半導體材料分為直接帶隙半導體和間接帶隙半導體，而Si是典型的直接帶隙半導體，其禁帶寬度為1.12eV。所以當電子與空穴復合時，電子會彈射出一個光子，該光子的能量為1.12eV，根據(jù)波粒二象性原理，該光子的波長為1100nm，屬于紅外光區(qū)。通俗的講就是當載流子進行復合的時候就會產(chǎn)生1100nm的紅外光。這也就是產(chǎn)生亮點的原因之一：載流子復合。所以正偏二極管的PN結處能看到亮點。如果MOS管產(chǎn)生latch-up現(xiàn)象，（體寄生三極管導通）也會觀察到在襯底處產(chǎn)生熒光亮點。分析低阻抗短路時，微光顯微鏡可用于未開蓋樣品測試，還能定位大型 PCB 上金屬線路及元器件失效點。國產(chǎn)微光顯微鏡用途

致晟光電作為蘇州本土的光電檢測設備研發(fā)制造企業(yè)，其本地化服務目前以國內(nèi)市場為主要覆蓋區(qū)域 。尤其在華東地區(qū)，依托總部蘇州的地理優(yōu)勢，對上海、江蘇、浙江等周邊省市實現(xiàn)高效服務。無論是設備的安裝調試，還是售后的故障維修、技術咨詢，都能在短時間內(nèi)響應，例如在蘇州本地，接到客戶需求后，普遍可在數(shù)小時內(nèi)安排技術人員上門服務。在全國范圍內(nèi)，致晟光電已通過建立銷售服務網(wǎng)點、與當?shù)亟?jīng)銷商合作等方式，保障本地化服務的覆蓋。
科研用微光顯微鏡探測器處理 ESD 閉鎖效應時，微光顯微鏡檢測光子可判斷其位置和程度，為研究機制、制定防護措施提供支持。

微光顯微鏡技術特性差異

探測靈敏度方向：EMMI 追求對微弱光子的高靈敏度（可檢測單光子級別信號），需配合暗場環(huán)境減少干擾；熱紅外顯微鏡則強調溫度分辨率（部分設備可達 0.01℃），需抑制環(huán)境熱噪聲。

空間分辨率：EMMI 的分辨率受光學系統(tǒng)和光子波長限制，通常在微米級；熱紅外顯微鏡的分辨率與紅外波長、鏡頭數(shù)值孔徑相關，一般略低于 EMMI，但更注重大面積熱分布的快速成像。

樣品處理要求：EMMI 對部分遮蔽性失效（如金屬下方漏電）需采用背面觀測模式，可能需要減薄、拋光樣品；

處理要求：熱紅外顯微鏡可透過封裝材料（如陶瓷、塑料）探測，對樣品破壞性較小，更適合非侵入式初步篩查。

微光顯微鏡下可以產(chǎn)生亮點的缺陷，

如：1.漏電結(JunctionLeakage);2.接觸毛刺(Contactspiking);3.熱電子效應(Hotelectrons);4.閂鎖效應(Latch-Up);5.氧化層漏電(Gateoxidedefects/Leakage(F-Ncurrent));6.多晶硅晶須(Poly-siliconfilaments);7.襯底損傷(Substratedamage);8.物理損傷(Mechanicaldamage)等。

當然，部分情況下也會出現(xiàn)樣品本身的亮點，

如：1.Saturated/Activebipolartransistors;2.SaturatedMOS/DynamicCMOS;3.Forwardbiaseddiodes/Reverse；等

出現(xiàn)亮點時應注意區(qū)分是否為這些情況下產(chǎn)生的亮點另外也會出現(xiàn)偵測不到亮點的情況，

如：1.歐姆接觸；2.金屬互聯(lián)短路；3.表面反型層；4.硅導電通路等。

若一些亮點被遮蔽的情況，即為BuriedJunctions及Leakagesitesundermetal，這種情況可以嘗試采用backside模式，但是只能探測近紅外波段的發(fā)光，且需要減薄及拋光處理。 支持離線數(shù)據(jù)分析，可將檢測圖像導出后進行深入處理，不占用設備的實時檢測時間。

在故障分析領域，微光顯微鏡（EmissionMicroscope,EMMI）是一種極具實用價值且效率出眾的分析工具。其功能是探測集成電路（IC）內(nèi)部釋放的光子。在IC元件中，電子-空穴對（ElectronHolePairs,EHP）的復合過程會伴隨光子（Photon）的釋放。具體可舉例說明：當P-N結施加偏壓時，N區(qū)的電子會向P區(qū)擴散，同時P區(qū)的空穴也會向N區(qū)擴散，隨后這些擴散的載流子會與對應區(qū)域的載流子（即擴散至P區(qū)的電子與P區(qū)的空穴、擴散至N區(qū)的空穴與N區(qū)的電子）發(fā)生EHP復合，并在此過程中釋放光子。靜電放電破壞半導體器件時，微光顯微鏡偵測其光子可定位故障點，助分析原因程度。檢測用微光顯微鏡品牌

微光顯微鏡的便攜款桌面級設計，方便在生產(chǎn)線現(xiàn)場快速檢測，及時發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品問題，減少不合格品流出。國產(chǎn)微光顯微鏡用途

選擇國產(chǎn) EMMI 微光顯微鏡，既是擁抱技術自主，更是搶占效率與成本的雙重優(yōu)勢！致晟光電全本土化研發(fā)實力，與南京理工大學光電技術學院深度攜手，致力于光電技術研究和產(chǎn)業(yè)化應用，充分發(fā)揮其科研優(yōu)勢，構建起產(chǎn)學研深度融合的技術研發(fā)體系。

憑借這一堅實后盾，我們的 EMMI 微光顯微鏡在性能上實現(xiàn)更佳突破：-80℃制冷型探測器搭配高分辨率物鏡，輕松捕捉極微弱漏電流光子信號，漏電缺陷定位精度與國際設備同步，讓每一個細微失效點無所遁形。 國產(chǎn)微光顯微鏡用途