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自銷微光顯微鏡方案設(shè)計(jì)

來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-07-15

致晟光電將熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)與微光顯微鏡 (EMMI) 集成的設(shè)備,在維護(hù)成本控制上展現(xiàn)出優(yōu)勢。對于分開的兩臺(tái)設(shè)備,企業(yè)需配備專門人員分別學(xué)習(xí)兩套系統(tǒng)的維護(hù)知識(shí),培訓(xùn)內(nèi)容涵蓋不同的機(jī)械結(jié)構(gòu)、光學(xué)原理、軟件操作,還包括各自的故障診斷邏輯與校準(zhǔn)流程,往往需要數(shù)月的系統(tǒng)培訓(xùn)才能確保人員熟練操作,期間產(chǎn)生的培訓(xùn)費(fèi)用、時(shí)間成本居高不下。而使用一套集成設(shè)備只需一套維護(hù)體系,維護(hù)人員只需掌握一套系統(tǒng)的維護(hù)邏輯與操作規(guī)范,無需在兩套差異的設(shè)備間切換學(xué)習(xí),培訓(xùn)周期可縮短近一半,大幅降低了培訓(xùn)方面的人力與資金投入。
針對接面漏電,我司微光顯微鏡能偵測其光子定位位置,利于篩選不良品,為改進(jìn)半導(dǎo)體制造工藝提供數(shù)據(jù)。自銷微光顯微鏡方案設(shè)計(jì)

自銷微光顯微鏡方案設(shè)計(jì),微光顯微鏡

致晟光電在推動(dòng)產(chǎn)學(xué)研一體化進(jìn)程中,積極開展校企合作。公司依托南京理工大學(xué)光電技術(shù)學(xué)院,專注開發(fā)基于微弱光電信號分析的產(chǎn)品及應(yīng)用。雙方聯(lián)合攻克技術(shù)難題,不斷優(yōu)化實(shí)時(shí)瞬態(tài)鎖相紅外熱分析系統(tǒng)(RTTLIT),使該系統(tǒng)溫度靈敏度可達(dá)0.0001℃,功率檢測限低至1uW,部分功能及參數(shù)優(yōu)于進(jìn)口設(shè)備。此外,致晟光電還與其他高校建立合作關(guān)系,搭建起學(xué)業(yè)-就業(yè)貫通式人才孵化平臺(tái)。為學(xué)生提供涵蓋研發(fā)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)實(shí)踐、項(xiàng)目管理全鏈條的育人平臺(tái),輸送了大量實(shí)踐能力強(qiáng)的專業(yè)人才,為企業(yè)持續(xù)創(chuàng)新注入活力。通過建立科研成果產(chǎn)業(yè)孵化綠色通道,高校的前沿科研成果得以快速轉(zhuǎn)化為實(shí)際生產(chǎn)力,實(shí)現(xiàn)了高校科研資源與企業(yè)市場轉(zhuǎn)化能力的優(yōu)勢互補(bǔ)。國產(chǎn)微光顯微鏡儀器通過與光譜儀聯(lián)用,可分析光子的光譜信息,為判斷缺陷類型提供更多依據(jù),增強(qiáng)分析的全面性。

自銷微光顯微鏡方案設(shè)計(jì),微光顯微鏡

漏電是芯片另一種常見的失效模式,其誘因復(fù)雜多樣,既可能源于晶體管長期工作后的老化衰減,也可能由氧化層存在裂紋等缺陷引發(fā)。

與短路類似,芯片內(nèi)部發(fā)生漏電時(shí),漏電路徑中會(huì)伴隨微弱的光發(fā)射現(xiàn)象——這種光信號的強(qiáng)度往往遠(yuǎn)低于短路產(chǎn)生的光輻射,對檢測設(shè)備的靈敏度提出了極高要求。EMMI憑借其的微光探測能力,能夠捕捉到漏電產(chǎn)生的極微弱光信號。通過對芯片進(jìn)行全域掃描,可將漏電區(qū)域以可視化圖像的形式清晰呈現(xiàn),使工程師能直觀識(shí)別漏電位置與分布特征。



對半導(dǎo)體研發(fā)工程師而言,排查的過程層層受阻。在逐一排除外圍電路異常、生產(chǎn)工藝制程損傷等潛在因素后,若仍未找到癥結(jié),往往需要芯片原廠介入,通過剖片分析深入探究內(nèi)核。

然而,受限于專業(yè)分析設(shè)備的缺乏,再加上芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)涉及機(jī)密,工程師難以深入了解其底層構(gòu)造,這就導(dǎo)致他們在面對原廠出具的分析報(bào)告時(shí),常常陷入 “被動(dòng)接受” 的局面 —— 既無法完全驗(yàn)證報(bào)告的細(xì)節(jié),也難以基于自身判斷提出更具針對性的疑問或補(bǔ)充分析方向。 升級后的冷卻系統(tǒng),能減少設(shè)備自身熱噪聲,讓對微弱光子的探測更靈敏,提升檢測下限。



自銷微光顯微鏡方案設(shè)計(jì),微光顯微鏡

失效背景調(diào)查就像是為芯片失效分析開啟 “導(dǎo)航系統(tǒng)”,能幫助分析人員快速了解芯片的基本情況,為后續(xù)工作奠定基礎(chǔ)。收集芯片型號是首要任務(wù),不同型號的芯片在結(jié)構(gòu)、功能和特性上存在差異,這是開展分析的基礎(chǔ)信息。同時(shí),了解芯片的應(yīng)用場景也不可或缺,是用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制還是航空航天等領(lǐng)域,不同的應(yīng)用場景對芯片的性能要求不同,失效原因也可能大相徑庭。

失效模式的收集同樣關(guān)鍵,短路、漏電、功能異常等不同的失效模式,指向的潛在問題各不相同。比如短路可能是由于內(nèi)部線路故障,而漏電則可能與芯片的絕緣性能有關(guān)。失效比例的統(tǒng)計(jì)也有重要意義,如果同一批次芯片失效比例較高,可能暗示著設(shè)計(jì)缺陷或制程問題;如果只是個(gè)別芯片失效,那么應(yīng)用不當(dāng)?shù)目赡苄韵鄬^大。 微光顯微鏡在 LED 故障分析中作用關(guān)鍵,可檢測漏電倒裝、短路倒裝及漏電垂直 LED 芯片的異常點(diǎn)。非制冷微光顯微鏡性價(jià)比

靜電放電破壞半導(dǎo)體器件時(shí),微光顯微鏡偵測其光子可定位故障點(diǎn),助分析原因程度。自銷微光顯微鏡方案設(shè)計(jì)

在半導(dǎo)體 MEMS 器件檢測領(lǐng)域,微光顯微鏡憑借其超靈敏的感知能力,展現(xiàn)出不可替代的技術(shù)價(jià)值。MEMS 器件的結(jié)構(gòu)往往以微米級尺度存在,這些微小部件在運(yùn)行過程中會(huì)產(chǎn)生極其微弱的紅外輻射變化 —— 這種信號強(qiáng)度常低于常規(guī)檢測設(shè)備的感知閾值,卻能被微光顯微鏡及時(shí)捕捉。通過先進(jìn)的光電轉(zhuǎn)換與信號放大技術(shù),微光設(shè)備將捕捉到的紅外輻射信號轉(zhuǎn)化為直觀的動(dòng)態(tài)圖像。通過圖像分析工具,可量化提取結(jié)構(gòu)的位移幅度、振動(dòng)頻率等關(guān)鍵參數(shù)。這種檢測方式突破了傳統(tǒng)接觸式測量對微結(jié)構(gòu)的干擾問題。自銷微光顯微鏡方案設(shè)計(jì)

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