態(tài)紅外熱成像形式，與穩(wěn)態(tài)熱成像相比，其可提供更好的信噪比、更高的靈敏度和更高的特征分辨率。LIT可在IC半導(dǎo)體失效分析中用于定位線路短路、ESD缺陷、氧化損壞、缺陷晶體管和二極管以及器件閂鎖。LIT可在自然環(huán)境中進(jìn)行，無需光屏蔽箱。電激勵(lì)強(qiáng)度可控，保障鎖相熱成像系統(tǒng)檢測(cè)安全。

鎖相熱成像系統(tǒng)與電激勵(lì)結(jié)合，為電子產(chǎn)業(yè)的芯片失效分析提供了一種全新的方法，幫助企業(yè)快速定位失效原因，改進(jìn)生產(chǎn)工藝。芯片失效的原因復(fù)雜多樣，可能是設(shè)計(jì)缺陷、材料問題、制造過程中的污染，也可能是使用過程中的靜電損傷、熱疲勞等。傳統(tǒng)的失效分析方法如切片分析、探針測(cè)試等，不僅操作復(fù)雜、耗時(shí)較長，而且可能會(huì)破壞失效芯片的原始狀態(tài)，難以準(zhǔn)確找到失效根源。通過對(duì)失效芯片施加特定的電激勵(lì)，模擬其失效前的工作狀態(tài)，鎖相熱成像系統(tǒng)能夠記錄芯片表面的溫度變化過程，并將其與正常芯片的溫度數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比分析，從而找出失效位置和失效原因。例如，當(dāng)芯片因靜電損傷而失效時(shí)，系統(tǒng)會(huì)檢測(cè)到芯片的輸入端存在異常的高溫區(qū)域；當(dāng)芯片因熱疲勞失效時(shí)，會(huì)在芯片的焊接點(diǎn)處發(fā)現(xiàn)溫度分布不均的現(xiàn)象?；谶@些分析結(jié)果，企業(yè)可以有針對(duì)性地改進(jìn)生產(chǎn)工藝，減少類似失效問題的發(fā)生。電激勵(lì)的脈沖寬度與鎖相熱成像系統(tǒng)采樣頻率需匹配，通過參數(shù)優(yōu)化可大幅提高檢測(cè)信號(hào)的信噪比和清晰度。RTTLIT鎖相紅外熱成像系統(tǒng)訂制價(jià)格

鎖相熱成像系統(tǒng)優(yōu)化電激勵(lì)檢測(cè)的圖像處理。Thermo鎖相紅外熱成像系統(tǒng)用途

OBIRCH與EMMI技術(shù)在集成電路失效分析領(lǐng)域中扮演著互補(bǔ)的角色，其主要差異體現(xiàn)在檢測(cè)原理及應(yīng)用領(lǐng)域。具體而言，EMMI技術(shù)通過光子檢測(cè)手段來精確定位漏電或發(fā)光故障點(diǎn)，而OBIRCH技術(shù)則依賴于激光誘導(dǎo)電阻變化來識(shí)別短路或阻值異常區(qū)域。這兩種技術(shù)通常被整合于同一檢測(cè)系統(tǒng)（即PEM系統(tǒng)）中，其中EMMI技術(shù)在探測(cè)光子發(fā)射類缺陷，如漏電流方面表現(xiàn)出色，而OBIRCH技術(shù)則對(duì)金屬層遮蔽下的短路現(xiàn)象具有更高的敏感度。例如，EMMI技術(shù)能夠有效檢測(cè)未開封芯片中的失效點(diǎn)，而OBIRCH技術(shù)則能有效解決低阻抗（<10 ohm）短路問題。Thermo鎖相紅外熱成像系統(tǒng)用途