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檢測兩基極間電阻：兩表筆（不分正、負(fù)）接單結(jié)晶體管除發(fā)射極E以外的兩個管腳，讀數(shù)應(yīng)為3～10kΩ。[7]檢測PN結(jié)正向電阻（N基極管為例，下同）：黑表筆接發(fā)射極E，紅表筆分別接兩個基極，讀數(shù)均應(yīng)為數(shù)千歐。對調(diào)兩表筆后檢測PN結(jié)反向電阻，讀數(shù)均應(yīng)為無窮大。如果測量結(jié)果與上述不符，說明被測單結(jié)管已損壞。[8]測量單結(jié)晶體管的分壓比η：按圖示搭接一個測量電路，用萬用表“直流10V”擋測出C2上的電壓UC2，再按公式η=UC2/UB計算即可。[9]單結(jié)晶體管的基本應(yīng)用是組成脈沖產(chǎn)生電路，包括振蕩器、波形發(fā)生器等，并可使電路結(jié)構(gòu)大為簡化。圖示為單結(jié)晶體管弛張振蕩器。單結(jié)管VT的發(fā)射極輸出鋸齒波，...

檢測兩基極間電阻：兩表筆（不分正、負(fù)）接單結(jié)晶體管除發(fā)射極E以外的兩個管腳，讀數(shù)應(yīng)為3～10kΩ。[7]檢測PN結(jié)正向電阻（N基極管為例，下同）：黑表筆接發(fā)射極E，紅表筆分別接兩個基極，讀數(shù)均應(yīng)為數(shù)千歐。對調(diào)兩表筆后檢測PN結(jié)反向電阻，讀數(shù)均應(yīng)為無窮大。如果測量結(jié)果與上述不符，說明被測單結(jié)管已損壞。[8]測量單結(jié)晶體管的分壓比η：按圖示搭接一個測量電路，用萬用表“直流10V”擋測出C2上的電壓UC2，再按公式η=UC2/UB計算即可。[9]單結(jié)晶體管的基本應(yīng)用是組成脈沖產(chǎn)生電路，包括振蕩器、波形發(fā)生器等，并可使電路結(jié)構(gòu)大為簡化。圖示為單結(jié)晶體管弛張振蕩器。單結(jié)管VT的發(fā)射極輸出鋸齒波，...

使設(shè)備進(jìn)入穩(wěn)態(tài)運(yùn)行。若一次起動不成功，即自動調(diào)頻電路沒有抓住中頻電壓反饋信號，此時，它激信號便會一直掃描到比較低頻率，重復(fù)起動電路一旦檢測到它激信號進(jìn)入到比較低頻段，便進(jìn)行一次再起動，把它激信號再推到比較高頻率，重新掃描一次，直至起動成功，重復(fù)起動的周期約為。由CON2-1和CON2-2輸入的中頻電壓信號，經(jīng)IC1A轉(zhuǎn)換成方波信號，輸入到IC6的30角，由IC6的15P、16P輸出的逆變觸發(fā)信號。經(jīng)IC7A隔離放大后，驅(qū)動逆變觸發(fā)CMOS晶體管Q5、Q6。IC4B和IC4C構(gòu)成逆變壓控時鐘，輸入到IC6的33腳CLOK2；同時又由IC7B進(jìn)行頻壓轉(zhuǎn)換后用于驅(qū)動頻率表。W6微調(diào)電位器用于...

晶閘管智能模塊的散熱要求 模塊散熱條件的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的使用壽命和短時過載能力，溫度越低模塊的輸出電流越大，所以在使用中一定要配備散熱器和風(fēng)機(jī)，建議采用帶有過熱保護(hù)功能的產(chǎn)品，有水冷散熱條件的優(yōu)先選擇水冷散熱。我們經(jīng)過嚴(yán)格測算，確定了不同型號的產(chǎn)品所應(yīng)該配備的散熱器型號，推薦采用廠家配套的散熱器和風(fēng)機(jī)，用戶自備時按以下原則選取： 1、軸流風(fēng)機(jī)的風(fēng)速應(yīng)大于6m/s ； 2、一定要能保證模塊正常工作時散熱底板溫度不大于 80℃； 3、模塊負(fù)載較輕時，可減小散熱器的大小或采用自然冷卻； 4、采用自然方式冷卻時散熱器周圍的空氣能實(shí)現(xiàn)對流并適當(dāng)增大散熱器面積； ...

晶閘管智能模塊的保護(hù) 在實(shí)際應(yīng)用中，除合理選擇智能可控硅調(diào)壓模塊的額定電壓及電流外，還必須采取有效的保護(hù)措施來保證晶閘管智能模塊能可靠工作。 過熱保護(hù)：晶閘管智能模塊與其他功率器件一樣，在實(shí)際工作中由于自身功耗，都會引起芯片溫度上升，溫度過高后，會使漏電流增加，芯片特性變軟，直至過熱擊穿，在實(shí)際應(yīng)用中，通常采用強(qiáng)迫風(fēng)冷的方法來及時散除晶閘管工作時產(chǎn)生的熱量，控制散熱器比較高溫度不超過75°，使晶閘管智能模塊在安全溫度下工作。 正高電氣交通便利，地理位置優(yōu)越。聊城MTAC600晶閘管智能模塊批發(fā) 但是在設(shè)定電流限值時必須要根據(jù)電動機(jī)的初始轉(zhuǎn)矩來設(shè)定，否則設(shè)置過小會起動失敗或...

中頻電壓互感器過來的中頻電壓信號由CON2-1和CON2-2輸入后，分為兩路，一路由IC1A進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換后送到IC6的30P，另一路經(jīng)D7-D10整流后，又分為兩路，一路送到電壓/電流調(diào)節(jié)器，另一路送到過電壓保護(hù)。由主回路交流互感器取得的電流信號，先在外部轉(zhuǎn)換成電壓信號，從CON2-3、CON2-4、CON2-5輸入，經(jīng)二極管D11-D16整流后，再分為兩路，一路作為過流保護(hù)信號，另一路作為電壓/電流調(diào)節(jié)器的反饋信號。本電路逆變觸發(fā)部分，采用的是掃頻式零壓軟起動，只需取一路中頻電壓反饋信號，無需槽路中頻電容器上的電流信號，其本質(zhì)上相當(dāng)于它激轉(zhuǎn)自激電路，屬于平均值反饋電路。由于主回路上無...

使設(shè)備進(jìn)入穩(wěn)態(tài)運(yùn)行。若一次起動不成功，即自動調(diào)頻電路沒有抓住中頻電壓反饋信號，此時，它激信號便會一直掃描到比較低頻率，重復(fù)起動電路一旦檢測到它激信號進(jìn)入到比較低頻段，便進(jìn)行一次再起動，把它激信號再推到比較高頻率，重新掃描一次，直至起動成功，重復(fù)起動的周期約為。由CON2-1和CON2-2輸入的中頻電壓信號，經(jīng)IC1A轉(zhuǎn)換成方波信號，輸入到IC6的30角，由IC6的15P、16P輸出的逆變觸發(fā)信號。經(jīng)IC7A隔離放大后，驅(qū)動逆變觸發(fā)CMOS晶體管Q5、Q6。IC4B和IC4C構(gòu)成逆變壓控時鐘，輸入到IC6的33腳CLOK2；同時又由IC7B進(jìn)行頻壓轉(zhuǎn)換后用于驅(qū)動頻率表。W6微調(diào)電位器用于...

IC1D及其周圍電路構(gòu)成壓控時鐘，其輸出信號的周期隨調(diào)節(jié)器的輸出電壓VK而線性變化。壓控時鐘信號輸入到IC6的11P，作為數(shù)字觸發(fā)的時鐘CL0K0。數(shù)字觸發(fā)的特征是用計數(shù)（時鐘脈沖）的辦法來實(shí)現(xiàn)移相，6路整流移相觸發(fā)脈沖均由IC6產(chǎn)生，IC2C、IC2D及其周圍電路組成定輸出脈寬電路。6路整流移相觸發(fā)脈沖經(jīng)IC5晶體管陳列放大后，驅(qū)動整流脈沖變壓器輸出，這里脈沖變壓器采用的是反激工作方式。共設(shè)有2個調(diào)節(jié)器：中頻電壓/電流調(diào)節(jié)器、逆變角調(diào)節(jié)器。其中電壓/電流調(diào)節(jié)器（IC3C），是常規(guī)的PI調(diào)節(jié)器，在啟動和運(yùn)行的整個階段，該環(huán)始終參與工作；逆變角調(diào)節(jié)器（IC3B）用于使逆變橋能在某一θ角下...

晶閘管智能模塊工作原理 晶閘管智能模塊用于電加熱控制柜內(nèi)，通過溫控儀表的溫度傳感器來采集爐內(nèi)溫度，然后由恒溫儀表來控制智能可控硅調(diào)壓模塊的輸出電壓，形成一個溫度閉環(huán)系統(tǒng)，來保持爐內(nèi)溫度恒定。 晶閘管智能模塊過壓保護(hù)： 晶閘管智能模塊工作時由導(dǎo)通到截止時或因雷擊及其他原因都會產(chǎn)生能量較大，持續(xù)時間較長的過電壓，此電壓直接作用與晶閘管上會使晶閘管超過額定電壓而擊穿，為了保護(hù)晶閘管，常采用壓敏電阻吸收與阻容吸收的方法來吸收過電壓，有效避免晶閘管被擊穿。 正高電氣擁有業(yè)內(nèi)**人士和高技術(shù)人才。濱州MTDC500晶閘管智能模塊品牌 但是在設(shè)定電流限值時必須要根...

限流作用的強(qiáng)弱調(diào)節(jié)使靜止的。無接觸的。非機(jī)械式的，這就為微電子技術(shù)打開了大門。所以，在工作原理上磁控軟起動和晶閘管軟起動是完全相同的。說磁飽和軟起動能實(shí)現(xiàn)軟停止，能夠具有晶閘管軟起動所具有的幾乎全部功能，其原因概出于此。高壓磁飽和電抗器在原理和結(jié)構(gòu)上與低壓（380V）磁飽和電抗器沒有本質(zhì)的區(qū)別，只是在某些方面需要采取一些特殊的處理罷了。磁飽和電抗器具有，這使磁控軟起動的快速性比晶閘管慢一個數(shù)量級。對于電動機(jī)系統(tǒng)的大慣性來說，磁控軟起動的慣性是不足為慮的。有人說磁控軟起動不產(chǎn)生高次諧波，這是錯誤的。只要飽和。就一定會有非線性，就一定會引起高次諧波，只是磁飽和電抗器產(chǎn)生的高次諧波會比工作于...

使得VD1~VD4所組成的橋路不通，作為負(fù)載的燈泡中無電流流過，燈泡不亮。以下是一款簡單的光敏電阻延時節(jié)電開關(guān)電路圖，它是由三個接線端子［1］、［2］、［3］，三端低壓直流電源［4］，延時電路由（W↓〔1〕、R↓〔1〕、C↓〔1〕構(gòu)成），脈沖電路（由R↓〔2〕、BG↓〔1〕構(gòu)成），無觸點(diǎn)開關(guān)電路（由SCR↓〔1〕、R↓〔2〕、D↓〔1〕、SCR↓〔2〕構(gòu)成。它具有電路簡單、成本低、體積小、布線簡單、使用方便、經(jīng)久耐用、節(jié)電顯著、用電設(shè)備壽命長的特點(diǎn)。光敏電阻光控?zé)綦娐穲D（三）：基于光敏電阻的亮度自動調(diào)節(jié)臺燈電路圖本方案介紹的自動調(diào)光臺燈能根據(jù)周圍環(huán)境亮度強(qiáng)弱自動調(diào)整臺燈發(fā)光量。當(dāng)環(huán)境亮...

現(xiàn)在想要設(shè)計一個硬件電路，用單片機(jī)控制晶閘管來控制白熾燈燈光的亮度（220V的）。想問一下，晶閘管怎么連接在電路中？怎么和零線火線連接？單片機(jī)怎么和晶閘管連接？晶閘管上有還有...現(xiàn)在想要設(shè)計一個硬件電路，用單片機(jī)控制晶閘管來控制白熾燈燈光的亮度（220V的）。晶閘管怎么連接在電路中？怎么和零線火線連接？單片機(jī)怎么和晶閘管連接？晶閘管上有還有4個接頭，，現(xiàn)代科技理論與生產(chǎn)實(shí)踐相結(jié)合的基礎(chǔ)上，依托科研單位的多年技術(shù)積累、深厚的技術(shù)底蘊(yùn)，是專業(yè)從事智能電網(wǎng)、無功補(bǔ)償、電能質(zhì)量產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和服務(wù)為一體的高科技企業(yè)；是智能電網(wǎng)、無功補(bǔ)償、電能質(zhì)量整體解決方案前列供應(yīng)商；目前所提供的產(chǎn)品...

引理**近有朋友說關(guān)于加熱爐出現(xiàn)燒毀晶閘管的問題，事情起源為公司設(shè)計了一個加熱爐，加熱上限溫度100度，下限溫度-60度。加熱爐的加熱電阻設(shè)計連接方式為星形連接，其中一臺設(shè)備采用了三角形連接方式，結(jié)果晶閘管經(jīng)常被燒毀，問這是什么原因引起的損壞。加熱爐要解釋這個問題，需要從電阻的星接和角接以及由于電阻接法不同引起的加熱功率變化兩個方面進(jìn)行分析。本文分析采用理論與實(shí)際相結(jié)合形式，讀者根據(jù)需求選擇部分章節(jié)進(jìn)行閱讀。電加熱爐原理介紹電加熱爐溫度控制采用的是晶閘管周期性導(dǎo)通控制電阻絲功率的調(diào)功器。調(diào)功器的控制方式：晶閘管零電壓開關(guān)，在時間周期T內(nèi)，晶閘管全導(dǎo)通周波數(shù)對應(yīng)的時間Tm，晶閘管關(guān)閉時間T...

傳統(tǒng)的電加熱行業(yè)使用的功率器件一般采用分離晶閘管+晶閘管觸發(fā)板的方式來完成對變壓器初級或次級的調(diào)壓；加熱行業(yè)往往工作環(huán)境很惡劣，粉塵飛揚(yáng)，溫度變化較大，濕度較高，長時間工作后會出現(xiàn)觸發(fā)板工作失常，造成晶閘管擊穿，導(dǎo)致設(shè)備停產(chǎn)，產(chǎn)品報廢等，給生產(chǎn)造成嚴(yán)重?fù)p失。并且普通電工無法完成維修工作，必須專業(yè)人員進(jìn)行操作。為了避免出現(xiàn)上述問題，比較好采用密封性好，工作環(huán)境適應(yīng)能力強(qiáng)，安裝維修方便的晶閘管智能模塊來替代傳統(tǒng)的方式。晶閘管智能模塊是把晶閘管主電路與移向觸發(fā)系統(tǒng)（即觸發(fā)板）集成共同封裝在一個塑料外殼內(nèi)，從而省去了觸發(fā)板與晶閘管之間的連接線、晶閘管與晶閘管之間的連接線，減小了接線錯誤的幾率，維護(hù)...

金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。（四）按電流容量分類晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、**率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝。（五）按關(guān)斷速度分類晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和高頻（快速）晶閘管。晶閘管的工作原理晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。晶閘管的工作條件：1.晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門極承受和種電壓，晶閘管都處于關(guān)短狀態(tài)。...

并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正反饋過程迅速進(jìn)行。從圖3，當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。式（1—1）中，在晶閘管導(dǎo)通后，1-（a1+a2）≈0,即使此時門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通。晶閘管在導(dǎo)通后，門極已失去作用。在晶閘管導(dǎo)通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時，由于a1...

傳統(tǒng)的電加熱行業(yè)使用的功率器件一般采用分離晶閘管+晶閘管觸發(fā)板的方式來完成對變壓器初級或次級的調(diào)壓；加熱行業(yè)往往工作環(huán)境很惡劣，粉塵飛揚(yáng)，溫度變化較大，濕度較高，長時間工作后會出現(xiàn)觸發(fā)板工作失常，造成晶閘管擊穿，導(dǎo)致設(shè)備停產(chǎn)，產(chǎn)品報廢等，給生產(chǎn)造成嚴(yán)重?fù)p失。并且普通電工無法完成維修工作，必須專業(yè)人員進(jìn)行操作。為了避免出現(xiàn)上述問題，比較好采用密封性好，工作環(huán)境適應(yīng)能力強(qiáng)，安裝維修方便的晶閘管智能模塊來替代傳統(tǒng)的方式。晶閘管智能模塊是把晶閘管主電路與移向觸發(fā)系統(tǒng)（即觸發(fā)板）集成共同封裝在一個塑料外殼內(nèi)，從而省去了觸發(fā)板與晶閘管之間的連接線、晶閘管與晶閘管之間的連接線，減小了接線錯誤的幾率，維護(hù)...

晶閘管模塊的應(yīng)用方法 1、模塊的控制功能端口定義 +12V： 外接 +12V直流電源正極。 GND： 直流電源地線。 GND1: 控制信號地線，與GND 相通。 CON10V: 0～10V 控制信號輸入。 TESTE： 檢測電源,可外接 4.7K～20K電位器，取出0～10V 信號。 CON20mA：4～20mA控制信號輸入。 2、模塊的控制端口與控制線 模塊控制端接口有5腳、9腳和15腳三種形式，分別對應(yīng)于5芯、9芯、15芯的控制線。采用電壓信號的產(chǎn)品只用**腳端口，其余為空腳，采用電流信號的9腳為信號輸入，控制線的屏...

電壓很容易對晶閘管模塊造成損壞，那么，我們就要了解過電壓保護(hù)，保護(hù)晶閘管模塊，不讓其受過電壓損壞。要保護(hù)晶閘管，就要知道過電壓是怎么產(chǎn)生的？從而去避免。以下是為大家列舉的詳細(xì)情況：晶閘管模塊對過電壓很敏感，當(dāng)正向電壓超過其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導(dǎo)通，引發(fā)電路故障；當(dāng)外加反向電壓超過其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時，晶閘管模塊就會立即損壞。因此，必須研究過電壓的產(chǎn)生原因及過電壓的方法。過電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲能發(fā)生了激烈的變化，使得系統(tǒng)來不及轉(zhuǎn)換，或者系統(tǒng)中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關(guān)的開閉引...

晶閘管智能模塊的保護(hù) 在實(shí)際應(yīng)用中，除合理選擇智能可控硅調(diào)壓模塊的額定電壓及電流外，還必須采取有效的保護(hù)措施來保證晶閘管智能模塊能可靠工作。 過熱保護(hù)：晶閘管智能模塊與其他功率器件一樣，在實(shí)際工作中由于自身功耗，都會引起芯片溫度上升，溫度過高后，會使漏電流增加，芯片特性變軟，直至過熱擊穿，在實(shí)際應(yīng)用中，通常采用強(qiáng)迫風(fēng)冷的方法來及時散除晶閘管工作時產(chǎn)生的熱量，控制散熱器比較高溫度不超過75°，使晶閘管智能模塊在安全溫度下工作。 選擇正高電氣，就是選擇質(zhì)量、真誠和未來。淄博晶閘管智能模塊哪家好 引理**近有朋友說關(guān)于加熱爐出現(xiàn)燒毀晶閘管的問題，事情起源為公司設(shè)計了一個加熱爐，加...

具體的電路原理圖如下所示：太陽能光控定時節(jié)能照明電路電路原理簡述：白天有太陽時，太陽能電池板輸出的電壓通過二極管VD1給蓄電池充電，儲備電能以供電路夜間工作。RL光敏電阻在白天的阻值呈低阻狀態(tài)，NE555的2、6腳輸入電壓大于（2/3），其3腳輸出低電平，使CD4069和三極管VT1無電壓不工作，繼電器J不動作，節(jié)能燈驅(qū)動電路無電壓。夜間，光敏電阻RL呈高阻值，使NE555輸入瑞電壓小于（1/3），3腳翻轉(zhuǎn)為高電平，CD4069及VT1（3CG21）得電進(jìn)入工作狀態(tài)。CD4069是一片帶振蕩器的14位二進(jìn)制串行計數(shù)/分頻集成電路，C4、R3，R5與CD4069內(nèi)部電路構(gòu)成的振蕩電路產(chǎn)生...

則要求比較大逆變換相引前角在42°左右，此時，中頻輸出電壓與直流電壓的比為。一般期望它盡可能的大些，這在系統(tǒng)輸入電壓偏低時，仍可保證中頻輸出電壓到額定值，當(dāng)系統(tǒng)輸入電壓偏高時，由于有電壓調(diào)節(jié)器的作用，中頻輸出仍然不會出現(xiàn)過電壓。此項調(diào)試工作應(yīng)在50%額定中頻輸出電壓下進(jìn)行。注意，必須先調(diào)，再調(diào)，否則順序反了，會出現(xiàn)互相牽扯的問題。有時由于電壓表不準(zhǔn)，給調(diào)試帶來錯誤的結(jié)論，所以應(yīng)以示波器測得的引前角為準(zhǔn)。調(diào)試中若出現(xiàn)逆變引前角過大的現(xiàn)象，應(yīng)檢查槽路諧振頻率是否過低。（W2）在輕負(fù)荷的情況下整定額定輸出電壓，把主控板上的DIP開關(guān)均撥在OFF位置、W2微調(diào)電位器順時針旋至比較大，把面板上的...

這兩部分電路，R5、RP和C5構(gòu)成阻容移相電路。合上電源開關(guān)S，交流電源電壓通過R5、RP向電容器C5充電，當(dāng)電容器C5兩端的電壓上升到略高于雙向觸發(fā)二極管ST的轉(zhuǎn)折電壓時，ST和雙向晶閘管VS相繼導(dǎo)通，負(fù)載RL得電工作。當(dāng)交流電源電壓過零瞬間，雙向晶閘管自行關(guān)斷，接著C5又被電源反向充電，重復(fù)上述過程。分析電路時，觸發(fā)電路是工作在交流電路中的，交流電壓的正、負(fù)半周分別會發(fā)出正、負(fù)觸發(fā)脈沖送到雙向晶閘管的控制極，使管子在正、負(fù)半周內(nèi)對稱地導(dǎo)通一次。改變RP的阻值，就改變了C5的充電速度，也就改變了雙向晶閘管的導(dǎo)通角，相應(yīng)地改變了負(fù)載RL上的交流電壓，實(shí)現(xiàn)了交流調(diào)壓。同是不是可以直接作交...

難以實(shí)現(xiàn)起動方式的多樣化。三是液阻軟起動需要維護(hù)，液箱中水需要定期補(bǔ)充。電極板長期浸泡于電解液中，表面會有一定的銹蝕，需要作表面處理（大概2-3年一次）。四是液阻軟起動裝置不適合置放在易結(jié)水或顛簸的現(xiàn)場。近年有所謂的熱變液阻軟啟動裝置，通過液阻本身在軟起動過程中的溫升，借助電解液電導(dǎo)率與溫度的正相關(guān)性實(shí)現(xiàn)無極板伺服機(jī)構(gòu)的軟啟動。但是，其可行性大受質(zhì)疑；它的限流器件不具備限流能力易控性，裝置對使用環(huán)境溫度要求高，軟起動重復(fù)性差。二、磁控軟起動器磁控軟起動在起動開始時限流作用較強(qiáng)，在軟起動過程中逐漸減弱。電抗器在起動完成后被旁路。限流作用的強(qiáng)弱變化是通過控制直流勵磁電流、改變鐵心的飽和度實(shí)...

[1]單結(jié)管即單結(jié)晶體管，又稱為雙基極二極管，是一種具有一個PN結(jié)和兩個歐姆電極的負(fù)阻半導(dǎo)體器件。常見的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結(jié)晶體管。[2]單結(jié)晶體管可分為N型基極單結(jié)管和P型基極單結(jié)管兩大類。單結(jié)晶體管的文字符號為“VT”，圖形符號如圖所示。[3]單結(jié)晶體管的主要參數(shù)有：①分壓比η，指單結(jié)晶體管發(fā)射極E至基極B1間的電壓（不包括PN結(jié)管壓降）在兩基極間電壓中所占的比例。②峰點(diǎn)電壓UP，是指單結(jié)晶體管剛開始導(dǎo)通時的發(fā)射極E與基極B1的電壓，其所對應(yīng)的發(fā)射極電流叫做峰點(diǎn)電流IP。③谷點(diǎn)電壓UV，是指單結(jié)晶體管由負(fù)阻區(qū)開始進(jìn)入飽和區(qū)時的發(fā)射極E與基極B1間的電壓，其所對應(yīng)的發(fā)射極電流...

是一種具有三個PN結(jié)的功率型半導(dǎo)體器件。常見的晶閘管有塑封式、陶瓷封裝式、金屬殼封裝式和大功率螺栓式等形狀。晶體閘流管可分為：單向晶閘管、雙向晶閘管、可關(guān)斷晶閘管等多種。[12]晶體閘流管的文字符號為“VS”，圖形符號如圖示。晶閘管的主要參數(shù)有：額定通態(tài)平均電流、正反向阻斷峰值電壓、維持電流、控制極觸發(fā)電壓和電流等。使用時應(yīng)注意不能超過其極限參數(shù)指標(biāo)，并留有一定余量，以免造成器件損壞。[13]晶閘管具有三個電極。單向晶閘管的三個電極是：陽極A、陰極K、控制極G。雙向晶閘管的三個電極是：兩個主電極T1、T2以及控制極G。使用中應(yīng)注意識別。[14]晶閘管具有可控的單向?qū)щ娦?，即不但具有一?..

金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。（四）按電流容量分類晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、**率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝。（五）按關(guān)斷速度分類晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和高頻（快速）晶閘管。晶閘管的工作原理晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。晶閘管的工作條件：1.晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門極承受和種電壓，晶閘管都處于關(guān)短狀態(tài)。...

晶閘管智能調(diào)壓模塊的使用方法 1、各功能端相對com端必須為正，若com端為負(fù)極，極性相反，則晶閘管智能調(diào)壓模塊主回路輸出端可能失控。 2、晶閘管智能調(diào)壓模塊各功能端的控制特性均為正極性，即控制電壓越高，模塊強(qiáng)電主回路輸出電壓越高。 3、晶閘管智能調(diào)壓模塊在某一時刻宜使用一種輸入控制方式，若2種以上方式同時輸入使用，則輸入信號較強(qiáng)的一種起主要作用。 4、晶閘管智能調(diào)壓模塊電源為上進(jìn)下出，三相交流電路的進(jìn)線R、S、T無相序要求，導(dǎo)線粗細(xì)按實(shí)際使用電流選擇。 5、晶閘管智能調(diào)壓模塊N線*為模塊內(nèi)部開關(guān)電源用，用1平方細(xì)導(dǎo)線即可，N線與各輸入控制端之間為全隔離絕緣設(shè)...

當(dāng)周圍光線較弱時，RG呈現(xiàn)高電阻，VD5右端電位升高，電容C充電速率加快，振蕩頻率變高，VS導(dǎo)通角增大，電燈兩端電壓升高、高度增大。當(dāng)周圍光線增強(qiáng)時，RG電阻變小，與上述相反，電燈兩端電壓變低，高度減小。元器件選擇與制作調(diào)試調(diào)試時，將RP調(diào)到阻值為零位置，S置于位置2，用萬用表測電燈兩端交流電應(yīng)在200V以上，如低于200V可略減小R1或增大R3阻值，使之達(dá)到要求。光敏電阻RG應(yīng)安裝在臺燈底座側(cè)面臺燈光線不能直接照射的地方，用來感受周圍環(huán)境照度。調(diào)光臺燈的燈泡宜用40W的白熾燈。調(diào)整好的電路即可投入使用；S撥向2為普通調(diào)光臺燈，調(diào)RP可選擇適當(dāng)?shù)母呙芏?；S撥向1為自動臺燈，先調(diào)RP選擇...

并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正反饋過程迅速進(jìn)行。從圖3，當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。式（1—1）中，在晶閘管導(dǎo)通后，1-（a1+a2）≈0,即使此時門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通。晶閘管在導(dǎo)通后，門極已失去作用。在晶閘管導(dǎo)通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時，由于a1...