熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI) 圖像分析是通過探測物體自身發(fā)出的紅外輻射，將其轉化為可視化圖像，進而分析物體表面溫度分布等信息的技術。其原理是溫度高于零度的物體都會向外發(fā)射紅外光，熱紅外顯微鏡通過吸收這些紅外光，利用光電轉換將其變?yōu)闇囟葓D像。物體內電荷擾動會產生遠場輻射和近場輻射，近場輻射以倏逝波形式存在，強度隨遠離物體表面急劇衰退，通過掃描探針技術可散射近場倏逝波，從而獲取物體近場信息，實現(xiàn)超分辨紅外成像。熱紅外顯微鏡通過熱成像技術，快速定位 PCB 板上的短路熱點 。熱紅外顯微鏡聯(lián)系人

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI) 也是科研與教學領域的利器，其設備能捕捉微觀世界的熱信號。它將紅外探測與顯微技術結合，呈現(xiàn)物體表面溫度分布，分辨率達微米級，可觀察半導體芯片熱點、電子器件熱分布等。非接觸式測量是其一大優(yōu)勢，無需與被測物體直接接觸，避免了對樣品的干擾，適用于多種類型的樣品檢測。實時成像功能可追蹤動態(tài)熱變化，如材料相變、化學反應熱釋放。在高校，熱紅外顯微鏡助力多學科實驗；在企業(yè)，為產品研發(fā)和質量檢測提供支持，推動各領域創(chuàng)新突破。 國內熱紅外顯微鏡故障維修熱紅外顯微鏡能透過硅片或封裝材料，對半導體芯片內部熱缺陷進行非接觸式檢測。

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI）技術，作為半導體失效分析領域的關鍵手段，通過捕捉器件內部產生的熱輻射，實現(xiàn)失效點的精細定位。它憑借對微觀熱信號的高靈敏度探測，成為解析半導體故障的 “火眼金睛”。然而，隨著半導體技術不斷升級，器件正朝著超精細圖案制程與低供電電壓方向快速演進：線寬進入納米級，供電電壓降至 1V 以下。這使得失效點（如微小短路、漏電流區(qū)域）產生的熱量急劇減少，其輻射的紅外線信號強度降至傳統(tǒng)檢測閾值邊緣，疊加芯片復雜結構的背景輻射干擾，信號提取難度呈指數級上升。

致晟光電在推動產學研一體化進程中，積極開展校企合作。公司依托南京理工大學光電技術學院，專注開發(fā)基于微弱光電信號分析的產品及應用。雙方聯(lián)合攻克技術難題，不斷優(yōu)化實時瞬態(tài)鎖相紅外熱分析系統(tǒng)（RTTLIT），使該系統(tǒng)溫度靈敏度可達0.0001℃，功率檢測限低至1uW，部分功能及參數優(yōu)于進口設備。此外，致晟光電還與其他高校建立合作關系，搭建起學業(yè)-就業(yè)貫通式人才孵化平臺。為學生提供涵蓋研發(fā)設計、生產實踐、項目管理全鏈條的育人平臺，輸送了大量實踐能力強的專業(yè)人才，為企業(yè)持續(xù)創(chuàng)新注入活力。通過建立科研成果產業(yè)孵化綠色通道，高校的前沿科研成果得以快速轉化為實際生產力，實現(xiàn)了高校科研資源與企業(yè)市場轉化能力的優(yōu)勢互補。

熱紅外顯微鏡可對不同材質的電子元件進行熱特性對比分析 。

近年來，非制冷熱紅外顯微鏡價格呈下行趨勢。在技術進步層面，國內紅外焦平面陣列芯片技術不斷突破，像元間距縮小、陣列規(guī)模擴大，從早期的 17μm、384×288 發(fā)展到如今主流的 12μm 像元，1280 ×1 024、1920 × 1080 陣列規(guī)模實現(xiàn)量產，如大立科技等企業(yè)推動技術升級，提升生產效率，降低單臺設備成本。同時，國產化進程加速，多家本土廠商崛起，如我司推出非制冷型鎖相紅外顯微鏡，打破進口壟斷格局，市場競爭加劇，促使產品價格更加親民。熱紅外顯微鏡通過分析熱輻射分布，評估芯片散熱設計的合理性 。國產熱紅外顯微鏡批量定制

評估 PCB 走線布局、過孔設計對熱分布的影響，指導散熱片、導熱膠的選型與 placement。熱紅外顯微鏡聯(lián)系人

在微觀熱信號檢測領域，熱發(fā)射顯微鏡作為經典失效分析工具，為半導體與材料研究提供了基礎支撐。致晟光電的熱紅外顯微鏡，并非簡單的名稱更迭，而是由技術工程師團隊在傳統(tǒng)熱發(fā)射顯微鏡原理上，歷經多代技術創(chuàng)新與功能迭代逐步演變進化而來。這一過程中，團隊針對傳統(tǒng)設備在視野局限、信號靈敏度、分析尺度等方面的痛點，通過光學系統(tǒng)重構、信號處理算法升級、檢測維度拓展等創(chuàng)新，重新定義、形成了更適應現(xiàn)代微觀熱分析需求的技術體系。熱紅外顯微鏡聯(lián)系人