寬帶性能一致性差，諧波性能也較差。采用普通結(jié)構(gòu)變壓器級(jí)聯(lián)lc匹配實(shí)現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa，采用變壓器及其輸入輸出匹配電容，輸出級(jí)聯(lián)lc匹配濾波電路。這種結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)是諧波性能好，可以實(shí)現(xiàn)寬帶一致的阻抗變換；缺點(diǎn)是寬帶性能一致性和插損之間存在折中，高頻點(diǎn)插損較大。在本發(fā)明實(shí)施例中，通過(guò)增加輔次級(jí)線圈可以在不影響初級(jí)線圈和主次級(jí)線圈的前提下增加輸入到輸出的能量耦合路徑，減小耦合系數(shù)k值較小對(duì)阻抗變換的影響。根據(jù)初級(jí)線圈和主次級(jí)線圈的k值等參數(shù)，選擇合適的輔次級(jí)線圈的大小和k值可以有效提高功率合成變壓器的阻抗變換工作頻率范圍，降低功率合成變壓器損耗。此外，將功率合成變壓器的主次級(jí)線圈和輔次級(jí)線圈以及匹配濾波電路協(xié)同設(shè)計(jì)，能夠進(jìn)一步提高射頻功率放大器的寬帶阻抗變換和濾波性能。為使本發(fā)明的上述目的、特征和有益效果能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說(shuō)明。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種射頻功率放大器，參照?qǐng)D1。在本發(fā)明實(shí)施例中，射頻功率放大器可以包括：功率放大單元(powercell)、功率合成變壓器以及匹配濾波電路。在具體實(shí)施率放大單元可以包括兩個(gè)輸入端以及兩個(gè)輸出端。由于進(jìn)行大功率放大設(shè)計(jì)，電路必然產(chǎn)生許多諧波，匹配電路還需要有濾 波功能。河北品質(zhì)射頻功率放大器值得推薦

    即射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值為射頻功率放大器211的電阻值是r11，射頻功率放大器212、213和214的電阻值仍是r2、r3和r4。計(jì)算射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值，如果射頻功率放大器211的射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值是r11，與配置狀態(tài)電阻值相同，則表示射頻功率放大器211已經(jīng)開(kāi)啟；如果射頻功率放大器211的射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值是r1，與配置狀態(tài)電阻值不相同，則表示射頻功率放大器211未開(kāi)啟，移動(dòng)終端開(kāi)啟射頻功率放大器211。計(jì)算的各個(gè)射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與配置狀態(tài)電阻值均相同時(shí)，則射頻功率放大器已經(jīng)配置完成。其中，頻段切換前，射頻功率放大器的初始狀態(tài)包括開(kāi)啟狀態(tài)和關(guān)閉狀態(tài)，包括兩種情況：全部是關(guān)閉狀態(tài)或者部分關(guān)閉，部分開(kāi)啟。頻段切換時(shí)，移動(dòng)終端會(huì)對(duì)所有射頻功率放大器發(fā)出配置指令，射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與本次指令要求的電阻值未有變化，則不作操作，否則按當(dāng)前指令的電阻值進(jìn)行射頻功率放大器的相關(guān)配置。103、比較所述射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值。例如，射頻功率放大器檢測(cè)模塊的電阻值即移動(dòng)終端切換頻段時(shí)，此時(shí)射頻功率放大器的電阻值。江西短波射頻功率放大器聯(lián)系電話射頻功率放大器(RF PA)是發(fā)射系統(tǒng)中的主要部分。

經(jīng)過(guò)數(shù)十年的發(fā)展，GaN技術(shù)在全球各大洲已經(jīng)普及。市場(chǎng)的廠商主要包括SumitomoElectric、Wolfspeed（Cree科銳旗下）、Qorvo，以及美國(guó)、歐洲和亞洲的許多其它廠商?；衔锇雽?dǎo)體市場(chǎng)和傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不同。相比傳統(tǒng)硅工藝，GaN技術(shù)的外延工藝要重要的多，會(huì)影響其作用區(qū)域的品質(zhì)，對(duì)器件的可靠性產(chǎn)生巨大影響。這也是為什么目前市場(chǎng)的廠商都具備很強(qiáng)的外延工藝能力，并且為了維護(hù)技術(shù)秘密，都傾向于將這些工藝放在自己內(nèi)部生產(chǎn)。GaN-on-SiC更具有優(yōu)勢(shì)。盡管如此，F(xiàn)abless設(shè)計(jì)廠商通過(guò)和代工合作伙伴的合作，發(fā)展速度也很快。憑借與代工廠緊密的合作關(guān)系以及銷售渠道，NXP和Ampleon等廠商或?qū)⒏淖兪袌?chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局。同時(shí)，目前市場(chǎng)上還存在兩種技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)：GaN-on-SiC（碳化硅上氮化鎵）和GaN-on-Silicon（硅上氮化鎵）。它們采用了不同材料的襯底，但是具有相似的特性。理論上，GaN-on-SiC具有更好的性能，而且目前大多數(shù)廠商都采用了該技術(shù)方案。不過(guò)，M/A-COM等廠商則在極力推動(dòng)GaN-on-Silicon技術(shù)的應(yīng)用。未來(lái)誰(shuí)將主導(dǎo)還言之過(guò)早，目前來(lái)看，GaN-on-Silicon仍是GaN-on-SiC解決方案的有力挑戰(zhàn)者。全球GaN射頻器件產(chǎn)業(yè)鏈競(jìng)爭(zhēng)格局GaN微波射頻器件產(chǎn)品推出速度明顯加快。

因此在寬帶應(yīng)用中的使用并不。新興GaN技術(shù)的工作電壓為28V至50V，優(yōu)勢(shì)在于更高功率密度及更高截止頻率(CutoffFrequency，輸出訊號(hào)功率超出或低于傳導(dǎo)頻率時(shí)輸出訊號(hào)功率的頻率)，擁有低損耗、高熱傳導(dǎo)基板，開(kāi)啟了一系列全新的可能應(yīng)用，尤其在5G多輸入輸出(MassiveMIMO)應(yīng)用中，可實(shí)現(xiàn)高整合性解決方案。典型的GaN射頻器件的加工工藝，主要包括如下環(huán)節(jié)：外延生長(zhǎng)-器件隔離-歐姆接觸（制作源極、漏極）-氮化物鈍化-柵極制作-場(chǎng)板制作-襯底減薄-襯底通孔等環(huán)節(jié)。GaN材料已成為基站PA的有力候選技術(shù)。GaN是極穩(wěn)定的化合物，具有強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、在Ⅲ-Ⅴ族化合物中電離度是高的、化學(xué)穩(wěn)定性好，使得GaN器件比Si和GaAs有更強(qiáng)抗輻照能力，同時(shí)GaN又是高熔點(diǎn)材料，熱傳導(dǎo)率高，GaN功率器件通常采用熱傳導(dǎo)率更優(yōu)的SiC做襯底，因此GaN功率器件具有較高的結(jié)溫，能在高溫環(huán)境下工作。GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）憑借其固有的高擊穿電壓、高功率密度、大帶寬和高效率，已成為基站PA的有力候選技術(shù)。GaN射頻器件更能有效滿足5G的高功率、高通信頻段和高效率等要求。相較于基于Si的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（SiLDMOS。放大器能把輸入信號(hào)的電壓或功率放大的裝置，由電子管或晶體管、電源變壓器和其他電器元件組成。

    比如r53＝5kω、r51＝1kω、r52＝100ω。具體的反饋電路中，每組的電阻兩旁各用一個(gè)電容，原因是開(kāi)關(guān)兩端在具體電路中需要為零的dc電壓偏置，故用電容先做隔直處理。反饋電路的反饋深度越大，驅(qū)動(dòng)放大電路增益越低，所用的切換電阻需要越小。這里，反饋電路的切換邏輯如下：高增益模式：開(kāi)關(guān)k51和k52均關(guān)斷；低增益模式：開(kāi)關(guān)k51接通，k52關(guān)斷；負(fù)增益模式：開(kāi)關(guān)k51和k52均接通。假設(shè)射頻功率放大器電路在未加入反饋電路時(shí)的放大系數(shù)為a，反饋電路的反饋系數(shù)為f，則加入反饋電路后射頻功率放大器電路的放大系數(shù)af＝a/(1+af)，隨著反饋電路中等效電阻阻值的降低，反饋系數(shù)f變大，反饋深度增加，放大系數(shù)af變小，即能實(shí)現(xiàn)負(fù)反饋電路部分增益的降低。參見(jiàn)圖7，t2的漏極(drain)電流偏置電路由內(nèi)部電流源ib、t6、r6、r7和c12按照?qǐng)D7所示連接而成。t2和t6的寬長(zhǎng)比參數(shù)w/l成比例關(guān)系a(a遠(yuǎn)大于1)，可以使t2的漏極偏置電流近似為a倍的ib。r6、r7和c12組成的t型網(wǎng)絡(luò)，起到隔離rfin端射頻信號(hào)的作用。在實(shí)際模擬電路中設(shè)計(jì)電流源，可將ib電流分成多個(gè)檔位，通過(guò)數(shù)字寄存器控制切換ib檔位，達(dá)到t2漏極電流切換的效果。t3的柵極。甲類工作狀態(tài)：功放大器在信號(hào)周期內(nèi)始終存在工作電流，即導(dǎo)通角0為360度。廣東高科技射頻功率放大器

GaN作為功率放大器中具有優(yōu)良材料 的寬帶隙半導(dǎo)體材料之一被譽(yù)為第5代半導(dǎo)體在微電應(yīng)用領(lǐng)域存 在的應(yīng)用.河北品質(zhì)射頻功率放大器值得推薦

    因?yàn)樵O(shè)計(jì)的可控衰減電路中電感的品質(zhì)因數(shù)q較低，因此頻選特性不明顯，頻率響應(yīng)帶寬較寬，帶來(lái)的射頻信號(hào)的插入損耗相對(duì)較小。負(fù)增益模式下的回波損耗和頻率響應(yīng)帶寬也能滿足要求。假設(shè)fh為上限頻率，fl為下限頻率，fo為中心頻率；且有：fh＝900mhz，fl＝600mhz，fo＝800mhz，回波損耗大于15db，頻率響應(yīng)的帶寬可達(dá)到300mhz以上，相對(duì)帶寬可達(dá)到(fh-fl)/fo＝(900-600)/800＝％。下面再提供一種采用可控衰減電路和輸入匹配電路的結(jié)構(gòu)，如圖5b所示，在該結(jié)構(gòu)中的可控衰減電路的電阻r1可以變?yōu)殚_(kāi)關(guān)sw2，增強(qiáng)了對(duì)射頻輸入端口rfin的esd保護(hù)能力。本申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案的有益效果在于：通過(guò)在信號(hào)的輸入端設(shè)計(jì)可控衰減電路，在實(shí)現(xiàn)功率放大器增益負(fù)增益的同時(shí)，對(duì)高增益模式性能的影響很小，并且加強(qiáng)了對(duì)rfin端口的esd保護(hù)。該電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔，對(duì)芯片面積占用小，能降低硬件成本。在本申請(qǐng)實(shí)施例提供的射頻功率放大器電路中，反饋電路中可以用于切換的電阻有多種，例如當(dāng)射頻功率放大器電路需要實(shí)現(xiàn)三檔增益模式：高增益30db左右，低增益15db左右，負(fù)增益-10db左右。此時(shí)，反饋電路如圖6所示，c51、c52、c53和c54是1pf～2pf范圍的電容。電阻r53大于r51大于r52。河北品質(zhì)射頻功率放大器值得推薦

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