選擇紅熱外顯微鏡(Thermal EMMI)品牌選擇方面,濱松等國(guó)際品牌技術(shù)成熟,但設(shè)備及維護(hù)成本高昂;國(guó)產(chǎn)廠商如致晟光電等,則在性價(jià)比和本地化服務(wù)上具備優(yōu)勢(shì),例如其 RTTLIT 系統(tǒng)兼顧高精度檢測(cè)與多模態(tài)分析。預(yù)算規(guī)劃上,需求(>500 萬(wàn)元)可優(yōu)先考慮進(jìn)口設(shè)備,中端(200-500 萬(wàn)元)和基礎(chǔ)需求(<200 萬(wàn)元)場(chǎng)景下,國(guó)產(chǎn)設(shè)備是更經(jīng)濟(jì)的選擇。此外,設(shè)備的可升級(jí)性、售后響應(yīng)速度同樣重要,建議通過(guò)樣品實(shí)測(cè)驗(yàn)證設(shè)備的定位精度、靈敏度及軟件功能,并關(guān)注量子點(diǎn)探測(cè)器、AI 集成等前沿技術(shù)趨勢(shì),從而選定契合自身需求的比較好設(shè)備方案。半導(dǎo)體芯片內(nèi)部缺陷定位是工藝優(yōu)化與失效分析的關(guān)鍵技術(shù)基礎(chǔ)?;輥?lái)熱紅外顯微鏡
近年來(lái),非制冷熱紅外顯微鏡價(jià)格呈下行趨勢(shì)。在技術(shù)進(jìn)步層面,國(guó)內(nèi)紅外焦平面陣列芯片技術(shù)不斷突破,像元間距縮小、陣列規(guī)模擴(kuò)大,從早期的 17μm、384×288 發(fā)展到如今主流的 12μm 像元,1280 ×1 024、1920 × 1080 陣列規(guī)模實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),如大立科技等企業(yè)推動(dòng)技術(shù)升級(jí),提升生產(chǎn)效率,降低單臺(tái)設(shè)備成本。同時(shí),國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速,多家本土廠商崛起,如我司推出非制冷型鎖相紅外顯微鏡,打破進(jìn)口壟斷格局,市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇,促使產(chǎn)品價(jià)格更加親民。國(guó)產(chǎn)熱紅外顯微鏡牌子評(píng)估 PCB 走線布局、過(guò)孔設(shè)計(jì)對(duì)熱分布的影響,指導(dǎo)散熱片、導(dǎo)熱膠的選型與 placement。
在失效分析的有損分析中,打開(kāi)封裝是常見(jiàn)操作,通常有三種方法。全剝離法會(huì)將集成電路完全損壞,留下完整的芯片內(nèi)部電路。但這種方法會(huì)破壞內(nèi)部電路和引線,導(dǎo)致無(wú)法進(jìn)行電動(dòng)態(tài)分析,適用于需觀察內(nèi)部電路靜態(tài)結(jié)構(gòu)的場(chǎng)景。局部去除法通過(guò)特定手段去除部分封裝,優(yōu)點(diǎn)是開(kāi)封過(guò)程不會(huì)損壞內(nèi)部電路和引線,開(kāi)封后仍可進(jìn)行電動(dòng)態(tài)分析,能為失效分析提供更豐富的動(dòng)態(tài)數(shù)據(jù)。自動(dòng)法則是利用硫酸噴射實(shí)現(xiàn)局部去除,自動(dòng)化操作可提高效率和精度,不過(guò)同樣屬于破壞性處理,會(huì)對(duì)樣品造成一定程度的損傷。
致晟光電熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)系列中的 RTTLIT P20 實(shí)時(shí)瞬態(tài)鎖相熱分析系統(tǒng),采用鎖相熱成像(Lock-inThermography)技術(shù),通過(guò)調(diào)制電信號(hào)提升特征分辨率與靈敏度,并結(jié)合軟件算法優(yōu)化信噪比,實(shí)現(xiàn)顯微成像下超高靈敏度的熱信號(hào)測(cè)量。RTTLIT P20搭載100Hz高頻深制冷型超高靈敏度顯微熱紅外成像探測(cè)器,測(cè)溫靈敏度達(dá)0.1mK,顯微分辨率低至2μm,具備良好的檢測(cè)靈敏度與測(cè)試效能。該系統(tǒng)重點(diǎn)應(yīng)用于對(duì)測(cè)溫精度和顯微分辨率要求嚴(yán)苛的場(chǎng)景,包括半導(dǎo)體器件、晶圓、集成電路、IGBT、功率模塊、第三代半導(dǎo)體、LED及microLED等的失效分析,是電子集成電路與半導(dǎo)體器件失效分析及缺陷定位領(lǐng)域的關(guān)鍵工具。分析倒裝芯片(Flip Chip)、3D 封裝(TSV)的層間熱傳導(dǎo)異常,排查焊球陣列、TSV 通孔的熱界面失效。
除了熱輻射,電子設(shè)備在出現(xiàn)故障或異常時(shí),還可能伴隨微弱的光發(fā)射增強(qiáng)。熱紅外顯微鏡搭載高靈敏度的光學(xué)探測(cè)器,如光電倍增管(PMT)或電荷耦合器件(CCD),能夠有效捕捉這些低強(qiáng)度的光信號(hào)。這類(lèi)光發(fā)射通常源自電子在半導(dǎo)體材料中發(fā)生的能級(jí)躍遷、載流子復(fù)合或其他物理過(guò)程。通過(guò)對(duì)光發(fā)射信號(hào)的成像和分析,熱紅外顯微鏡不僅能夠進(jìn)一步驗(yàn)證熱點(diǎn)區(qū)域的存在,還可輔助判斷異常的具體機(jī)制,為故障定位和性能評(píng)估提供更精確的信息。熱紅外顯微鏡通過(guò)納秒級(jí)瞬態(tài)熱捕捉,揭示高速芯片開(kāi)關(guān)過(guò)程的瞬態(tài)熱失效機(jī)理。檢測(cè)用熱紅外顯微鏡哪家好
熱紅外顯微鏡支持芯片、電路板等多類(lèi)電子元件熱檢測(cè)?;輥?lái)熱紅外顯微鏡
半導(dǎo)體制程已逐步進(jìn)入 3 納米及更先進(jìn)階段,芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)日趨密集,供電電壓也持續(xù)降低,這使得微觀熱行為對(duì)器件性能的影響變得更為明顯。致晟光電熱紅外顯微鏡是在傳統(tǒng)熱發(fā)射顯微鏡基礎(chǔ)上,經(jīng)迭代進(jìn)化而成的精密工具。在先進(jìn)制程研發(fā)中,它在應(yīng)對(duì)熱難題方面能提供一定支持,在芯片設(shè)計(jì)驗(yàn)證、失效排查以及性能優(yōu)化等環(huán)節(jié),都能發(fā)揮相應(yīng)的作用。其通過(guò)不斷優(yōu)化的技術(shù),適應(yīng)了先進(jìn)制程下對(duì)微觀熱信號(hào)檢測(cè)的需求,為相關(guān)研發(fā)工作提供了有助于分析和解決問(wèn)題的熱分布信息,助力研發(fā)人員更好地推進(jìn)芯片相關(guān)的研究與改進(jìn)工作。
惠來(lái)熱紅外顯微鏡
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