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晶體中e3的電子結(jié)構(gòu)、能級(jí)結(jié)構(gòu)和發(fā)光特性，給出了鑭系元素的電子殼層結(jié)構(gòu)和離子半徑。從表中可以看出，Ce元素的電子結(jié)構(gòu)為[Xe]4f15d16s2，所以Ce3的電子結(jié)構(gòu)以[Xe]4f1為特征，Ce3的內(nèi)部電子結(jié)構(gòu)為惰性原子結(jié)構(gòu)，0外層只有一個(gè)電子結(jié)構(gòu)，所以Ce3...

一般來說，閃爍體可以分為有機(jī)閃爍體(如萘和蒽)和無機(jī)閃爍體。Ce:YAP作為閃爍晶體的真正研究始于T. Takada等人(1980)和R. Autrata等人(1983)的提議以及YAP晶體作為掃描電鏡電子射線和紫外光子檢測(cè)的研究。1991年，Baryshev...

釔鋁石榴石(Y3Al5O12或YAG)單晶體是優(yōu)良的激光基質(zhì)材料以及光學(xué)襯底材料，例如，Nd:YAG和Yb:YAG激光晶體已經(jīng)廣泛應(yīng)用于工業(yè)、**醫(yī)療、以及科研等領(lǐng)域。特別是近二十年來，隨著LD泵浦固體激光器的迅猛發(fā)展，國(guó)際上對(duì)Yb:YAG激光晶體又掀起研究高...

YbYAG晶體的熔點(diǎn)達(dá)1970℃，為一致熔融化合物，通常采用感應(yīng)加熱熔體提拉法生長(zhǎng)：首先將待生長(zhǎng)的晶體的原料放在耐高溫的坩堝中加熱直至熔化，調(diào)整爐內(nèi)溫度場(chǎng)，使熔體上部處于過冷狀態(tài)。然后在籽晶桿上安放所需籽晶，并讓籽晶接觸熔體表面。當(dāng)籽晶表面稍熔后，慢慢向上提拉...

無機(jī)閃爍晶體的性能表征？電子元器件是構(gòu)成電子信息系統(tǒng)的基本功能單元，是各種電子元件、器件、模塊、部件、組件的統(tǒng)稱，同時(shí)還涵蓋與上述電子元器件結(jié)構(gòu)與性能密切相關(guān)的封裝外殼、電子功能材料等。回顧過去一年國(guó)內(nèi)激光晶體，閃爍晶體，光學(xué)晶體，光學(xué)元件及生產(chǎn)加工產(chǎn)業(yè)運(yùn)行情...

不同厚度Ce:YAP晶體自吸收比較。當(dāng)強(qiáng)度為J0的入射輻射穿過厚度為為x,的材料時(shí)，出射輻射的強(qiáng)度可以近似表示為：J=J0exp(-x) (1.8)其中為線性吸收系數(shù)。就伽馬射線而言，它們主要與固體中的電子相互作用。此時(shí)主要取決于固體中的電子密度ne和一個(gè)電子...

在不斷優(yōu)化設(shè)備激光加熱系統(tǒng)，調(diào)整生長(zhǎng)參數(shù)的基礎(chǔ)上，成功制備出直徑約0.2 mm長(zhǎng)710 mm YbYAG單晶光纖，LHPG單晶光纖生長(zhǎng)爐設(shè)備結(jié)構(gòu)如圖1所示。該YbYAG單晶光纖長(zhǎng)徑比＞3000，且直徑波動(dòng)在±5%以內(nèi)，是迄今為止在國(guó)內(nèi)外見諸報(bào)道的同類單晶光纖中...

在激光制導(dǎo)等領(lǐng)域，半導(dǎo)體常常與稀土共同出現(xiàn)，甚至一些武器直接是用稀土命名。比如坦克使用的摻釹釔鋁石榴石激光測(cè)距機(jī)，這是現(xiàn)代先進(jìn)坦克的標(biāo)配裝備，從美國(guó)的M1到英國(guó)的“挑戰(zhàn)者”和德國(guó)的“豹2”，無一例外，它的測(cè)量距離達(dá)到20公里，精度比普通的光學(xué)測(cè)距儀高很多。稀土...

一般來說，作為激光工作物質(zhì)的基體材料應(yīng)具有以下特征：(1)良好的光學(xué)性能?；w材料應(yīng)具有寬的傳輸線和高的透光率，以滿足激光輸出的需要。(2) 良好的力學(xué)和熱力學(xué)性能?；w應(yīng)具有高的機(jī)械強(qiáng)度和導(dǎo)熱性，小的熱膨脹系數(shù)和穩(wěn)定的熱光性能。由于激光會(huì)產(chǎn)生大量的熱能和一系...

2000年，Budni P A等人用120W光纖耦合二極管泵浦3% TM3360 ylF，獲得36W激光輸出[54]。然后Dergachev A報(bào)道了3.5%的Tm:YLF 1905-2067nm寬調(diào)諧CW激光輸出，多縱模輸出功率大于18W，斜率效率3...

Ce: YAP閃爍晶體的性能研究，摻鈰釔鋁石榴石(Ce: YAP)作為一種性能優(yōu)越的高溫閃爍晶體，在高能核物理和核醫(yī)學(xué)領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，我國(guó)生長(zhǎng)的Ce: YAP晶體存在嚴(yán)重的自吸收問題，直接影響晶體的發(fā)光效率。為了提高Ce: YAP晶...

與其它常用閃爍晶體相比，Ce:YAP晶體還具有下列閃爍特征：光輸出的溫度特性好。Ce:YAP晶體光輸出隨溫度變化特性，在25~200oC 區(qū)間內(nèi)，晶體光產(chǎn)額隨溫度增加基本保持不變。與其它晶體如NaI:Tl、BGO和CsI等相比，Ce:YAP的這種對(duì)溫度依賴小的...

Ce: YAP晶體的退火，剛出爐的Ce:YAP單晶由于內(nèi)部熱應(yīng)力較大，在加工過程中容易開裂，提拉法生長(zhǎng)的晶體明顯，同時(shí)由于鈰離子的價(jià)態(tài)(Ce2、Ce3、Ce4)不同，高溫閃爍晶體中只有三價(jià)鈰離子(Ce3)作為發(fā)光中心，因此不同的退火工藝條件對(duì)高溫閃爍晶體的閃爍...

不同摻雜濃度的YbYAG晶體，通過不同Yb3雜濃度30at﹪的YbYAG晶休的陰極射線發(fā)光譜，衰減時(shí)間，光輸出及其溫度依賴關(guān)系的測(cè)量研究了YbYAG晶體的閃爍性能。不同Yb3，摻雜濃度的YbYAG晶體具有不同的光輸出和淬滅溫度，光輸出隨Yb，摻雜濃度升高而降低...

發(fā)光中心分布在晶體中分布不均勻?qū)?huì)導(dǎo)致探測(cè)元件閃爍性能的差異，在一定程度上降低了閃爍探測(cè)器的整機(jī)性能。研究表明，Ce:YAG晶體的閃爍性能對(duì)Ce3+離子濃度有較強(qiáng)的依賴關(guān)系。下列圖表分別表示了Ce:YAG閃爍晶體的光輸出和衰減常數(shù)(快成分與慢成分)隨Ce離子的...

2002年，Batay L E等人報(bào)道了二極管泵浦的Tm:KYW晶體的連續(xù)可調(diào)激光輸出，較大功率為1.8W[51]。同年，他們?cè)赥m:KYW晶體中實(shí)現(xiàn)了被動(dòng)調(diào)Q激光輸出，比較大脈沖能量約為4J，**窄脈沖寬度為55ns[48]。2004年，Petrov等人...

通過測(cè)量不同溫度下YbYAG晶體的吸收光譜和低溫光譜發(fā)現(xiàn)，即使在低溫下，YbYAG晶體也具有非常豐富的吸收帶和發(fā)射帶，這主要是由于Yb的4f電子所受屏蔽較少，易于與周圍晶格產(chǎn)生較強(qiáng)的相互作用，并且YAG基質(zhì)有非常豐富的聲子振動(dòng)峰，當(dāng)兩個(gè)Strak能級(jí)的間隔與晶...

YbYAG晶體主要特點(diǎn)：簡(jiǎn)單的電子結(jié)構(gòu)排除了激發(fā)態(tài)吸收和各種有害的猝滅過程。940 nm寬吸收帶2F5/2鐿能級(jí)的壽命。低量子缺陷?？筛鶕?jù)要求提供定制。YbYAG晶體主要應(yīng)用：材料加工，微加工，焊接，切割。高功率薄盤激光器。YbYAG晶體技術(shù)特性：吸收峰波長(zhǎng)9...

Tm:YAP激光晶體，YAP晶體屬于正交畸變鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，是負(fù)雙軸晶體。其結(jié)構(gòu)參數(shù)和基本理化性質(zhì)。Tm:YAP具有與純YAP晶體相似的結(jié)構(gòu)。與Tm:YAP相比，Tm:YAP具有類似于Tm:YAP的優(yōu)異熱力學(xué)性能，并且由于其雙光軸，可以Tm:YAP激光器工作過程中...

Tm:YAP晶體主要應(yīng)用在哪個(gè)領(lǐng)域？Tm:YAP晶體的光譜性能1.1.1 Tm:YAP晶體的吸收譜實(shí)驗(yàn)中我們測(cè)試了常溫下Tm:YAP晶體的不同濃度（1at%，3at%，4at%，5at%）不同方向非偏振吸收譜及4at%濃度下的不同方向偏振吸收譜，并且對(duì)4at%...

室溫下YbYAG的上轉(zhuǎn)換熒光光譜，此熒光歸因于Yb3+離子的“合作”發(fā)光和Yb3+離子到稀土雜質(zhì)離子的能量轉(zhuǎn)移。測(cè)試了YbYAG晶體的X射線熒光，發(fā)光峰對(duì)應(yīng)于電荷遷移態(tài)到Y(jié)b3+離子的基態(tài)，激光態(tài)間的躍遷。研究了Cr，YbYAG晶體的熒光光譜，討論了Cr4+激...

Ce: YAP晶體的退火，剛出爐的Ce:YAP單晶由于內(nèi)部熱應(yīng)力較大，在加工過程中容易開裂，提拉法生長(zhǎng)的晶體明顯，同時(shí)由于鈰離子的價(jià)態(tài)(Ce2、Ce3、Ce4)不同，高溫閃爍晶體中只有三價(jià)鈰離子(Ce3)作為發(fā)光中心，因此不同的退火工藝條件對(duì)高溫閃爍晶體的閃爍...

兩項(xiàng)一般性意見如下：如上所述，快電子在非彈性散射過程中會(huì)損失能量。這是文學(xué)中常見的表達(dá)。但是，能量實(shí)際上并沒有損失，而是分布到了二次電子激發(fā)。閃爍體中真正的能量損失是由以下與閃爍競(jìng)爭(zhēng)的過程引起的：點(diǎn)缺陷的形成、聲子，的產(chǎn)生、二次電子和光子從晶體中逃逸以及長(zhǎng)期磷...

大芯層尺寸YbYAG晶體波導(dǎo)的設(shè)計(jì)，采用無膠鍵合(AFB)技術(shù)制備的晶體波導(dǎo)具有良好的模式限制作用.在考慮模式競(jìng)爭(zhēng)的情況下，對(duì)晶體波導(dǎo)的單橫模條件進(jìn)行計(jì)算，得出在芯層材料為原子數(shù)分?jǐn)?shù)為 1%的YbYAG，內(nèi)包層材料為原子數(shù)分?jǐn)?shù)為0.5%的ErYAG中，芯層和內(nèi)...

室溫下YbYAG的上轉(zhuǎn)換熒光光譜，此熒光歸因于Yb3+離子的“合作”發(fā)光和Yb3+離子到稀土雜質(zhì)離子的能量轉(zhuǎn)移。測(cè)試了YbYAG晶體的X射線熒光，發(fā)光峰對(duì)應(yīng)于電荷遷移態(tài)到Y(jié)b3+離子的基態(tài)，激光態(tài)間的躍遷。研究了Cr，YbYAG晶體的熒光光譜，討論了Cr4+激...

工業(yè)的“血液”叫石油，工業(yè)的“糧食”是芯片，而工業(yè)的“維生素”，名曰稀土。在全球的工業(yè)體系中，中東控制了“血液”，美國(guó)控制了“糧食”，而中國(guó)則占據(jù)了“維生素”大部分市場(chǎng)。稀土金屬是位于元素周期表ⅢB族中鈧、釔、鑭系17種元素的總稱，頭一個(gè)稀土元素發(fā)現(xiàn)距今已有2...

由于過渡金屬離子d層電子能級(jí)較多，且易受晶場(chǎng)影響，在YAP晶體中可能存在較多吸收帶。GDMS分析結(jié)果也說明我們生長(zhǎng)的Ce: YAP 晶體中過渡金屬含量均小于 10ppm，對(duì)晶體發(fā)光影響可以忽略。YAP會(huì)出現(xiàn)著色現(xiàn)象嗎？上式中X 為傳感器受到的重量，重量間隔為1...

基于NdYAG晶體光纖的單頻脈沖激光放大器，在重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目的支持下，利用YbYAG晶體光纖和晶體細(xì)棒實(shí)現(xiàn)了平均功率大于70W的高效超快激光輸出，預(yù)計(jì)近期將實(shí)現(xiàn)大于100W的超快激光輸出。希望能將YbYAG晶體光纖超快激光的平均輸出功率提升至500W，在該功...

激光二極管抽運(yùn)10at-%YbYAG晶體獲得高效連續(xù)激光輸出，用激光二極管作為抽運(yùn)源，在室溫下獲得了YbYAG晶體的連續(xù)激光輸出，抽運(yùn)的閾值功率較低為2.2W，當(dāng)入射到晶體上的抽運(yùn)功率為18W時(shí)，YbYAG晶體微片獲得了較大連續(xù)激光輸出功率為5.2 W，斜率效...

YbYAG晶體生長(zhǎng)裝置有哪些，你知道嗎？YbYAG晶體的生長(zhǎng)裝置：氣氛控制系統(tǒng)：YAG晶體生長(zhǎng)時(shí)，通常充入高純度氮?dú)饣驓鍤獾榷栊詺怏w，用來保護(hù)銥金坩堝不被氧化損耗。后加熱器：后熱器可用高熔點(diǎn)氧化物如氧化鋁、陶瓷等制成。通常放在坩堝的上部，生長(zhǎng)的晶體逐漸進(jìn)入后熱...